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ELECTRÓNICA LINEAL2° Semestre

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• En esta página sólo se publican las experiencias de Laboratorio, presentaciones y apuntes.

• Las notas se publican en el “Fichero”

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BIBLIOGRAFÍA

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• ELECTRÓNICA: Teoría de Circuitos – Boylestad

• Amplificadores Operacionales y Circuitos Integrados Lineales Coughlin & Driscoll

• Dispositivos Electrónicos – Thomas Floyd

• Electrónica – Allan Hambley

• Power Supply Coobook – Marty Brown

• Simplified Design of Switching Power Supplies

• Circuitos Microelectrónicos Análisis y Diseño - Rashid …………Filtros, Osciladores,

CMOS

• Análisis Introductorio de Circuitos – Boylestad (últimos capítulos)

• Principios de Electrónica - Malvino

• Circuitos Electrónicos – Discretos e Integrados – Schilling & Belove

• Design Active Filter – Howard Berlin

• Active Filter Cookbook – Don Lancaster

• Aplicaciones del CI 555

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UNIDADES TEMÁTICAS:

1 Fuentes de alimentación.• Introducción• Consideraciones generales de los filtros.• Regulación de tensión y corriente en forma discreta: Circuitos típicos serie y paralelo.• Regulación de tensión y corriente con circuitos integrados.• Circuitos de protección.• Fuentes conmutadas: Principios, tipos, características y circuitos típicos.

2 Amplificación de audio potencia.• Características básicas.• Clasificación de los amplificadores.• Amplificación con componentes discretos: clases, configuraciones y características.• Amplificadores de Audio Potencia integrados.

• Disipación de Potencia Térmica

3 Amplificadores de RF sintonizados.• Características generales de los Amplificadores de Radiofrecuencia.• Amplificadores sintonizados en clase A.• Amplificadores en cascada y adaptación de Impedancias entre etapas

4 Osciladores senoidales.• Concepto de realimentación positiva. Criterio de Barckhausen.• Osciladores básicos: clasificación y tipos.• Características fundamentales: forma de onda, potencia de salida, estabilidad de frecuencia.• Osciladores controlados por tensión.•

5 Filtros activos.• Introducción• Filtros Básicos: Pasa Bajos, Pasa Altos, Pasa Banda, Rechazo de Banda.• Filtros activos de primer y segundo orden.• Introducción al filtro Butterworth.

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EVALUACIÓN DEL SEGUNDO SEMESTRE:La nota del segundo semestre vale un 50%, el otro 50% corresponde a las notas obtenidas durante el primer semestre.

La asignatura es Teórica-Práctica, por lo que lleva “una sola nota”.3 Certámenes: 26 de octubre, 30 de noviembre y 28 de diciembre. Estas fechas no se cambiarán.Se tomará un certamen corto (quiz) en cada clase y el promedio equivale a una nota másEntrega de trabajo de investigación de Laboratorio: 6 de enero(5 notas con ponderación 20% cada una)

El alumno tendrá 5 notas (ver ponderación en la tabla a continuación)La nota MÍNIMA de Teoría o Laboratorio del año completo es un 50%, si obtiene menos de un 50%, en teoría o laboratorio, esa nota inferior a 50% será la nota finalSe debe entrar al laboratorio con el diseño hecho y con los materiales pedidos con anticipación. La primera hora de laboratorio no se atenderá en pañolEl alumno NO tendrá la obligación de entregar Informes pero tendrá un cuaderno de Laboratorio, donde deberá registrar todos los cálculos teóricos de la experiencia, si no presenta estos cálculos NO PODRÁ ENTRAR AL LABORATORIO.Además se deberá registrar en el cuaderno todo lo realizado en el Laboratorio, lo que se revisará en la clase siguiente.

ELECTRÓNICA LINEAL - 2° semestre

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CALENDARIO DE CERTAMENES

Certamen N° 3 26 octubre

Certamen N° 4 30 noviembre

Certamen N° 5 28 diciembre

Trabajo de Lab. 6 enero

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EXPERIENCIAS DE LABORATORIO

1 Polarización de un JFET canal N

2 Polarización de un MOSFET canal N

3 Fuentes Reguladas Discretas e Integradas

4 Fuentes Switching

5 Amplificadores de Audio Potencia

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Amplificador Sintonizado

Osciladores Senoidales

8 Filtros Activos

Trabajo de Investigación de laboratorio sobre

Fuentes Switching

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JFET Y MOSFET

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TAREA 1

Investigar (buscar información)

MOSFET

• Tipos y Simbología• MOSFET acumulación canal n

Principios de funcionamientoCurvas característicasZona de SaturaciónZona ÓhmicaMOSFET Acumulación

• MOSFET deplexión canal nPrincipios de FuncionamientoCurvas Características

•Comparar con MOSFET del tipo Decremental e Incremental

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TAREA 2

Preparar la simulación de la polarización de un JFET (fija, autopolarización y

por divisor resistivo de gate)

Preparar la simulación de la polarización de un MOSFET (fija,

autopolarización y por divisor resistivo de gate)

Preparar la simulación de un circuito MOSFET trabajando como interruptor

(entre corte y saturación), con carga resistiva.

Preparar la simulación de un circuito MOSFET trabajando como amplificador

(zona lineal), con carga resistiva

Preparar la simulación de una aplicación utilizando un circuito MOSFET

trabajando como interruptor (entre corte y saturación).

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p

gs

DDV

VII

SS

Curva de Transferencia de un JFET

Ecuación de Shockley

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Curva de Transferencia de un MOSFET de tipo Decremental

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1

p

gs

DDV

VII

SS

Ecuación de Shockley

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Curva de Transferencia de un MOSFET de tipo Incremental

2)(ThGSGSD VVKI

Lo primero que hay que tener claro es que el MOSFET de tipo incremental de canal n

cuando:

VGS < VGS(Th) (tensión de umbral) la ID = 0A, pero si

VGS > VGS(Th) la ID se definirá mediante:

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Curva de Transferencia de un MOSFET de tipo Incremental

2)()(

)(

ThGSencendidoGS

encendidoD

VV

IK

El término K es una constanteque, a su vez, está en funciónDe la fabricación del dispositivoEl valor de K se puede calcular apartir de la siguiente ecuación, dondeID(encendido) y VGS(encendido) son los valorespara cada uno en un punto enparticular sobre las características delDispositivo.

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JFET con Polarización Fija

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JFET con Autopolarización

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JFET con polarización por divisor de voltaje

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JFET de Compuerta Común

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JFET con VGSQ=0(v)

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JFET(RD=0 )

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MOSFET de tipo decremental con polarización fija

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MOSFET de tipo decremental con polarización por divisor de voltaje

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MOSFET de tipo incremental con configuración por realimentación

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MOSFET de tipo incremental con polarización por divisor de voltaje

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Buscar los data sheet

• 2N5555 ; J110

• IRF640 ; MTP10N

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