guia de estudio electrónica ii

7/26/2019 Guia de Estudio Electrnica II

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www.istvidanueva.edu.ec http://campus.istvidanueva.edu.ec/

Instituto Tecnolgico Superior

Vida Nueva

1. Datos informativos:

Carrera/s Nivel

Electromecnica Segundo

Mecnica automotriz Segundo

Mecnica industrial Segundo

Informtica Segundo

Tecnolgico ida !ueva "

COMPENDIODE

ELECTRNICAII

3 CREDITOS


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2. ndice

". #atos informativos:......................................................................"

$. %ndice...........................................................................................$

&. Introduccin.................................................................................'

(. )rerre*uisitos..............................................................................+

'. Evaluacin inicial.........................................................................+

,. -rientaciones generales para el estudio..................................."

. #esarrollo de contenidos...........................................................""

I. 0nidad: E1 T23!SIST-2 4I)-132 #E 50!T023............""

-67etivos....................................................................................""

8ontenidos................................................................................""

8onfiguracin del transistor.................................................."(

Estructura............................................................................."'

-peracin del transistor........................................................"

8urva caracter9stica de entrada............................................"

3pro;imaciones para el funcionamiento del transistor.........$$

8lasificacin de los transistores 6ipolares............................$,

)olarizacin de los transistores 6ipolares............................$

8ircuito de polarizacin fi7a...................................................$+

8ircuito de polarizacin esta6ilizado en emisor....................$+

8orrientes de polarizacin....................................................$

olta7es de polarizacin........................................................$

olta7e en la 7untura colector emisor.....................................$

Tecnolgico Vida Nueva Pgina


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8ircuito de polarizacin por divisor de volta7e......................$

3nlisis e;acto......................................................................$

8orrientes de polarizacin....................................................&

olta7es de polarizacin........................................................&

olta7e en la 7untura colector emisor.....................................&

)olarizacin con realimentacin...........................................&

8orrientes de polarizacin....................................................&"

olta7es de polarizacin........................................................&"

olta7e en la 7untura colector emisor.....................................&"

Estrategias de ense


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Estructura interna ? caracter9sticas:.....................................'$

8onfiguraciones 6asadas en los circuitos inversor ? no

inversor.................................................................................'+

El amplificador diferencial.@...................................................'+

El sumador inversor..............................................................,"

El integrador.........................................................................,&

El diferenciador.....................................................................,'

El seguidor de tensin..........................................................,,

2esumen de las configuraciones 6sicas del amplificador ?

sus caracter9sticas................................................................,

Estrategias de ense


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Electrnica II -rientaciones generales para elestudio

3. Introduccin

#urante el periodo "(@"(C el tu6o de vac9o fue sin duda el

dispositivo electrnico de interAs ? desarrollo. En "(C el diodo detu6o de vac9o fue introducido por 5. 3. >leming. )oco despuAsC en

",C 1eeC #e >orest agreg un tercer elementoC denominado re7illa

de controlC al tu6o de vac9oC lo *ue origin el primer amplificador: el

triodo.En los a


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>igura ": Inicios de la electrnica DMonografiasC $"&

El transistor original Dun transistor de punto de contacto se muestra

en la figura. #e inmediatoC las venta7as de este dispositivo de

estado slido de tres terminales so6re el tu6o electrnico fueronevidentes: era ms pe*ueigura $: El primer transistor D6ell telephone la6oratories.

DMonografiasC $"&



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Ser9a imposi6le entender la evolucin de la electrnica analgica ?

digital en generalC sin una 6uena comprensin de lo *ue esC ? lo

*ue ha aportado el transistor a estas ciencias. El transistor vino a

reemplazar a un dispositivo denominado tu6o de vac9o Dlos tu6os devac9o an se emplean en electrnica de potenciaC cuando son

necesarias elevad9simas gananciasC por e7emplo en amplificadores

para trasmisin v9a satAlite con las siguientes venta7as:

Su consumo de energ9a es mucho menor con lo *ue tam6iAn

es menor su produccin de calor.

Su tama


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4. Prerrequisitos

Es necesario tener apro6ado:

Electrnica " 3dems de conocimientos elementales de computacin

5. Evaluacin inicial

En un grfico detalle la construccin de semiconductores Tipo ! ?

Tipo ).

JJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJ



JJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJ

E;pli*ue construccin ? caracter9sticas del primer elemento

electrnico de estado slido llamado E1 #I-#-.





E;pli*ue con grficos como se prue6a un diodo utilizando el

mult9metro.





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2ealice un resumen acerca de la aplicacin ms importante del

diodo como: rectificador de onda completa tipo puente.





JJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJ



Indi*ue cuatro aplicaciones prcticas de diodos.

















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6. rientaciones !enerales "ara el estudio1a importancia de utilizar el transistor no tiene comparacinC desde

hace ms de ,' a


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Electrnica II0nidad: E1 T23!SIST-2 4I)-132 #E 50!T023

#. Desarrollo de contenidos

I. $nidad: E% &'()*I*&' +IP%(' DE ,$)&$'(

-etivos

2ealizar el anlisis completo ? detallado del funcionamiento

de transistores tra6a7ando en las tres regiones de aplicacin. Entender como un dispositivo de estado slido tan pe*ue


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>igura &: S9m6olo ? tipos de transistor 45T. DFiLipediaC $"&

InternamenteC el 45T se compone de tres capas de silicio o

germanio dopados adecuadamenteC segn la configuracin

mostrada en la >igura.

>igura (: Estructura interna del transistor 6ipolar. DFiLipediaC $"&

8omo puede apreciarseC la flecha *ue indica el tipo de transistorC

apunta al sentido de la corriente en polarizacin directa del diodo43SE@EMIS-2. En principioC parece una estructura simAtricaC en la

*ue es imposi6le distinguir el emisor del colector. Sin em6argo la

funcin *ue cumple cada uno es completamente distintaC ? en

consecuenciaC se fa6rican con diferentes caracter9sticas. )or lo

tanto no es un componente simAtrico.

0n transistor tiene dos formas principales de operacin: como un

interruptor o como una resistencia varia6le.



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El transistor bipolar de juntura

>igura ': Modelos de transistores. DFiLipediaC $"&

Eltransistor de unin bipolarDBipolar Junction TransistorC BJT es

un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dosuniones )!mu? cercanas entre s9C *ue permite controlar el paso de

la corrientea travAs de sus terminales. 1a denominacin de 6ipolar

se de6e a *ue la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento

de portadores de dos polaridades Dhuecos positivos ? electrones

negativosC ? son de gran utilidad en gran nmero de aplicacionesH

pero tienen ciertos inconvenientesC entre ellos su impedancia deentrada 6astante 6a7a.

Segn la evolucin tecnolgica los transistores 6ipolares son los

ms conocidos ? se usados generalmente en electrnica aun*ue

tam6iAn ha? otros dispositivos: los transistores de tecnolog9a 5>ET.

8M-S M-S>ET. En el presente mdulo se detallar la

construccinC funcionamiento ? aplicaciones de transistor 6ipolar de

7untura cu?as siglas son T45.

0n transistor de unin 6ipolar est formado por dos uniones )!en

un solo cristal semiconductorC separados por una regin mu?

estrecha llamada 6arrera. #e esta manera *uedan formadas tres

regiones de cada una de las cuales sale un terminal llamado:

http://es.wikipedia.org/wiki/Dispositivo_electr%C3%B3nicohttp://es.wikipedia.org/wiki/Estado_s%C3%B3lidohttp://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PNhttp://es.wikipedia.org/wiki/Corriente_el%C3%A9ctricahttp://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Huecos&action=edit&redlink=1http://es.wikipedia.org/wiki/Electroneshttp://es.wikipedia.org/wiki/Impedanciahttp://es.wikipedia.org/wiki/Electr%C3%B3nica_anal%C3%B3gicahttp://es.wikipedia.org/wiki/Electr%C3%B3nica_anal%C3%B3gicahttp://es.wikipedia.org/wiki/Tecnolog%C3%ADa_TTLhttp://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PNhttp://es.wikipedia.org/wiki/Dispositivo_electr%C3%B3nicohttp://es.wikipedia.org/wiki/Estado_s%C3%B3lidohttp://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PNhttp://es.wikipedia.org/wiki/Corriente_el%C3%A9ctricahttp://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Huecos&action=edit&redlink=1http://es.wikipedia.org/wiki/Electroneshttp://es.wikipedia.org/wiki/Impedanciahttp://es.wikipedia.org/wiki/Electr%C3%B3nica_anal%C3%B3gicahttp://es.wikipedia.org/wiki/Electr%C3%B3nica_anal%C3%B3gicahttp://es.wikipedia.org/wiki/Tecnolog%C3%ADa_TTLhttp://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN


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Emisor (EC *ue se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopadaC comportndose como un metal. Su

nom6re se de6e a *ue esta terminal funciona como emisorde

portadores de carga.

!ase (!C la intermediaC mu? estrechaC *ue separa el emisor

del colector.

Colector (CC de e;tensin mucho ma?orC pero de menor

dopa7e.

Confguracin del transistor

>igura ,: Transistores 6ipolares !)! ? )!). Estructura. 8ircuito

e*uivalenteC s9m6olo. DFiLipediaC $"&

1a tAcnica de fa6ricacin ms comn es la deposicin epita;ial. En

su funcionamiento normalC la unin 6ase@emisor est polarizada

directamenteC mientras *ue la 6ase@colector inversamente. 1os

portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la 6aseC

por*ue es mu? angostaC ha? poca recom6inacin de portadoresC ?

la ma?or9a pasa al colector. El transistor posee tres estados de

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Epitaxial&action=edit&redlink=1http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Epitaxial&action=edit&redlink=1


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operacin: estado de corteC estado de saturacin ? estado de

actividad.

Estructura

0n transistor de unin 6ipolar consta de tres regiones o capas

semiconductoras dopadas: la regin del emisorC la regin de la 6ase

? la regin del colector. Estas regiones sonC respectivamenteC tipo )C

tipo ! ? tipo ) en un )!)C ? tipo !C tipo )C ? tipo ! en un transistor

!)!. 8ada regin del semiconductor est conectada a un terminalC

denominado emisor DEC 6ase D4 o colector D8C segn

corresponda.

>igura : Estructura interna de un transistor !)!. DFiLipediaC $"&

8orte transversal simplificado de un transistor de unin 6ipolar !)!.

#onde se puede apreciar como la unin 6ase@colector es mucho

ms amplia *ue la 6ase@emisor.

1a 6ase est f9sicamente localizada entre el emisor ? el colector ?

est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado? de

alta resistividad. El colector rodea la regin del emisorC haciendo

casi imposi6le para los electrones in?ectados en la regin de la

6ase escapar de ser colectadosC lo *ue hace *ue el valor resultante

de N Dvariacin de la corriente de colector con respecto a la de

emisor" # $IC / $IE se acer*ue mucho hacia la unidadC ? por esoC

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)


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otorgarle al transistor un parmetro llamado O Dvariacin de la

corriente de colector con respecto a la de 6ase% # IC/ I!.

El transistor de unin 6ipolarC a diferencia de otros transistoresC noes usualmente un dispositivo simAtrico. Esto significa *ue

intercam6iando el colector ? el emisor hacen *ue el transistor de7e

de funcionar en modo activo ? comience a funcionar en modo

inverso. #e6ido a *ue la estructura interna del transistor est

usualmente optimizada para funcionar en modo activoC intercam6iar

el colector con el emisor hacen *ue los valores de N ? O en modo

inverso sean mucho ms pe*ue


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pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de

corriente controladas por corrienteC o por amplificadores de

corrienteC de6ido a la 6a7a impedancia de la 6ase.

1os primeros transistores fueron fa6ricados de germanioC pero la

ma?or9a de los 45T modernos estn compuestos de silicio.

3ctualmenteC una pe*ue


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6arrera de potencial D7untura emisor@6ase ? llegar a la 6ase. 3 su

vezC prcticamente todos los portadores *ue llegaron son

impulsados por el campo elActrico *ue e;iste entre la 6ase ? el

colector.

0n transistor !)! puede ser considerado como dos diodos con la

regin del nodo compartida. En una operacin t9picaC la unin

6ase@emisor est polarizada en directa ? la unin 6ase@colector est

polarizada en inversa. En un transistor !)!C por e7emploC cuando

una tensin positiva es aplicada en la unin 6ase@emisorC el

e*uili6rio entre los portadores generados tArmicamente ? el campo

elActrico repelente de la regin agotada se des6alanceaC

permitiendo a los electrones e;citados tArmicamente in?ectarse en

la regin de la 6ase. Estos electrones PvaganP a travAs de la 6aseC

desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la

regin de 6a7a concentracin cercana al colector. Estos electrones

en la 6ase son llamados portadores minoritarios de6ido a *ue la

6ase est dopada con material )C los cuales generan PhuecosP

como portadores ma?oritarios en la 6ase.

1a regin de la 6ase en un transistor de6e ser constructivamente

delgadaC para *ue los portadores puedan difundirse a travAs de esta

en mucho menos tiempo *ue la vida til del portador minoritario delsemiconductorC para minimizar el porcenta7e de portadores *ue se

re com6inan antes de alcanzar la unin 6ase@colector. El espesor de

la 6ase de6e ser menor al ancho de difusin de los electrones.

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)


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Curva caracterstica de entrada

Si variamos el valor de la fuente 44 de la malla de entradaC

tomando valores de I4 ? 4E podemos o6tener la ecuacin

caracter9stica de entrada

>igura : 8urva caracter9stica. DFiLipediaC $"&

8omo vemosC es la caracter9stica del diodo 6ase@emisorC ? tiene una

forma e;ponencial.

Curva caracterstica de salida

3nalizamos la malla de salida ? o6tenemos distintas curvas para

#iferentes valores de I4Dcorriente de 6ase.

37ustando 44fi7o un valor de I4*ue vo? a mantener constante Dpor

e7emplo I4 " m3. 3hora variando 88mido valores de 4E? I8?

o6tengo la correspondiente curva de I4" m3. Gago lo mismo para

I4 Q $ m3C etc... as9 sucesivamente para diferentes valores de I4.



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>igura ". 8ircuito electrnico. DFiLipediaC $"&

En cada una de estas curvas ha? diferentes zonas:

>igura "". 8urva del circuito electrnico. DFiLipediaC $"&

Rona entre " ? $: R-!3 #E S3T0238I!.

Rona entre $ ? &: R-!3 38TI3.

Rona a partir de &: R-!3 #E 20)T023.

2ecordar *ue en activa conociendo el valor de I4se puede calcular

la I8con la ecuacin: I8 Q O I4.



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>igura "$. Ronas de activacin. DFiLipediaC $"&

1a zona de corte es desde I4Q hacia a6a7o Dzona rallada ? no

conduce

eamos para *ue sirve cada zona:

3ctiva: 3mplificadores ? dems 8ircuitos 1ineales

>igura "&. 8urvas Ic. DFiLipediaC $"&

8orte ? Saturacin: 8onmutacin D8orte a6ierto ? Saturacin

cerrado.



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>igura "(. 8urvas de conmutacin. DFiLipediaC $"&

En este caso el control es por corriente. Es decir Si la corriente de

6ase es cero la 7untura colector@emisor est a6ierta. En cam6io si la

corriente de 6ase es ma?or *ue cero la 7untura colector emisor est

cerrado.

Aproximaciones para el uncionamiento del

transistor

1as caracter9sticas de entrada ? salida no son lineales:

>igura "'. 8urvas de un transistor. DFiLipediaC $"&



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)ara facilitar los clculos usaremos las siguientes apro;imaciones.

Esta es la apro;imacin idealC por lo tanto la menos e;acta de las

tresC las caracter9sticas de entrada ? salida son estas:

>igura ",. 8urvas de un transistor. DFiLipediaC $"&

Esta apro;imacin no es tan ideal como la anterior por lo tanto se

parece ms al funcionamiento real del transistor.

>igura ". 8urvas de un transistor. DFiLipediaC $"&

1a apro;imacin ms e;acta o la *ue ms se parece a la realidadC

por lo tanto algo ms comple7a *ue las anterioresC se gana en

e;actitud pero tam6iAn en comple7idad.



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>igura "+. 8urvas de un transistor. DFiLipediaC $"&

Ejemplo: En este e7emplo usaremos las & apro;imaciones para ver

*ue error se comete de una a otra.

) apro*imacin

)ara sa6er dnde estamos hacemos una hiptesis. Giptesis:

38TI3.



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emos *ue la 0E est en polarizacin directa ? la 08 est enpolarizacin inversa por lo tanto la hiptesis es correctaC estamos en

la zona activa.

+) apro*imacin

Tam6iAn *ueda demostrado *ue nos encontramos en la zona activa.

1a ma?or diferencia est en 8E? de6ido eso se recomienda usar la

$Uapro;imacin en vez de la "U.

En pro6lemas complicadosC con varios transistoresC para reducir

incgnitas se toma: I8Q IE.

3) apro*imacin

1a &U apro;imacin no se suele utilizarC por*ue no se sa6e en *uA

punto estamos tra6a7ando Dpunto V. En prcticas se podr9a utilizar



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la &U apro;imacin midiendo la tensin 4Econ el volt9metroC pero

en pro6lemas no se usa la &U apro;imacin.

Si supiAramos su valorC aplicamos la &U apro;imacin ? se ven los

valores *ue salen:)or e7emplo con un volt9metro mido la tensin 4E? se o6tiene el

siguiente valor:

8omo se ve los errores son m9nimos comparndolos con la $U

apro;imacinC por eso usaremos la $U apro;imacin.

Clasifcacin de los transistores bipolares

1os transistores 6ipolares se clasifican de la siguiente manera:

1. )or la disposicin de sus capas

@ Transistores )!)

@ Transistores !)!

2. )or el material semiconductor empleado

@ Transistores de Silicio

@ Transistores de Bermanio



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3. )or la disipacin de )otencia

@ Transistores de 6a7a potencia

@Transistores de mediana potencia

@ Transistores de alta potencia

4. )or la frecuencia de tra6a7o

@ Transistores de 6a7a frecuencia

@ Transistores de alta frecuencia

Polarizacin de los transistores bipolares

)ara *ue un transistor 6ipolar funcione adecuadamenteC es

necesario polarizarlo correctamente utilizando una fuente de

corriente continua. )ara un transistor !)! se de6e cumplir *ue:

@ 1a 7untura 43SE @ EMIS-2 este polarizado directamenteC ?

@ 1a 7untura 8-1E8T-2 = 43SE este polarizado inversamente.

Ejemplo,

Si el transistor es !)!C la 6ase de6e tener un volta7e positivo con

respecto al emisor ? el colector de6e tener un volta7e tam6iAn

positivo peroC ma?or *ue el de la 6ase.

Si el transistor es )!) la 6ase de6e tener un volta7e negativo con

respecto al emisor ? el colector de6e tener un volta7e tam6iAn

negativo peroC ma?or *ue el de la 6ase.



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Circuito de polarizacin fja

+ Vcc1V

Rb1

Rc1

Q2NPN

>igura ": )olarizacin fi7a. DMonografiasC $"&

Circuito de polarizacin estabilizado en emisor

+ Vcc1V

Rb1

Re1

Rc1

Q1NPN

>igura $: )olarizacin esta6ilizado. DMonografiasC $"&

Corrientes de polarizacinI4Q D88 = 4E / W26X DOX" 2eY



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I8 Q O I4

IE Q DO X " I4

Voltajes de polarizacin4Q 88@ I4 26

EQ IE 2E

8Q 88= I8 28Q4EX IE 2E

Voltaje en la juntura colector emisor

8EQ 88= I8 28 = IE 2E

Circuito de polarizacin por divisor de voltaje

El figura se tiene dos circuitos e*uivalentesC dnde 244 representa

la resistencia de ThAvenin ? 44 el volta7e de ThAvenin.

Anlisis exacto

R21k

+ Vcc1V

R11

Re1

Rc1

Q1NPN

+ VBB1

RBB1

+ Vcc1

Re1

Rc1

Q1NPN

2TGQ 244Q 2"Z2$ QD2" 2$/D2"X 2$

TGQ 44Q D2$88 / D2"X 2$

4E es el volta7e en la 7untura 43SE@EMIS-2 dependiendo del tipo

de transistor C, 3 C )ara transistores de Silicio ? C$ a C& para

transistores de Bermanio.



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Corrientes de polarizacin

I4Q D44 = 4E / W244X DOX" 2eY

I8 Q O I4

IE Q DO X " I4

!-T3: algunos autores consideran I8 Q IE *ue para fines prcticos

son valores mu? apro;imados.

Voltajes de polarizacin

4Q 4EX IE 2e

EQ IE 2e

8Q 88= I8 2c


8EQ 88= I8 2c= IE 2e

Polarizacin con realimentacin

Rb1

+ Vcc1

Re1

Rc1

Q1NPN

>igura $": )olarizacin retroalimentacin. DMonografiasC $"&

Corrientes de polarizacin

I4Q Dcc = 4E / W26XO D2cX2e Y

I8 Q O I4



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IE Q DO X " I4

!-T3: algunos autores consideran I8 Q IE *ue para fines prcticos

son valores mu? apro;imados.

Voltajes de polarizacin

4Q 4EX IE 2e

EQ IE 2e

8Q 88= I8 2c


8EQ 88= I8 28 = IE 2e

Estrate!ias de ense0ana a"rendiae

2ealizar un circuito de aplicacin con los conocimientos ad*uiridos

durante la unidad



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Electrnica II 4i6liograf9a

II. $nidad: (P%I/(/I)E* DE% +,&

-etivos

Estudiar la primera aplicacin del transistor como un switch dealta velocidad sin contactos mviles *ue se desgastan o salta

chispas. 2eforzar los contenidos del cap9tulo anterior en 6ase al cual

se polariza al transistor alimentado por se


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1a funcin del transistor como interruptor de alta velocidad es

e;actamente igual *ue la de un dispositivo mecnico: o 6ien de7a

pasar la corrienteC o 6ien la corta. 1a diferencia est en *ue

mientras en el primero es necesario *ue ha?a algn tipo de controlmecnicoC en el 45T la seigura

se muestra la aplicacin al encendido de una 6om6illa.

>igura $$: El transistor 6ipolar como interruptor. DMonografiasC $"&

En el primer casoC 6a7o la se


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S1

R1

1k

+ Vcc1

Re

1

Rc

1

Q1NPN

" En conduccin: SiI4[ la 7untura colector@emisor est

cerrada por lo tanto o \ .$ En corte: Si I4 Q la 7untura colector@emisor est

a6ierta por lo tanto o \ cc

El transistor como amplifcador

Introduccin

El mundo est lleno de pe*ue


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de la tensin de entrada. Si no lo hace as9C se produce una

distorsinC una pArdida de la informacin *ue aporta.

1a energ9a a6sor6ida de la fuente *ue emite la onda *ue se deseaamplificar ha de ser m9nima. El circuito amplificador necesita una

fuente de alimentacin propia.

-ar.metros importantes de un ampliicador

Impedancia de entrada Ri: 2epresenta la relacin entre el volta7e de

entrada ? la corriente de entrada RiQ i/ I i

Impedancia de salida Ro: 2epresenta la relacin entre el volta7e de

salida ? la corriente de salida: R-Q -/ I -

Banancia de volta7e 3v: 2epresenta la relacin entre el volta7e de

salida ? el volta7e de entrada: 3vQ o/ i

Banancia de corriente 3i: 2epresenta la relacin entre la corriente

de salida ? la corriente de entrada: 3iQ Io/ Ii

#e acuerdo a la forma como ingresan ? como salen las se


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1kHz

V1-1/1V RL

2,2k

C21uF

C1

1uF

R2

3,9k

+ Vcc22V

R1

39k

Re

1,5k

Rc

10k

Q1NPN

>igura $&: Emisor 8omn. DMonografiasC $"&

Colector com0n,1a entrada de seigura $&: 8olector 8omn. DMonografiasC $"&

!ase com0n1 1a entrada de se


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1kHz

V1

-1/1V

RL

2,2k

C21uF

C1

1uF

R2

3,9k

+ Vcc22V

R1

39k

Re

1,5k

Rc

10k

Q1

NPN

>igura $&: 4ase 8omn. DMonografiasC $"&

Estrate!ias de ense0ana a"rendiae

Implementar una prctica con un circuito dnde se alimente a un

transistor una se


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1ocalizar el punto de operacin V en la grfica cuando I8Q "C$' m3.

#eterminar la tensin de 8Een el punto V. 8alcular el valor de I4 en

el punto V.

Sa6iendo *ue 88Q"$ ? dada la grfica de la figuraC calcular elvalor de 28? 24necesario para *ue el transistor dado en la figura

opere en el punto V dado.


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8alcular las tensiones ? corrientes de polarizacin en #8 para el

circuito de la figura D4eta Q +.

]VuA resistencia 24se re*uiere para *ue el transistor opere en el

punto medio de la recta de carga si E88 es $ C 28es ' KF ? 6 es

"$'^


40/95


En el circuito amplificador de la figura:

8alcular el punto de operacin #8 del transistor.

#eterminar el modelo 38 para pe*ue


41/95


En el circuito de la figura:

Gallar el punto de operacin #8 del transistor.

#eterminar el modelo 38 de pe*ue


42/95


8alcular impedancia de entrada ? salida. Banancia de volta7e ?

corriente. 8ompro6ar implementando el circuito en una prctica de

la6oratorio.

Rl2k

1kHz

V1-1/1mV

C21uF

C11uF

+ Vcc10V

Q1

MPS3904

R15!k

R250k

Rc1k

erificar los pines ? compro6ar en estado del transistor. 0sando el

manual !TE. Vue consta en el ane;o del presente tra6a7o.


43/95


En la configuracin EMIS-2 8-M_! demostrar las frmulas para:

ganancia de volta7eC ganancia de corrienteC impedancia de entrada e

impedancia de salida.

En la configuracin 8-1E8T-2 8-M_! demostrar las frmulas

para: ganancia de volta7eC ganancia de corrienteC impedancia de

entrada e impedancia de salida.

8ompro6ar los e7ercicios utilizando el software simulador para

electrnica analgica 8I280IT M3KE2.


44/95


Implementar en el la6oratorio un circuito en E2ISOR CO2N?

compro6ar la ganancia de -1T35E 8-22IE!TE.

Implementar en el la6oratorio un circuito en CO4ECTOR CO2N?

compro6ar la ganancia de -1T35E 8-2IE!TE.


45/95


III. $nidad. E% (P%II/(D' PE'(/I)(%

-etivos:

8onocer una de las primeras aplicaciones de los transistores

en circuitos integrados llamados amplificadores operacionales. 2ealizar comparaciones con los circuitos tradicionales del

transistor ? anotar las venta7as de los operacionales Implementar circuitos con amplificadores operacionales ?

realizar clculos de ganancia de volta7e ? corriente as9 como

impedancias de entrada ? salida.

/ontenidos

Introduccin

El concepto original del 3- Damplificador operacional procede del

campo de los computadores analgicosC en los *ue comenzaron a

usarse tAcnicas operacionales en una Apoca tan temprana como enlos a


46/95


1os primeros amplificadores operacionales usa6an el componente

6sico de su tiempo: la vlvula de vac9o. El uso generalizado de los

amplificadores operacionales D3-s no comenz realmente hasta

los a


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componentes activos discretos se ha convertido en una pArdida de

tiempo ? de dinero para la ma?or9a de las aplicaciones dc ? de 6a7a

frecuencia.

8laramenteC el amplificador operacional integrado ha redefinido las

Preglas 6sicasP de los circuitos electrnicos acercando el dise


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Estructura interna " caractersticas#

>igura $(: Estructura interna de un amplificador operacional d

Dvolta7e de entrada. DMonografiasC $"&

Q a d Dvolta7e de salida

a Q infinito Dganancia de volta7e

2i Q infinito Dresistencia de entrada

2o Q Dresistencia de salida

4F Q infinito Dancho de 6anda

Q s9 d Q

En la figura anterior se muestra un amplificador idealizado. Es un

dispositivo de acoplo directo con entrada diferencialC ? un nico

terminal de salida. El amplificador slo responde a la diferencia de

tensin entre los dos terminales de entradaC no a su potencial

comn.

0na se


49/95


referida a masaC por consiguienteC se utilizan tensiones de

alimentacin 6ipolares D `

Teniendo en mente estas funciones de la entrada ? salidaC podemosdefinir ahora las propiedades del amplificador ideal. Son las

siguientes:

". 1a ganancia de tensin es infinita:

$. 1a resistencia de entrada es infinita:

&. 1a resistencia de salida es cero:

2o Q

(. El ancho de 6anda es infinito:

'. 1a tensin offset de entrada es cero:

Q s9 d Q

3 partir de estas caracter9sticas del 3-C podemos deducir otras dos

importantes propiedades adicionales. )uesto *ueC la ganancia en


50/95


tensin es infinitaC cual*uier se


51/95


1a figura $' ilustra la primera configuracin 6sica del 3-. El

amplificador inversor. En este circuitoC la entrada DX est a masaC ?

la se


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Toda la corriente I *ue circula por 2"pasar por 2$C puesto *ue no

se derivar ninguna corriente hacia la entrada del operacional

DImpedancia infinitaC as9 pues el producto de I por 2 $ser igual a @

I=V

0

R2

Vi

R1

=V

0

R2

)or lo *ue:

V0=R2R12

Vi

1uego la ganancia del amplificador inversor:

Vi

Vi

=R

2

R1

#e6en o6servarse otras propiedades adicionales del amplificador

inversor ideal. 1a ganancia se puede variar a7ustando 6ien 2"C o

6ien 2$. Si 2$var9a desde cero hasta infinitoC la ganancia variar

tam6iAn desde cero hasta infinitoC puesto *ue es directamente

proporcional a 2$. 1a impedancia de entrada es igual a 2"C ? i? 2"

nicamente determinan la corriente IC por lo *ue la corriente *ue

circula por 2$es siempre IC para cual*uier valor de dicha 2$.

1a entra del amplificadorC o el punto de cone;in de la entrada ? las

se


53/95


punto de tierra virtualC un punto en el *ue siempre ha6r el mismo

potencial *ue en la entrada DX. )or tantoC este punto en el *ue se

suman las se


54/95


>igura $,: 3mplificador no inversor. DMonografiasC $"&

En este circuitoC la tensin i se aplica a la entrada DXC ? una

fraccin de la se


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*ue si lo e;presamos en tArminos de ganancia:

V0

Vi=R

1+R

2

R1

*ue es la ecuacin caracter9stica de ganancia para el amplificador

no inversor ideal.

Tam6iAn se pueden deducir propiedades adicionales para esta

configuracin. El l9mite inferior de ganancia se produce cuando 2$Q

C lo *ue da lugar a una ganancia unidad.

En el amplificador inversorC la corriente a travAs de 2 " siempre

determina la corriente a travAs de 2$C independientemente del valor

de 2$C esto tam6iAn es cierto en el amplificador no inversor. 1uego

2$puede utilizarse como un control de ganancia linealC capaz deincrementar la ganancia desde el m9nimo unidad hasta un m;imo

de infinito. 1a impedancia de entrada es infinitaC puesto *ue se trata

de un amplificador ideal.

Confguraciones basadas en los circuitos inversor "

no inversor

El amplifcador dierencial!$

0na tercera configuracin del 3- conocida como el amplificador

diferencialC es una com6inacin de las dos configuraciones

anteriores. 3un*ue est 6asado en los otros dos circuitosC el

amplificador diferencial tiene caracter9sticas nicas. Este circuitoC

mostrado en la figura $C tiene aplicadas se


56/95


terminales de entradaC ? utiliza la amplificacin diferencial natural

del amplificador operacional.

>igura $: 3mplificador diferencial. DMonografiasC $"&

)ara comprender el circuitoC primero se estudiarn las dos se


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V02=V

2

R4

R3

dado *ueC aplicando el teorema de la superposicin la tensin desalida Q "X $? haciendo *ue 2&sea igual a 2"? 2(igual a 2$

tendremos *ue:

V01=V

1R

2

R1V

02=V

2

R2

R1

por lo *ue concluiremos

V0=(V1V2 )

R2

R1

*ue e;presando en tArminos de ganancia:

V0

V1V2=R

2

R1

*ue es la ganancia de la etapa para se


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nulo para *ue D@ se mantenga igual a DXH o estar al mismo

potencial *ue 2$C el cualC de hecho est a masa. Est mu? til

propiedad del amplificador diferencialC puede utilizarse para

discriminar componentes de ruido en modo comn no desea6lesCmientras *ue se amplifican las se


59/95


>igura $+: Sumador inversor. DMonografiasC $"&

En este circuitoC como en el amplificador inversorC la tensin DX

est conectada a masaC por lo *ue la tensin D@ estar a una

masa virtualC ? como la impedancia de entrada es infinita toda la

corriente I"circular a travAs de 2>? la llamaremos I$. 1o *ue ocurre

en este caso es *ue la corriente I"es la suma alge6raica de las

corrientes proporcionadas por "C $? &C es decir:

I1=

V1

Rg1+V

2

RG2+V

3

Rg3

? tam6iAn

I2=V

OUT

RF

8omo I"Q I$concluiremos *ue:

VOUT

=(V1 RFRG1

+V2R

F

RG2

+V3R

F

RG3

)


60/95


*ue esta6lece *ue la tensin de salida es la suma alge6raica

invertida de las tensiones de entrada multiplicadas por un factor

correctorC *ue el alumno puede o6servar *ue en el caso en *ue 2 >Q

2B"Q 2B$Q 2B&QQ[ -0TQ @ D"X $X &

1a ganancia glo6al del circuito la esta6lece 2>C la cualC en este

sentidoC se comporta como en el amplificador inversor 6sico. 3 las

ganancias de los canales individuales se les aplica

independientemente los factores de escala 2B"C 2 B$C 2B&C... Atc. #el

mismo modoC 2B"C 2B$? 2B&son las impedancias de entrada de los

respectivos canales.

-tra caracter9stica interesante de esta configuracin es el hecho de

*ue la mezcla de se


61/95


>igura $: Integrador. DMonografiasC $"&

0na modificacin del amplificador inversorC el integradorC mostrado

en la figura ,C se aprovecha de esta caracter9stica. Se aplica una

tensin de entrada I!C a 2BC lo *ue da lugar a una corriente I I!.

8omo ocurr9a en el amplificador inversorC D@ Q C puesto *ue DX

Q C ? por tener impedancia infinita toda la corriente de entrada Iin

pasa hacia el condensador 8>C llamaremos a esta corriente I>.

El elemento realimentador en el integrador es el condensador 8 >.

)or consiguienteC la corriente constante I>C en 8>da lugar a una

rampa lineal de tensin. 1a tensin de salida esC por tantoC la

integral de la corriente de entradaC *ue es forzada a cargar 8 >por el

lazo de realimentacin.

1a variacin de tensin en 8>es

VOUT=I t

CF

lo *ue hace *ue la salida var9e por unidad de tiempo segn:

VOUT

t= V

RGCF


62/95


8omo en otras configuraciones del amplificador inversorC la

impedancia de entrada es simplemente 2B

-6sArvese el siguiente diagrama de seigura &: #iagrama de se


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En este circuitoC la posicin de 2 ? 8 estn al revAs *ue en el

integradorC estando el elemento capacitivo en la red de entrada.

1uego la corriente de entrada o6tenida es proporcional a la tasa de

variacin de la tensin de entrada:

I=V C

t

#e nuevo diremos *ue la corriente de entrada I I!C circular por 2>C

por lo *ue I>Q II!

puesto *ue -0TQ @ I>2> Sustitu?endo o6tenemos

VOUT

=V RFC

t

-6sArvese el siguiente diagrama de se


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>igura &$: Emisor 8omn. DMonografiasC $"&

El seguidor de tensin

0na modificacin especial del amplificador no inversor es la etapa

de ganancia unidad mostrada en la figura +

>igura &&: Seguidor de tensin. DMonografiasC $"&

En este circuitoC la resistencia de entrada se ha incrementado hasta

infinitoC ? 2> es ceroC ? la realimentacin es del ". es

entonces e;actamente igual a iC dado *ue Es Q . El circuito se

conoce como Pseguidor de emisorP puesto *ue la salida es una


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rAplica en fase con ganancia unidad de la tensin de entrada. 1a

impedancia de entrada de esta etapa es tam6iAn infinita.

%esumen de las confguraciones bsicas delamplifcador " sus caractersticas!

Todas las caracter9sticas de los circuitos *ue se han descrito son

importantesC puesto *ueC son las 6ases para la completa

fundamentacin de la tecnolog9a de los circuitos amplificadores

operacionales. 1os cinco criterios 6sicos *ue descri6en al

amplificador ideal son fundamentalesC ? a partir de estos se

desarrollan los tres principales a;iomas de la teor9a de los

amplificadores operacionalesC los cuales repetimos a*u9:

5 4a tensin de entrada dierencial es nula

+5 No e*iste lujo de corriente en nin6uno de los terminales

de entrada

35 En la;o cerrado7 la entrada (8 ser. re6ulada al potencial

de entrada (9 o de reerencia5

Estos tres a;iomas se han ilustrado en todos los circuitos 6sicos ?

sus variaciones. En la configuracin inversoraC los conceptos de

corriente de entrada nulaC ? tensin de entrada diferencial ceroC dan

origen a los conceptos de nudo suma ? tierra virtualC donde la

entrada inversora se mantiene por realimentacin al mismo

potencial *ue la entrada no inversora a masa.


66/95


0sando el concepto de la entrada no inversora como terminal de

referenciaC el amplificador no inversor ? el seguidor de emisor

ilustran como una tensin de entrada es indirectamente multiplicada

a travAs de una realimentacin negativa en la entrada inversoraC lacual es forzada a seguir con un potencial idAntico. 1a configuracin

diferencial com6ina estos conceptosC ilustrando el ideal de la

simultaneidad de la amplificacin diferencial ? del rechazo de la

se


67/95


$.@ 2ealice los diagramas de los circuitos integrador ? diferenciadorCcomente los resultados.

&.@ #i6u7e dos circuitos dnde se utilicen amplificadores

operacionales como filtro. 8omente sus resultados.

(.@ 2ealice un mapa conceptual con la clasificacin de los

amplificadores operacionales. )onga sus nom6reC ganancia de

volta7es ? aplicaciones.


68/95


. +i-lio!rafa[1] BOYLESTAD Rober !Anli"is de circuio" el#crico"$

Editorial )rentice Gall .Madrid $".

W$Y Malvino )alC )rincipios de Electrnica. Editorial Mc Braw

Gill. Espa


69/95


7.(ne8os

Codifcacin de los transistores bipolares

1os transistores tienen un cdigo de identificacin *ue en algunos

casos especifica la funcin *ue cumple ? en otros casos indica su

fa6ricacin.

)ese a la diversidad de transistoresC se distinguen tres grandes

grupos: EuropeosC 5aponeses ? 3mericanos.

Codifcacin europea

)rimera letra3: Bermanio

4: Silicio

Segunda 1etra

3: #iodo De;cepto los diodos tnel

4: Transistor de 6a7a potencia

#: Transistor de 6a7a frecuencia ? de potenciaE: #iodo tnel de potencia

>: Transistor de alta frecuencia

1: Transistor de alta frecuencia ? potencia

): >oto = semiconductor

S: Transistor para conmutacin

0: Transistor para conmutacin ? de potencia

: #iodos de potencia

R: #iodo Rener

!mero de serie

" = : )ara e*uipos domAsticos tales como radioC TC

amplificadoresC gra6adorasC etc.

" = ? la letra C o R: )ara aplicaciones especiales.


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E7emplo: 3#"(C es un transistor de potenciaC de germanio ? sus

aplicaciones son de 6a7a frecuencia.

Codifcacin japonesa

)rimero

Dcero: >oto transistor o fotodiodo

": #iodos

$: Transistor

Segundo

S: Semiconductor

Tercero

3: Transistor )!) de 2> Dradiofrecuencia

4: Transistor )!) de 3> Daudiofrecuencia

8: Transistor !)! de 2>

#: Transistor !)! de 3>

>: Tiristor tipo )!)!

B: Tiristor tipo !)!)

8uarto

!mero de serie: comienza a partir del nmero ""

Vuinto

Indica un transistor me7or *ue el anterior

E7emplo:

Es un transistor )!) de 2> con me7ores caracter9sticas tAcnicas

*ue el $S3"+,.


71/95


Codifcacin americana

3nteriormente los transistores americanos empeza6an su

codificacin con el prefi7o $! ? a continuacin un nmero *ue

indica6a la serie de fa6ricacin. E7emplo $!&''C $!$$(C etc.3ctualmenteC cada f6rica le antepone su propio prefi7oC as9 se tiene

por e7emplo: TI"(""C E8B"$+C etc. *ue corresponden

respectivamente a TE3S I!ST20ME!TS S13!I3.

&atos t'cnicos de voltaje " corriente en un transistor

CO4T?@E CE CORRIENTE -OTENCI? ARECBENCI?

2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W

2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz

2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz

2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60

2N1613 S-N 75V 1A 0.!W 60MHz

2N1711 S-N 75V 1A 0.!W 70MHz2N1!93 S-N 120V 0.5A 0.!W

2N2102 S-N 120V 1A 1W "120MHz

2N214! GE-P 60V 5A 12.5W

2N2165 S-P 30V 50#A 0.15W 1!MHz

2N2166 S-P 15V 50#A 0.15W 10MHz

2N2219A S-N 40V 0.!A 0.!W 250MHz

2N2222A S-N 40V 0.!A 0.5W 300MHz

2N2223 2$S-N 100V 0.5A 0.6W >50

2N2223A 2$S-N 100V 0.5A 0.6W >50

2N2243A S-N 120V 1A 0.!W 50MHz2N2369A S-N 40V 0.2A .36W 12%1!&'

2N2!57 S-N 30V 40#A 0.2W >1GHz

2N2!94 S-P 12V 0.2A 1.2W 60%90&'

2N2905A S-P 60V 0.6A 0.6W 45%100

2N2906A S-P 60V 0.6A 0.4W 45%100

2N2907A S-P 60V 0.6A 0.4W 45%100

2N2917 S-N 45V 0.03A >60Mz

2N2926 S-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz

2N2955 GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz

2N3019 S-N 140V 1A 0.!W 100MHz

2N3053 S-N 60V 0.7A 5W 100MHz


72/95


2N3054 S-N 90V 4A 25W 3MHz

2N3055 S-N 100V 15A 115W !00kHz

2N3055 S-N 100V 15A 115W !00kHz

2N3055H S-N 100V 15A 115W !00kHz

2N3251 S-P 50V 0.2A 0.36W

2N3375 S-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz

2N3439 S-N 450V 1A 10W 15MHz

2N3440 S-N 300V 1A 10W 15MHz

2N3441 S-N 160V 3A 25W P(WER

2N3442 S-N 160V 10A 117W 0.!MHz

2N3495 S-P 120V 0.1A 0.6W >150MHz

2N3502 S-P 45V 0.6A 0.7W 200MHz

2N3553 S-N 65V 0.35A 7W 500MHz

2N3571 S-N 30V 0.05A 0.2W 1.4GHz

2N35!3 S-N 250%175V 2A 35W >10MHz2N3632 S-N 40V 0.25A 23W 400MHz

2N3646 S-N 40V 0.2A 0.2W

2N3700 S-N 140V 1A 0.5W 200MHz

2N3707 S-N 30V 0.03A 0.36W 100MHz

2N370! S-N 30V 0.03A 0.36W !0MHz

2N3716 S-N 100V 10A 150W 4MHz

2N3725 S-N !0V 0.5A 1W 35%60&'

2N3740 S-P 60V 4A 25W >4MHz

2N3741 S-N !0V 4A 25W >4MHz

2N3742 S-N 300V 0.05A 1W >30MHz2N3767 S-N 100V 4A 20W >10MHz

2N3771 S-N 50V 30A 150W P(WER

2N3772 S-N 100V 20A 150W P(WER

2N3773 S-N 160V 16A 150W P(WER

2N3792 S-P !0V 10A 150W 4MHz

2N3!19 N-)E* 25V 20#A 0.36W

2N3!20 P-)E* 20V 15#A 0.36W

2N3!21 N-)E* 50V 2.5#A 0.3W

2N3!24 N-)E* 50V 10#A 0.3W "250E

2N3!66 S-N 55V 0.4A 1W 175MHz

2N3904 S-N 60V 0.2A .35W 300MHz

2N3906 S-P 40V 0.2A .35W 250MHz

2N3909 P-)E* 20V 10MA 0.3W

2N395! N-)E* 50V 5#A 0.25W

2N3963 S-P !0V 0.2A 0.36W >40MHz

2N3972 N-)E* 40V 50#A 1.!W

2N4001 S-N 100V 1A 15W 40MHz

2N4033 S-P !0V 1A 0.!W 150MHz

2N4036 S-P 90V 1A 1W 60MHz2N409 GE-P 13V 15#A !0#W 6.!MHz


73/95


2N4126 S-P 25V 200#A H)

2N4220 N-)E* 30V 0.2A

2N4236 S-P !0V 3A 1W >3MHz

2N427 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>40

2N42! GE-P 30V 0.4A 0.15W B>60

2N42!6 S-N 30V 0.05A 0.25W

2N42!7 S-N 45V 0.1A 0.25W 40MHz

2N4291 S-P 40V 0.2A 0.25W 150MH

2N4302 N-)E* 30V 0.5#A 0.3W

2N4347 S-N 140V 5A 100W 0.!MHz

2N434! S-N 140V 10A 120W >0.2MHz

2N4351 N-)E* 30V 30#A 0.3W 140+Hz

2N4391 N-)E* 40V 50#A 30E ,"10V

2N4392 N-)E* 40V 25#A 60E ,"5V

2N4393 N-)E* 40V 5#A 100E ,"3V2N4401 S-N 60V 0.6A 200MHz

2N4403 S-P 40V 0.6A 200MHz

2N4416 N-)E* 30V 15#A VH)%,H)

2N4420 S-N 40V 0.2A 0.36W

2N4427 S-N 40V 0.4A 1W 175MHz

2N4906 S-P !0V 5A !7.5W >4MHz

2N4920 S-P !0V 1A 30W

2N4923 S-N !0V 1A 30W

2N503! S-N 150V 20A 140W 0.5'

2N5090 S-N 55V 0.4A 4W 5#A2N5109 S-N 40V 0.5A 2.5W 1.5GHz

2N5116 P-)E* 30V 5#A 150E ,"4V

2N5154 S-N 100V 2A 10W

2N5179 S-N 20V 50#A 0.2W >1GHz

2N5192 S-N !0V 4A 40W 2MHz

2N5240 S-N 375V 5A 100W >2MHz

2N529! S-N !0V 4A 36W >0.!MHz

2N530! N-/AR 40V 0.3A 0.4W B>7+

2N5320 S-N 100V 2A 10W A)SW*H

2N5322 S-P 100V 2A 10W A)SW*H

2N5401 S-P 160V 0.6A 0.31W

2N5416 S-P 350V 1A 10W 15MHz

2N5433 N-)E* 25V 0.4A 0.3W 7E

2N5457 N-)E* 25V 1#A ,"6V

2N545! N-)E* 25V 2.9#A ,N

2N5460 P-)E* 40V 5#A ,"6V GEN.P

2N5461 P-)E* 40V 9#A 0.31W

2N5462 P-)E* 40V 16#A ,"9V GEN.

2N54!4 N-)E* 25V 5#A 0.31W2N54!5 P-)E* 25V 4#A ,"4V


74/95


2N5551 S-N 1!0V 0.6A 0.31W V/.

2N55!9 S-N 36V 0.6A 3W 175MHz

2N5639 N-)E* 30V 10#A 310#W

2N5672 S-N 150V 30A 140W 0.5'

2N56!0 S-P 120V 1A 1W

2N56!2 S-N 120V 1A 1W >30MHz

2N56!4 S-P !0V 50A 200W

2N56!6 S-N !0V 50A 300W >2MHz

2N5770 S-N 30V 0.05A 0.7W >900MHz

2N5771 S-P 15V 50#A 625#W >!50MHz

2N5!76 S-P !0V 10A 150W >4MHz

2N5!7! S-N !0V 10A 150W >4MHz

2N5!79 S-N 60V 10A 150W >4MHz

2N5!!4 S-P !0V 25A 200W A)P(WSW

2N5!!6 S-N !0V 25A 200W >4MHz2N6031 S-P 140V 16A 200W 1MHz

2N6050 P-/AR/ 60V 12A 100W

2N6059 S-N 100V 12A 150W

2N60!3 S-N 36V 5A PQ30W 175MHz

2N609! S-N 70V 10A 75W A)P(WSW*H

2N6099 S-N 70V 10A 75W A)P(WSW*H

2N6109 S-P 60V 7A 40W 10MHz

2N6124 S-P 45V 4A 40W

2N6211 S-P 275V 2A 20W 20MHz

2N6213 S-P 400V 2A 35W >20MHz2N624! S-P 110V 15A 125W >6MHz

2N62!4 N-/AR 100V 20A 160W B>75

2N62!7 P-/AR 100V 20A 160W

2N6292 S-N !0V 7A 40W

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2N6422 S-P 500V 2A 35W >10MHz

2N6427 N-/AR 40V 0.5A 0.625W

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2N6491 S-P 90V 15A 30W

2N6517 S-N 350V 0.5A 0.625W >40

2N6520 S-P 350V 0.5A 0.625W >40

2N6547 S-N !50%400V 15A 175W

2N6556 S-P 100V 1A 10W >75MHz

2N6609 S-P 160V 16A 150W 2MHz

2N6660 N-)E* 60V 2A 6.25W 3E

2N6661 N-)E* 90V 2A 6.2W 4E

2N6675 S-N 400V 15A

2N667! S-N 400V 15A2N6716 S-N 60V 2A 2W 50MHz


75/95


2N671! S-N 100V 2A 2W 50MHz

2N6725 N-/AR 60V 2A 1W B>15+

2N672! S-P 60V 2A 2W >50MHz

2N697 S-N 60V 1A 0.6W "50MHz

2N7002 N-)E* 60V 0.115A 0.2W 700E05

2N914 S-N 40V 0.5A SW "40%40NS

2N91! S-N 30V 50#A 0.2W 600MHz

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2SA1011 S-P 160V 1.5A 25W 120MHz

2SA1013 S-P 160V 1A 0.9W 50MHz

2SA1015 S-P 50V 0.15A 0.4W !0MHz

2SA1016 S-P 100V 0.05A 0.4W 110MHz

2SA1017 S-P 120V 50#A 0.5W 110MHz

2SA101! S-P 250V 70#A 0.75W >50MHz2SA1020 S-P 50V 2A 0.9W 100MHz

2SA1027 S-P 50V 0.2A 0.25W 100MHz

2SA1029 S-P 30V 0.1A 0.2W 2!0MHz

2SA1034 S-P 35V 50#A 0.2W 200MHz

2SA1037 S-P 50V 0.4A )R 140MHz

2SA104! S-P 50V 0.15A 0.2W !0MHz

2SA1049 S-P 120V 0.1A 0.2W 100MHz

2SA1061 S-P 100V 6A 70W 15MHz

2SA1062 S-N 120V 7A !0W 15MHz

2SA1065 S-P 150V 10A 120W 50MHz2SA10!4 S-P 90V 0.1A 0.4W 90MHz

2SA1103 S-P 100V 7A 70W 20MHz

2SA1106 S-P 140V 10A 100W 20MHz

2SA1110 S-P 120V 0.5A 5W 250MHz

2SA1111 S-P 150V 1A 20W 200MHz

2SA1112 S-P 1!0V 1A 20W 200MHz

2SA1115 S-P 50V 0.2A ,N 200MHz

2SA1120 S-P 35V 5A 170MHz

2SA1123 S-P 150V 50#A 0.75W 200MHz

2SA1124 S-P 150V 50#A 1W 200MHz

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2SA1141 S-P 115V 10A 100W 90MHz

2SA1142 S-P 1!0V 0.1A !W 1!0MHz

2SA1145 S-P 150V 50#A 0.!W 200MHz

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76/95


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2SA1200 S-P 150V 50#A 0.5W 120MHz

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2SA1207 S-P 1!0V 70#A 0.6W 150MHz

2SA120! S-P 1!0V 0.07A 0.9W

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2SA1221 S-P 160V 0.5A 1W 45MHz

2SA1225 S-P 160V 1.5A 15W 100MHz

2SA1227A S-P 140V 12A 120W 60MHz2SA1232 S-P 130V 10A 100W 60MHz

2SA1241 S-P 50V 2A 10W 100MHz

2SA1242 S-P 35V 5A 1W 170MHz

2SA1244 S-P 60V 5A 20W 60MHz

2SA1249 S-P 1!0V 1.5A 10W 120MHz

2SA1261 S-P 100V 10A 60W P(WER

2SA1262 S-P 60V 4A 30W 15MHz

2SA1264N S-P 120V !A !0W 30MHz

2SA1265N S-P 140V 10A 100W 30MHz

2SA1266 S-P 50V 0.15A 0.4W P(WER 2SA126! S-N 120V 0.1A 0.3W 100MHz

2SA1270 S-P 35V 0.5A 0.5W 200MHz

2SA1271 S-P 30V 0.!A 0.6W 120MHz

2SA1275 S-P 160V 1A 0.9W 20MHz

2SA12!2 S-P 20V 2A 0.9W !0MHz

2SA12!3 S-P 60V 1A 0.9W !5MHz

2SA12!6 S-P 30V 1.5A 0.9W 90MHz

2SA12!7 S-P 50V 1A 0.9W 90MHz

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2SA1293 S-P 100V 5A 30W 0.2'

2SA1294 S-P 230V 15A 130W

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2SA129! S-P 30V 0.!A 0.2W 120MHz

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2SA1306A S-P 1!0V 1.5A 20W 100MHz2SA1307 S-P 60V 5A 20W 0.1'


77/95


2SA1309 S-P 30V 0.1A 0.3W !0MHz

2SA1310 S-P 60V 0.1A 0.3W 200MHz

2SA1315 S-P !0V 2A 0.9W 0.2'

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2SA1317 S-P 60V 0.2A 0.3W 200MHz

2SA131! S-P 60V 0.2A 0.5W 200MHz

2SA1319 S-P 1!0V 0.7A 0.7W 120MHz

2SA1321 S-P 250V 50#A 0.9W 100MHz

2SA132! S-P 60V 12A 40W 0.3'

2SA1329 S-P !0V 12A 40W 0.3'

2SA1345 S-N 50V 0.1A 0.3W 250MHz

2SA1346 S-P 50V 0.1A 200MHz

2SA134! S-P 50V 0.1A 200MHz

2SA1349 P-ARRA !0V 0.1A 0.4W 170

2SA1352 S-P 200V 0.1A 5W 70MHz2SA1357 S-P 35V 5A 10W 170MHz

2SA135! S-P 120V 1A 10W 120MHz

2SA1359 S-P 40V 3A 10W 100MHz

2SA1360 S-P 150V 50#A 5W 200MHz

2SA1361 S-P 250V 50#A !0MHz

2SA1370 S-P 200V 0.1A 1W 150MHz

2SA1371E S-P 300V 0.1A 1W 150MHz

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2SA13!0 S-P 200V 0.1A 1.2W

2SA13!1 S-P 300V 0.1A 150MHz2SA13!2 S-P 120V 2A 0.9W 0.2'

2SA13!3 S-P 1!0V 0.1A 10W 1!0MHz

2SA13!6 S-P 160V 15A 130W 40MHz

2SA13!7 S-P 60V 5A 25W !0MHz

2SA1392 S-P 60V 0.2A 0.4W 200MHz

2SA1396 S-P 100V 10A 30W

2SA1399 S-P 55V 0.4A 0.9W 150MHz

2SA1400 S-P 400V 0.5A 10W

2SA1403 S-P !0V 0.5A 10W !00MHz

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2SA142! S-P 50V 2A 1W 100MHz

2SA1431 S-P 35V 5A 1W 170MHz

2SA1441 S-P 100V 5A 25W "300&'

2SA1443 S-P 100V 10A 30W

2SA1450 S-P 100V 0.5A 0.6W 120MHz

2SA1451 S-P 60V 12A 30W 70MHz2SA1460 S-P 60V 1A 1W "40NS


78/95


2SA1470 S-P !0V 7A 25W 100MHz

2SA1475 S-P 120V 0.4A 15W 500MHz

2SA1476 S-P 200V 0.2A 15W 400MHz

2SA1477 S-P 1!0V 0.14A 10W 150MHz

2SA14!! S-P 60V 4A 25W 15MHz

2SA14!9 S-P !0V 6A 60W 20MHz

2SA1490 S-P 120V !A !0W 20MHz

2SA1491 S-P 140V 10A 100W 20MHz

2SA1494 S-P 200V 17A 200W 20MHz

2SA1507 S-P 1!0V 1.5A 10W 120MHz

2SA1515 S-P 40V 1A 0.3W 150MHz

2SA1516 S-P 1!0V 12A 130W 25MHz

2SA1519 S-P 50V 0.5A 0.3W 200MHz

2SA1535A S-P 1!0V 1A 40W 200MHz

2SA153! S-P 120V 0.2A !W 400MHz2SA1539 S-P 120V 0.3A !W 400MHz

2SA1540 S-P 200V 0.1A 7W 300MHz

2SA1541 S-P 200V 0.2A 7W 300MHz

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2SA1566 S-N 120V 0.1A 0.15W 130MHz

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2SA156! S-P 60V 12A 40W

2SA1577 S-P 32V 0.5A 0.2W 200MHz

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2SA1615 S-P 30V 10A 15W 1!0MHz

2SA1624 S-P 300V 0.1A 0.5W 70MHz

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2SA1626 S-P 400V 2A 1W 0.5%2.7'

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2SA166! S-P 200V 2A 25W 20MHz

2SA1670 S-P !0V 6A 60W 20MHz

2SA1671 S-P 120%120V !A 75W 20MHz

2SA1672 S-P 140V 10A !0W 20MHz

2SA1673 S-P 1!0V 15A !5W 20MHz

2SA16!0 S-P 60V 2A 0.9W 100%400&'

2SA16!4 S-P 120V 1.5A 20W 150MHz

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2SA1695 S-P 140V 10A !0W 20MHz

2SA1703 S-P 30V 1.5A 1W 1!0MHz

2SA1706 S-P 60V 2A 1W2SA170! S-P 120V 1A 1W 120MHz


79/95


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2SA4!3 S-P 150V 1A 20W 9MHz

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2SA495 S-P 35V 0.1A 0.2W 200MHz

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2SA566 S-P 100V 0.7A 10W 100MHz

2SA60! S-N 40V 0.1A 0.1W 1!0MHz2SA614 S-P !0V 1A 15W 30MHz

2SA620 S-P 30V 0.05A 0.2W 120MHz

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2SA62! S-P 30V 0.1A 100MHz

2SA639 S-P 1!0V 50#A 025W

2SA642 S-P 30V 0.2A 0.25W 200MHz

2SA643 S-P 40V 0.5A 0.5W 1!0MHz

2SA653 S-P 150V 1A 15W 5MHz

2SA6!4 S-P 60V 1A 1W 200MHz

2SA699 S-P 40V 2A 10W 150MHz2SA70!A S-P 100V 0.7A 0.!W 50MHz

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2SA725 S-P 35V 0.1A 0.15W 100MHz

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2SA794 S-P 100V 0.5A 5W 120MHz

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80/95


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2SA!39 S-P 150V 1.5A 25W 6MHz

2SA!41 S-P 60V 0.05A 0.2W 140MHz

2SA!5! S-P 150V 50#A 0.5W 100MHz

2SA!72 S-P 90V 0.05A 0.2W 120MHz

2SA!72A S-P 120V 50#A 0.3W 120MHz

2SA!!4 S-P 65V 0.2A 0.27W 140MHz

2SA!!5 S-P 45V 1A 5W 200MHz

2SA!!6 S-P 50V 1.5A 1.2W

2SA!93 S-P 90V 50#A 0.3W

2SA900 S-P 1!V 1A 1.2W2SA914 S-P 150V 0.05A 200MHz

2SA915 S-P 120V 0.05A 0.!W !0MHz

2SA916 S-P 160V 0.05A 1W !0MHz

2SA921 S-P 120V 20#A 0.25W 200MHz

2SA933 S-P 50V 0.1A 0.3W

2SA934 S-P 40V 0.7A 0.75W

2SA935 S-P !0V 0.7A 0.75W 150MHz

2SA937 S-P 50V 0.1A 0.3W 140MHz

2SA940 S-P 150V 1.5A 25W 4MHz

2SA941 S-P 120V 0.05A 0.3W 150MHz2SA949 S-P 150V 50#A 0.!W 120MHz

2SA965 S-P 120V 0.!A 0.9W 120MHz

2SA966 S-P 30V 1.5A 0.9W 120MHz

2SA96! S-P 160V 1.5A 25W 100MHz

2SA970 S-P 120V 0.1A 100MHz

2SA9!2 S-P 140V !A !0W 20MHz

2SA9!4 S-P 60V 0.5A 0.5W 120MHz

2SA9!5 S-P 120V 1.5A 25W 1!0MHz

2SA9!! S-P 120V 0.05A 0.5W

2SA991 S-P 60V 0.1A 0.5W 90MHz

2SA992 S-P 100V 0.05A 0.2W

2SA995 S-P 100V 0.05A 0.4W 100MHz

2SB1009 S-P 40V 2A 10W 100MHz

2SB1010 S-P 40V 2A 0.75W 100MHz

2SB1012+ P-/AR 120V 1.5A !W

2SB1013 S-P 20V 2A 0.7W

2SB1015 S-P 60V 3A 25W 0.4'

2SB1016 S-P 100V 5A 30W 5MHz

2SB1017 S-P !0V 4A 25W 9MHz2SB101! S-P 100V 7A 30W 0.4'


81/95


2SB1020 P-/AR/ 100V 7A 30W 0.!'

2SB1023 P-/AR/ 60V 3A 20W B5+

2SB1035 S-P 30V 1A 0.9W 100MHz

2SB1039 S-P 100V 4A 40W 20MHz

2SB1050 S-P 30V 5A 1W 120MHz

2SB1055 S-P 120V 6A 70W 20MHz

2SB1065 S-P 60V 3A 10W

2SB1066 S-P 50V 3A 1W 70MHz

2SB106! S-P 20V 2A 0.75W 1!0MHz

2SB1071 S-P 40V 4A 25W 150MHz

2SB1077 P-/AR 60V 4A 40W B>1+

2SB10!6 S-P 160V 1.5A 20W 50MHz

2SB109! P-/AR/ 100V 5A 20W B!0

2SB1099 P-/AR/ 100V !A 25W B6+

2SB1100 P-/AR/ 100V 10A 30W B62SB1109 S-P 160V 0.1A 1.25W

2SB1109S S-P 160V 0.1A 1.25W

2SB1117 S-P 30V 3A 1W 2!0MHz

2SB1120 S-P 20V 2.5A 0.5W 250MHz

2SB1121* S-P 30V 2A 150MHz

2SB1123 S-P 60V 2A 0.5W 150MHz

2SB1132 S-P 40V 1A 0.5W 150MHz

2SB1133 S-P 60V 3A 25W 40MHz

2SB1134 S-P 60V 5A 25W 30W

2SB1135 S-P 60V 7A 30W 10MHz2SB1136 S-P 60V 12A 30W 10MHz

2SB1140 S-P 25V 5A 10W 320MHz

2SB1141 S-P 20V 1.2A 10W 150MHz

2SB1143 S-P 60V 4A 10W 140MHz

2SB1146 P-/AR 120V 6A 25W

2SB1149 P-/AR 100V 3A 15W B10+

2SB1151 S-P 60V 5A 20W

2SB1154 S-P 130V 10A 70W 30MHz

2SB1156 S-P 130V 20A 100W

2SB1162 S-P 160V 12A 120W

2SB1163 S-P 170V 15A 150W

2SB1166 S-P 60V !A 20W 130MHz

2SB116! S-P 120V 4A 20W 130MHz

2SB11!2 S-P 40V 2A 10W 100MHz

2SB11!4 S-P 60V 3A 15W 70MHz

2SB11!5 S-P 50V 3A 25W 70MHz

2SB11!6 S-P 120V 1.5A 20W 50MHz

2SB11!7 S-P !0V 3A 35W

2SB11!! S-P 40V 2A 100MHz2SB1202 S-P 60V 3A 15W 150MHz


82/95


2SB1203 S-P 60V 5A 20W 130MHz

2SB1204 S-P 60V !A 20W 130MHz

2SB1205 S-P 25V 5A 10W 320MHz

2SB1212 S-P 160V 1.5A 0.9W 50MHz

2SB1223 P-/AR/ 70V 4A 20W 20MHz

2SB1236 S-P 120V 1.5A 1W 50MHz

2SB1237 S-P 40V 1A 1W 150MHz

2SB123! S-P !0V 0.7A 1W 100MHz

2SB1240 S-P 40V 2A 1W 100MHz

2SB1243 S-P 60V 3A 1W

2SB1254 P-/AR 160V 7A 70W

2SB1255 P-/AR 160V !A 100W B>5+

2SB125! P-/AR/ 100V 6A 30W B>1+

2SB1274 S-P 60V 3A 30W 100MHz

2SB12!2 P-/AR/ 100V 4A 25W 50MHz2SB1292 S-P !0V 5A 30W

2SB1302 S-P 25V 5A 320MHz

2SB131! P-/AR/ 100V 3A 1W B>200

2SB1326 S-P 30V 5A 0.3W 120MHz

2SB1329 S-P 40V 1A 1.2W 150MHz

2SB1330 S-P 32V 0.7A 1.2W 100MHz

2SB1331 S-P 32V 2A 1.2W 100MHz

2SB1353E S-P 120V 1.5A 1.!W 50MHz

2SB1361 S-P 150V 9A 100W 15MHz

2SB1370 S-P 60V 3A 30W 15MHz2SB1373 S-P 160V 12A 2.5W 15MHz

2SB1375 S-P 60V 3A 25W 9MHz

2SB13!2 P-/AR/ 120V 16A 75W B>2

2SB1393 S-P 30V 3A 2W 30MHz

2SB1420 S-P 120V 16A !0W 50MHz

2SB1425 S-P 20V 2A 1W 90MHz

2SB1429 S-P 1!0V 15A 150W 10MHz

2SB1434 S-P 50V 2A 1W 110MHz

2SB146! S-P 60%30V 12A 25W

2SB1470 P-/AR 160V !A 150W B>5+

2SB1490 P-/AR 160V 7A 90W B>5+

2SB1493 P-/AR 160%140V 7A 70W 20

2SB1503 P-/AR 160V !A 120W B>5+

2SB1556 P-/AR 140V !A 120W B>5+

2SB1557 P-/AR 140V 7A 100W B>5+

2SB1559 P-/AR 160V !A !0W B>5+

2SB1560 P-/AR 160V 10A 100W 50MHz

2SB1565 S-P !0V 3A 25W 15MHz

2SB15!7 P-/AR/ 160V !A 70W B>5+ 2SB1624 P-/AR 110V 6A 60W B>5+


83/95


2SB206 GE-P !0V 30A !0W

2SB324 GE-P 32V 1A 0.25W

2SB337 GE-P 50V 7A 30W )-P(WER

2SB407 GE-P 30V 7A 30W

2SB4!1 GE-P 32V 1A 6W 15+Hz

2SB492 GE-P 25V 2A 6W

2SB511E S-P 35V 1.5A 10W !MHz

2SB524 S-P 60V 1.5A 10W 70MHz

2SB527 S-P 110V 0.!A 10W 70MHz

2SB531 S-P 90V 6A 50W !MHz

2SB536 S-P 130V 1.5A 20W 40MHz

2SB537 S-P 130V 1.5A 20W 60MHz

2SB541 S-P 110V !A !0W 9MHz

2SB544 S-P 25V 1A 0.9W 1!0MHz

2SB546A S-P 200V 2A 25W 5MHz2SB549 S-P 120V 0.!A 10W !0MHz

2SB557 S-P 120V !A !0W

2SB560 S-P 100V 0.7A 0.9W 100MHz

2SB561 S-P 25V 0.7A 0.5W

2SB564 S-P 30V 1A 0.!W

2SB59! S-P 25V 1A 0.5W 1!0MHz

2SB600 S-P 200V 15A 200W 4MHz

2SB601 P-/AR 100V 5A 30W

2SB605 S-P 60V 0.7A 0.!W 120MHz

2SB621 S-N 25V 1.5A 0.6W 200MHz2SB621A S-N 50V 1A 0.75W 200MHz

2SB631 S-P 100V 1A !W

2SB632 S-P 25V 2A 10W 100MHz

2SB633 S-P 100V 6A 40W 15MHz

2SB637 S-P 50V 0.1A 0.3W 200MHz

2SB641 S-P 30V 0.1A 120MHz

2SB647 S-P 120V 1A 0.9W 140MHz

2SB649A S-P 160V 1.5A 1W 140MHz

2SB656 S-P 160V 12A 125W 20MHz

2SB673 P-/AR/ 100V 7A 40W 0.!'

2SB676 P-/AR 100V 4A 30W 0.15'

2SB6!1 S-N 150V 12A 100W 13MHz

2SB6!! S-P 120V !A !0W 10MHz

2SB700 S-P 160V 12A 100W

2SB703 S-P 100V 4A 40W 1!MHz

2SB705 S-P 140V 10A 120W 17MHz

2SB707 S-P !0V 7A 40W P(WER

2SB709 S-P 45V 0.1A 0.2W !0MHz

2SB716 S-P 120V 0.05A 0.75W2SB720 S-P 200V 2A 25W 100MHz


84/95


2SB727 P-/AR/ 120V 6A 50W B>1+

2SB731 S-P 60V 1A 10W 75MHz

2SB733 S-P 20V 2A 1W >50MHz

2SB734 S-P 60V 1A 1W !0MHz

2SB739 S-P 20%16V 2A 0.9W !0MHz

2SB740 S-P 70V 1A 0.9W

2SB744 S-P 70V 3A 10W 45MHz

2SB750 P-/AR/ 60V 2A 35W B>100

2SB753 S-P 100V 7A 40W 0.4'

2SB764 S-P 60V 1A 0.9A 150MHz

2SB765 P-/AR/ 120V 3A 30W B>1+

2SB766 S-P 30V 1A 200MHz

2SB772 S-P 40V 3A 10W !0MHz

2SB774 S-P 30V 0.1A 0.4W 150MHz

2SB775 S-P 100V 6A 60W 13MHz2SB776 S-P 120V 7A 70W 15MHz

2SB7!! S-P 120V 0.02A 0.4W 150MHz

2SB791 P-/AR/ 120V !A 40W B>10

2SB794 P-/AR/ 60V 1.5A 10W B7

2SB795 P-/AR/ !0V 1.5A 10W B"3

2SB!0! S-P 20V 0.7A 0.25W 250MHz

2SB!10 S-P 30V 0.7A 0.35W 160MHz

2SB!15 S-P 20V 0.7A 0.25W 250MHz

2SB!16 S-P 150V !A !0W 15MHz

2SB!17 S-P 160V 12A 100W2SB!17) S-P 160V 12A 90W 15MHz

2SB!19 S-P 50V 1.5A 1W 150MHz

2SB!22 S-P 40V 2A 0.75W 100MHz

2SB!24 S-P 60V 5A 30W 30MHz

2SB!25 S-P 60V 7A 40W 10MHz

2SB!26 S-P 60V 12A 40W 10MHz

2SB!27 S-P 60V 7A !0W 10MHz

2SB!2! S-P 60V 12A !0W 10MHz

2SB!29 S-P 60V 15A 90W 20MHz

2SB!57 S-P 50V 4A 40W N)%S-

2SB!61 S-P 200V 2A 30W

2SB!63 S-P 140V 10A 100W 15MHz

2SB!65 P-/AR !0V 1.5A 0.9W

2SB!73 S-P 30V 5A 1W 120MHz

2SB!!2 P-/AR/ 70V 10A 40W B>5+

2SB!!3 P-/AR/ 70V 15A 70W B5+

2SB!!4 P-/AR 110V 3A 30W B4+

2SB!!5 P-/AR/ 110V 3A 35W B4+

2SB!91 S-P 40V 2A 5W 100MHz2SB!92 S-P 60V 2A 1W


85/95


2SB!95A P-/AR 60V 1A B!000

2SB!97 P-/AR/ 100V 10A !0W B>1

2SB90! P-/AR/ !0V 4A 15W 0.15'

2SB909 S-P 40V 1A 1W 150MHz

2SB922 S-P 120V 12A !0W 20MHz

2SB926 S-P 30V 2A 0.75W

2SB93!A P-/AR/ 60V 4A 40W B>1+

2SB940 S-P 200V 2A 35W 30MHz

2SB941 S-P 60V 3A 35W P(WER

2SB945 S-P 130V 5A 40W 30MHz

2SB946 S-P 130V 7A 40W 30MHz

2SB950A P-/AR/ !0V 4A 40W B>1+

2SB953A S-P 50V 7A 30W 150MHz

2SB955 P-/AR/ 120V 10A 50W B4

2SB975 P-/AR/ 100V !A 40W B>6+ 2SB976 S-P 27V 5A 0.75W 120MHz

2SB9!5 S-P 60V 3A 1W 150MHz

2SB9!6 S-P 60V 4A 10W 150MHz

2SB9!! S-P 60V 3A 30W "400%2200

2S1000 S-N 55V 0.1A 0.2W !0MHz

2S100! S-N !0V 0.7A 0.!W 75MHz

2S1012A S-N 250V 60#A 0.75W >!0MHz

2S1014 S-N 50V 1.5A 7W

2S1017 S-N 75V 1A 60#W 120MHz

2S1030 S-N 150V 6A 50W2S1046 S-N 1000V 3A 25W

2S1047 S-N 30V 20#A 0.4W 650MHz

2S1050 S-N 300V 1A 40W

2S1051 S-N 150V 7A 60W !MHz

2S1061 S-N 50V 3A 25W !MHzH106

2S1070 S-N 30V 20#A 900MHz

2S10!0 S-N 110V 12A 100W 4MHz

2S109 S-N 50V 0.6A 0.6W

2S1096 S-N 40V 3A 10W 60MHz

2S1106 S-N 350V 2A !0W

2S1114 S-N 300V 4A 100W 10MHz

2S1115 S-N 140V 10A 100W 10MHz

2S1116 S-N 1!0V 10A 100W 10MHz

2S1161 S-P 160V 12A 120W

2S1162 S-N 35V 1.5A 10W

2S1172 S-N 1500V 5A 50W

2S1195 S-N 200V 2.5A 100W

2S1213 S-N 50V 0.5A 0.4W ,N

2S1214 S-N 50V 0.5A 0.6W 50MHz2S1215 S-N 30V 50#A 0.4W 1.2GH


86/95


2S1216 S-N 40V 0.2A 0.3W "20%40

2S1226 S-N 40%50V 2A 10W 150MHz

2S123! S-N 35V 0.15A 5W 1.7GHz

2S1247A S-N 50V 0.5A 0.4W 60MHz

2S130! S-N 1500V 7A 50W

2S1312 S-N 35V 0.1A 0.15W 100MHz

2S131! S-N 60V 0.5A 0.6W 200MHz

2S1343 S-N 150V 10A 100W 14MHz

2S1345 S-N 55V 0.1A 0.1W 230MHz

2S1359 S-N 30V 30#A 0.4W 250MHz

2S1360 S-N 50V 0.05A 1W >300MHz

2S1362 S-N 50V 0.2A 0.25W 140MHz

2S136! S-N 25V 1.5A !W 1!0MHz

2S13!2 S-N !0V 0.75A 5W 100MHz

2S13!4 S-N 60V 1A 1W 200MHz2S1393 S-N 30V 20#A 250#W 700MHz

2S139! S-N 70V 2A 15W

2S1413A S-N 1200V 5A 50W

2S1419 S-N 50V 2A 20W 5MHz

2S1426 S-N 35V 0.2A 2.7GHz

2S1431 S-N 110V 2A 23W !0MHz

2S1432 N-/AR 30V 0.3A 0.3W B40

2S1439 S-N 150V 50#A 0.5W 130MHz

2S1445 S-N 100V 6A 40W 10MHz

2S1446 S-N 300V 0.1A 10W 55MHz2S1447 S-N 300V 0.15A 20W !0MHz

2S144! S-N 150V 1.5A 25W 3MHz

2S1449 S-N 40V 2A 5W 60MHz

2S1450 S-N 150V 0.4A 20W

2S1454 S-N 300V 4A 50W 10MHz

2S1474-4 S-N 20V 2A 0.75W !0MHz

2S1501 S-N 300V 0.1A 10W 55MHz

2S1505 S-N 300V 0.2A 15W

2S1507 S-N 300V 0.2A 15W !0MHz

2S1509 S-N !0V 0.5A 1W 120MHz

2S1515 S-N 200V 0.05A 0.2W 110MHz

2S1520 S-N 300V 0.2A 125W

2S1545 N-/AR 40V 0.3A 0.3W B1+

2S1567 S-N 100V 0.5A 5W 120MHz

2S1570 S-N 55V 0.1A 0.2W 100MHz

2S1571 S-N 40V 0.1A 0.2W 100MHz

2S1573 S-N 200V 0.1A 1W !0MHz

2S1577 S-N 500V !A !0W 7MHz

2S15!3 S-N 50V 0.1A 0.4W 100MHz2S1619 S-N 100V 6A 50W 10MHz


87/95


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2S1624 S-N 120V 1A 15W 30MHz

2S1627 S-N !0V 0.4A 0.!W 100MHz

2S1674 S-N 30V .02A 600M R)%)

2S1675 S-N 50V .03A 0.25W

2S167! S-N 65V 3A 3W

2S16!5 S-N 60V 0.1A 150M ,N

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2S170!A S-N 120V 50#A 0.2W 150MHz

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2S1730 S-N 30V 0.05A ,H) 1.1GHz

2S1740 S-N 40V 100#A 0.3W

2S1741 S-N 40V 0.5A 0.3W 250MHz

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2S1760 S-N 100V 1A 7.9W !0MHz2S1775A S-N 120V 0.05A 0.2W ,N

2S17!1 S-N 50V 0.5A 0.35W

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2S1!15B S-N 60V 0.15A 0.4W B>350

2S1!15GR S-N 60V 0.15A 0.4W B>200

2S1!15 S-N 60V 0.15A 0.4W B>120

2S1!27 S-N 100V 4A 30W 10MHz

2S1!32 N-/AR 500V 15A 150W B>10

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2S1!44 S-N 60V 0.1A 0.5W 100MHz2S1!45 S-N 120V 0.05A 0.5W

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2S1945 S-N !0V 6A 20W2S1946A S-N 35V 7A 50W


88/95


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2S1959 S-N 30V 0.5A 0.5W 200MHz

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2S1972 S-N 35V 3.5A 25W

2S1975 S-N 120V 2A 3.!W 50MHz

2S19!0 S-N 120V 20#A 0.25W 200MHz

2S19!4 S-N 100V 3A 30W B700

2S19!5 S-N !0V 6A 40W 10MHz

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89/95


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2S2275 S-N 120V 1.5A 25W 200MHz

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2S230! S-N 55V 0.1A 0.2W 230MHz

2S2310 S-N 55V 0.1A 0.2W 230MHz

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2S2320 S-N 50V 02A 03W2S2329 S-N 3!V 0.75A 2W 175MHz

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90/95


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2S2625 S-N 450V 10A !0W

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2S2653 S-N 350V 0.2A 15W >50MHz2S

guia de estudio electrónica ii

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