ficha técnica de transistores
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FICHA TÉCNICA DE TRANSISTORES
Detalles de Transistores
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UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUPCURSO: FÍSICA ELECTRÓNICAESTUDIANTE: CRISTIAN ALONSO
PERALTA GUZMÁNSEDE: TRUJILLO
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Transistor JEFT Número de Parte: BC548 Material: Si Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc):
0.5 Tensión colector-base (Ucb): 30 Tensión colector-emisor (Uce): 30 Tensión emisor-base (Ueb): 5 Corriente del colector DC máxima (Ic):
0.1 Temperatura operativa máxima (Tj),
°C: 150
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia —
ancho de banda (ft): 300 Capacitancia de salida (Cc), pF: 6 Ganancia de corriente contínua (hfe):
110 Empaquetado / Estuche: TO92
Fuente: http://www.goldmine-elec-products.com/prodinfo.asp?number=G15045
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TRANSISTOR JEFT
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TRANSISTOR MOFET Número de Parte: IRF840 Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd):
125 Tensión drenaje-fuente (Uds): 500 Tensión compuerta-fuente (Ugs):
20 Corriente continua de drenaje (Id):
8 Temperatura operativa máxima
(Tj), °C: 150 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Tiempo de elevación (tr): Conductancia de drenaje-sustrato
(Cd), pF: 1500 Resistencia drenaje-fuente RDS
(on), Ohm: 0.85 Empaquetado / Estuche: TO220
http://www.electronicrepairguide.com/mosfet-testing.html
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TRANSISTOR MOFET
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TRANSISTOR IGBT Número de Parte: RJH60F5DPK Polaridad de transistor: N-
Channel ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo
(Pc): Tensión colector-emisor (Uce):
600V Voltaje de saturación colector-
emisor (Ucesat): 1.37V Tensión emisor-compuerta
(Ueg): Corriente del colector DC
máxima (Ic): 80A Temperatura operativa máxima
(Tj), °C: Tiempo de elevación: 85 Capacitancia de salida (Cc), pF: Empaquetado / Estuche: TO3P
http://http://www.tme.eu/en/katalog/igbt-transistors_112840/
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TRANSISTOR IGBT
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TRANSISTOR TDT Número de Parte: IRFP064N Tipo de TDET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo
(Pd): 200 Tensión drenaje-fuente (Uds): 55 Tensión compuerta-fuente (Ugs):
20 Corriente continua de drenaje (Id):
110 Temperatura operativa máxima
(Tj), °C: 175 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Tiempo de elevación (tr): Conductancia de drenaje-sustrato
(Cd), pF: 4000 Resistencia drenaje-fuente RDS
(on), Ohm: 0.008 Empaquetado / Estuche: TO247
httphttp://www.ebay.com/itm/2SA1012-TRANSISTOR-A1012-2SA-1012-TO-220-/321448250761
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TRANSISTOR TDT
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TRANSISTOR DE POTENCIA Número de Parte: 2N222 POTENCIA Material: Ge Polaridad de transistor: PNP ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc):
0.07 Tensión colector-base (Ucb): 15 Tensión colector-emisor (Uce): 12 Tensión emisor-base (Ueb): 0 Corriente del colector DC máxima
(Ic): 0.07 Temperatura operativa máxima (Tj),
°C: 85 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia —
ancho de banda (ft): 0.4 Capacitancia de salida (Cc), pF: 70 Ganancia de corriente contínua
(hfe): 20 Empaquetado / Estuche: TO1
http://david-electronica-itca.blogspot.com/p/componentes-de-la-electronica.html
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TRANSISTOR DE POTENCIA
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FUENTEhttp://
www.microelectronicash.com/http://www.ifent.org/lecciones/
zener/default.asphttp://www.neoteo.com/
midiendo-diodos-y-transistores-15335