etapas de amplificacion mosfet
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El documento muestra una reseña importante de como crear etapas de amplificacion con mosfetTRANSCRIPT
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a) ETAPA I
Para la primer etapa de amplificación de la señal se empleo un diseño en lazo abierto para obtener una ganancia Av=15. La gráfica y los valores obtenidos se presentan a continuación.
Para este diseño se asumió Rc= 2k, ya con este valor dado y suponiendo que la ganancia de voltaje es de
Av=Rcre
Despejamos re y obtenemos un valor re de 133Ω.
Despejamos la corriente de polarización de la siguiente fórmula;
re=V tI p
Y obtenemos que la corriente de polarización es de;
I p=188uA
Para ayudar a que toda la corriente que sale de la señal pase directo a base se determino R1 y R2 de la siguiente manera.
R1=12v−6.325V187uA
=330KΩ
R2=6.325V187uA
=390KΩ
b) ETAPA II
Para la segunda etapa se diseño un circuito que nos bridara una ganancia Av=10, mediante lazo abierto, la gráfica y los resultados se presentan a continuación.
Se supuso la resistencia de colector con un valor de 5.6KΩ y mediante la fórmula de ganancia de voltaje en lazo abierto se obtuvo la resistencia de emisor.
Av=Rcℜ
RE=560Ω
Como se necesita que la toda la corriente que viene de la anterior etapa siga por la base de esta etapa de amplificación se determinaron R1 y R2 de la siguiente manera;
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R1=10v−1.3v0.1mA
=82KΩ
R2=1.3v0.1mA
=13KΩ
c) ETAPA III
Esta última etapa es el acoplador de las ganancias anterior con el speaker. La dificultad de este acople, es que necesitamos que la impedancia de salida de este acoplador sea menor a 8Ω, que es la impedancia del speaker.
Debido a que con transistores BJT no se puede obtener esta impedancia de salida a no ser de que se utilicen varios transistores en configuración seguidor-emisor.
Para solucionar este problema procedimos a poner dos transistores BJT en configuración Darlington. La ventaja de usar esta configuración es que poseemos un Beta de los transistores alto ya que se multiplican ambos Betas. Las gráficas y el diseño se presentan a continuación.
Para que la corriente que viene de las etapas anteriores siga por los transistores R1 y R2 deben ser altas y se supusieron.
R1=560KΩR2=1MΩ