etapas de amplificacion mosfet

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a) ETAPA I Para la primer etapa de amplificación de la señal se empleo un diseño en lazo abierto para obtener una ganancia Av=15. La gráfica y los valores obtenidos se presentan a continuación. Para este diseño se asumió Rc= 2k, ya con este valor dado y suponiendo que la ganancia de voltaje es de Av = R c r e Despejamos re y obtenemos un valor re de 133Ω. Despejamos la corriente de polarización de la siguiente fórmula; r e = V t I p Y obtenemos que la corriente de polarización es de; I p =188 uA Para ayudar a que toda la corriente que sale de la señal pase directo a base se determino R1 y R2 de la siguiente manera. R 1 = 12 v6.325 V 187 uA =330 KΩ R 2 = 6.325 V 187 uA =390 KΩ b) ETAPA II Para la segunda etapa se diseño un circuito que nos bridara una ganancia Av=10, mediante lazo abierto, la gráfica y los resultados se presentan a continuación.

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El documento muestra una reseña importante de como crear etapas de amplificacion con mosfet

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Page 1: Etapas de Amplificacion Mosfet

a) ETAPA I

Para la primer etapa de amplificación de la señal se empleo un diseño en lazo abierto para obtener una ganancia Av=15. La gráfica y los valores obtenidos se presentan a continuación.

Para este diseño se asumió Rc= 2k, ya con este valor dado y suponiendo que la ganancia de voltaje es de

Av=Rcre

Despejamos re y obtenemos un valor re de 133Ω.

Despejamos la corriente de polarización de la siguiente fórmula;

re=V tI p

Y obtenemos que la corriente de polarización es de;

I p=188uA

Para ayudar a que toda la corriente que sale de la señal pase directo a base se determino R1 y R2 de la siguiente manera.

R1=12v−6.325V187uA

=330KΩ

R2=6.325V187uA

=390KΩ

b) ETAPA II

Para la segunda etapa se diseño un circuito que nos bridara una ganancia Av=10, mediante lazo abierto, la gráfica y los resultados se presentan a continuación.

Se supuso la resistencia de colector con un valor de 5.6KΩ y mediante la fórmula de ganancia de voltaje en lazo abierto se obtuvo la resistencia de emisor.

Av=Rcℜ

RE=560Ω

Como se necesita que la toda la corriente que viene de la anterior etapa siga por la base de esta etapa de amplificación se determinaron R1 y R2 de la siguiente manera;

Page 2: Etapas de Amplificacion Mosfet

R1=10v−1.3v0.1mA

=82KΩ

R2=1.3v0.1mA

=13KΩ

c) ETAPA III

Esta última etapa es el acoplador de las ganancias anterior con el speaker. La dificultad de este acople, es que necesitamos que la impedancia de salida de este acoplador sea menor a 8Ω, que es la impedancia del speaker.

Debido a que con transistores BJT no se puede obtener esta impedancia de salida a no ser de que se utilicen varios transistores en configuración seguidor-emisor.

Para solucionar este problema procedimos a poner dos transistores BJT en configuración Darlington. La ventaja de usar esta configuración es que poseemos un Beta de los transistores alto ya que se multiplican ambos Betas. Las gráficas y el diseño se presentan a continuación.

Para que la corriente que viene de las etapas anteriores siga por los transistores R1 y R2 deben ser altas y se supusieron.

R1=560KΩR2=1MΩ