7/26/2019 Guia v - Electrnica de Potencia

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Laboratorio de Electrnica de Potencia I 2016-I

Universidad Mayor de San Marcos Facultad de ingeniera Electrnica y Elctrica

Curso de Laboratorio de Electrnica de Potencia I

Gua N 5

Transistor de efecto de campo MOSFET

I- Objetivos

a. Disear el circuito de control para un MOSFET de potencia.

b. Conocer las caractersticas de conmutacin de los MOSFETs.

II-

Materiales y equipos

a.

Un MOSFET IRL530 (o cualquier otro).b.

Fuente de poder.

c.

Resistencias varias.

d.

Dispositivos necesarios para implementar el circuito de disparo.

e.

Transformador de aislamiento relacin 1:1 u opto acopladores.

f.

Equipos de Laboratorio (Osciloscopio, etc)

III- Cuestionario Previo

a. Haga una introduccin terica de los MOSFETs.

b. Consultar acerca de los circuitos disparo de MOSFETs.

c.

Revisar la hoja de especificaciones del MOSFET a utilizar.d. Disear y simular un control PWM. El control debe permitir cambiar la

frecuencia a valores aproximados de 1[KHz], 10[KHz] y 30[Khz], adems debe

poder variar la relacin de trabajo entre 0,1 < < 0,9. Lo puede hacer en base a

un circuito integrado LM555, o un UJT o un PUT o en el esquema que usted

considere conveniente.

e. Disear y simular el circuito de la Figura 1. Tomar en cuenta que el Vth de estos

elementos, para el diseo del circuito de control.

f. Considerar para el diseo el dimensionamiento de un diodo de conmutacin

rpida (Fast Recovery) para trabajar con una carga inductiva.

IV-

Procedimientoa. Implementar el circuito de control PWM diseado en la parte d del informe

previo.

b.

Comprobar el funcionamiento del circuito con las especificaciones solicitadas.

c.

Implementar el circuito de la figura 1.

d.

Observar formas de onda y comprobar que el elemento est trabajando en las

regiones de corte y hmica.

e.

Variar la relacin de trabajo y comprobar las formas de onda de voltaje,

corriente obtenidas.

f.

Variar la frecuencia de conmutacin y comprobar las formas de onda de voltaje

y corriente obtenidos.

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g. Repetir el anlisis para carga R-L aadiendo el diodo de conmutacin (FAST

RECOVERY).

V-

Informe Final

a.

Presente los resultados obtenidos durante el procedimiento desarrollado.

Adjuntar las conclusiones obtenidas de la experiencia.

b.

Plazo mximo de presentacin: 1 semana despus de presentacin de la

experiencia.

VI-

Grficos

Figura 1. Esquema del circuito a implementar.

VII- Bibliografa

a. Electrnica de Potencia. Circuitos Dispositivos y Aplicaciones. Mahammad H.

Rashid.b. Power electronics Converters, Applications and Design. Mohan, UNdeland ,

Robbins, Ed. John Wiley & SOns.