Experiencia : N° 1Tema : Polarización y zonas de operación del BJT.Objetivos :

Comprobar el principio de funcionamiento de los transistores.

Demostrar que Ic depende de Ib en la zona activa del transistor.

Observar el comportamiento del transistor en las zonas de corte y saturación.

Medir el punto Q de operación del transistor. Comprobar la importancia de Re para la estabilidad

del transistor. Concluir , elaborando informe experimental.

1.- Instrumentos , componentes y materiales :

1.- Tester.2.- Fuentes DC.1.- Transistor 2N2222.1.- Diodo LED rojo.1.- Protoboard.1.- Resistencia de 100 .1.- Resistencia de 470 1.- Resistencia de 1 K.2.- Resistencia de 10 K.1.- Resistencia de 150 K.1.- Alicates de punta y cortante.Terminales y alambres de conexión.

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2.- Circuito Experimental :

Circuito experimental N° 1

Circuito experimental N° 2

2

Circuito Experimental N° 3

3.- Procedimiento Experimental :

a) Realice el montaje del circuito experimental N° 1 , en el protoboard.b) Ajuste la tensión VBB (entre 0 Volt y 10 Volt ) y con el multitester mida los

voltajes entre colector y emisor ( VCE ) ; el voltaje en la resistencia Rb ; el voltaje en la resistencia Rc ; la corriente en el colector IC (observe la intensidad luminosa del diodo Led). Tabule las mediciones en la siguiente tabla :

VBB VRC

[Volt]

VRB

[volt]

VCE

[Volt]

IC

[mA]

0 Volt

1 Volt

2 Volt

3 Volt

4 Volt

5 Volt

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c) Con los valores de la tabla anterior . Determine el estado o zona en que está trabajando el transistor (activa, saturación o corte). Justifique.

d) Con los valores de la zona activa de la tabla N° 1, Determine el valor de la relación Ic / Ib, ¿ A qué parámetro del transistor corresponde dicho valor?. ¿ Cómo es esta relación en cada caso?

e) Explique la variación de valores de la tabla N°1 con el sólo hecho de calentar el transistor con el cautín

d) Ajuste la tensión VBB , de manera de tener el voltaje en la resistencia Rc un valor de 1 volt. Varie Vcc a un valor de 12 volt y anote el nuevo valor del voltaje en la resistencia Rc.

e) Acerque el cautín caliente al transistor por un período de tiempo de 3 segundos y con el multitester mida los voltajes entre colector y emisor VCE ; el voltaje en la resistencia Rc y observe la intensidad luminosa del diodo led. Anote las mediciones logradas.

f) Realice el montaje del circuito experimental N° 2 , en el protoboard.g) Ajuste el voltaje VBB (entre 0 Volt y 12 volt). Con el multitester mida los

voltajes entre colector y emisor VCE ; el voltaje en la resistencia Rb ; el voltaje en la resistencia Rc ; el voltaje en la resistencia Re ; la corriente en el colector IC (observe la intensidad luminosa del diodo led) . Tabule los datos medidos en la siguiente tabla.

VBB VRC

[Volt]

VRB

[Volt]

VRE

[Volt]

VCE

[Volt]

IC

[mA]

0 Volt

1 Volt

2 Volt

3 Volt

4 Volt

5 Volt

h) Repita los pasos c) y d) para el circuito experimental N° 2.,Anote los valores medidos.

i) Explique la razón de las diferencias tan pequeñas de valores en la tabla N° 2 al calentar el transistor con el cautín.

j) Realice en el protoboard , el montaje del circuito N° 3,k) Mida los valores de IB , VRC , VRE , VBE y VCE.

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l) Con los valores medidos , calcule el punto de operación Q del transistor : VBE , VCE , IB .Con los valores medidos , indicar la zona de trabajo del transistor. Considere : Ic = VRc/ Rc e Ie = Vre / Re.

m) Compare los valores teóricos utilizando el HFE dado por el manual para el circuito experimental N° 3 y compárelo con los valores obtenidos con el multitester.

4.-. Cuestionario :

a) ¿ Cómo se puede verificar el tipo de transistor utilizando un multitester ?b) ¿ Cómo se puede verificar el estado del transistor utilizando un multitester?c) ¿ Cómo se pueden reconocer los terminales de un transistor ?d) ¿ Cómo se puede calcular la corriente de base de un transistor si es

conocida la corriente de colector ?e) ¿ De qué depende la corriente de colector ?f) ¿ Cuáles son las zonas de trabajo del transistor ?g) ¿ Cómo se debe polarizar un transistor ?h) ¿ El parámetro HFE varía con la temperatura ?i) ¿ Qué entiende por estabilidad térmica en el transistor ?j) ¿ Cómo se puede mejorar la estabilidad térmica del transistor ?

5.- Exigencias del informe :

Desarrolle íntegramente el PROTOCOLO DE INFORMES DE LABORATORIO.

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