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 Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electron es. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el electrón  y rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y por ello la E c es tan grande que al chocar cede energía al electrón ligado y lo convierte en libre. El electrón incidente sale con menos veloci dad que antes del choque. O sea, de un electrón libre obtenemos dos electrones libres. Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrón de un enlace covalente, ceden su energía... y se repite el proceso y se crea una Multiplicación por Avalanch a. Y ahora IR ha aumentado muchísimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-1 00 mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no está preparado para trabajar a esa IR.También se da la generación térmica (generación de pares hueco-electrón), pero lo que más  ocurre es debido a las impurezas y muy poco por generación térmica, por lo que despreciaremos esta última. Bandas de Energía en un Semiconductor tipo p En este caso las impurezas son átomos de +3, y como en el caso anterior hay muy po cos y están muy alejados por lo que los electrones de átomos diferentes están al mismo nivel energétic o. Esa energía es la "Energía del átomo Aceptor" (EA). A 300 ºK o más, el electrón cercano a EA sube desde la BV y deja un hueco en la BV mie ntras que la EA se llena de electrones. Se sigue dando generación térmica también, pero como antes es despreciable.En polarización inversa es más difícil la conducción, porque el electrón libr e tiene que subir una barrera de potencial muy grande de n a p al ser mayor el valor de W. Entonces no  hay conducción de electrones libres o huecos, no hay corriente. En esta situación tenemos que tener en cuenta la generación térmica de pares electrón-hu eco. Los pocos electrones generados térmicamente pierden energía y bajan de p a n, es la "Cor riente Inversa de Saturación" (IS) que es muy pequeña. Esa corriente tiene un sentido, siempre se toma la corriente de p a n. Entonces sería negativa en este caso. Además de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que se denomin a "Corriente de Fugas" (If). También ocurre

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Justo en el lmite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y estos electronespueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el electrn y rebota, pero aVRuptura la velocidad es muy grande y por ello la Eces tan grande que al chocar cede energa alelectrn ligado y lo convierte en libre. El electrn incidente sale con menos velocidad que antes delchoque. O sea, de un electrn libre obtenemos dos electrones libres.Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrn de un enlace covalente,ceden su energa... y se repite el proceso y se crea una Multiplicacin por Avalancha.Y ahora IR ha aumentado muchsimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-100 mA). Conesta intensidad el diodo se estropea porque no est preparado para trabajar a esa IR.Tambin se da la generacin trmica (generacin de pares hueco-electrn), pero lo que ms ocurre esdebido a las impurezas y muy poco por generacin trmica, por lo que despreciaremos esta ltima.Bandas de Energa en un Semiconductor tipo pEn este caso las impurezas son tomos de +3, y como en el caso anterior hay muy pocos y estn muyalejados por lo que los electrones de tomos diferentes estn al mismo nivel energtico. Esa energaes la "Energa del tomo Aceptor" (EA).A 300 K o ms, el electrn cercano a EA sube desde la BV y deja un hueco en la BV mientras que laEA se llena de electrones. Se sigue dando generacin trmica tambin, pero como antes esdespreciable.En polarizacin inversa es ms difcil la conduccin, porque el electrn libre tiene que subir unabarrera de potencial muy grande de n a p al ser mayor el valor de W. Entonces no hay conduccin deelectrones libres o huecos, no hay corriente.En esta situacin tenemos que tener en cuenta la generacin trmica de pares electrn-hueco. Lospocos electrones generados trmicamente pierden energa y bajan de p a n, es la "Corriente Inversa deSaturacin" (IS) que es muy pequea.Esa corriente tiene un sentido, siempre se toma la corriente de p a n. Entonces sera negativa en estecaso.Adems de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que se denomina "Corriente deFugas" (If).Tambin ocurre