TTécnicas experimentales para la écnicas experimentales para la medida de la corriente, energía y medida de la corriente, energía y potencia consumida por un CI potencia consumida por un CI CMOS.CMOS.
Alejandro Peidro Palanca
Director: Josep Rius Vázquez
Noviembre 2001
SumarioSumario
Motivación y objetivos Métodos de medida Diseño y construcción de la placa de
medida Circuitos analizados Montaje experimental Resultados experimentales Conclusiones
MotivaciónMotivación
Importancia de la medida del consumo de CI CMOS
Existencia de varios métodos experimentales de medida
Necesidad de establecer un criterio objetivo que justifique la elección de cada método
ObjetivosObjetivos
Obtener el consumo de dos CI mediante los diferentes métodos de medida
Comparación de los resultados obtenidos para poder evaluar la bonanza de los métodos
SumarioSumario
Motivación y objetivos Métodos de medida Diseño y construcción de la placa de
medida Circuitos analizados Montaje experimental Resultados experimentales Conclusiones
Métodos de medidaMétodos de medida
Determinación de iDD(t) Dificultad de medir la corriente consumida por un CI CMOS
Medida del consumo para periodos largos– Método del amperímetro
Medida del consumo para periodos cortos– Método de la resistencia– Método del condensador– Método de la sonda de corriente
Método del amperímetroMétodo del amperímetro
Medida del valor medio P = VVDD . IDD
Método fiable y simple de lectura directa
Pequeña perturbación Imposibilidad de
determinar el consumo en una transición simple de las entradas
Método de la resistenciaMétodo de la resistencia Medida de la caída de tensión media
con un osciloscopio .
Perturbación controlada Es posible determinar el consumo
asociado a una transición en las entradas
Calibración correcta de R Efecto de los diodos de protección,
capacidades internas y de desacoplo
22
DDDD
DD
V
V
V
V
R
VP
Método del condensadorMétodo del condensador
Medida de la tensión VVDD con un osciloscopio
.
Perturbación controlada Es posible determinar el consumo
asociado a una transición en las entradas
Calibración correcta de CDD
Efecto diodos de protección, EMI, inyección de carga
2
2 221
DDDD
DDDD VV
VV
VCE
Método de la sonda de corrienteMétodo de la sonda de corriente
Adquisición de la componente transitoria de la corriente
Insensibilidad de la componente DC y bajas frecuencias
SumarioSumario
Motivación y objetivos Métodos de medida Diseño y construcción de la placa de
medida Circuitos analizados Montaje experimental Resultados experimentales Conclusiones
Diseño y construcción de la placa Diseño y construcción de la placa de medidade medida
MÓDULO INTERMEDIO
MÓDULODE TENSIÓN
MÓDULO DECONTROL
MÓDULOSELECTOR
+12V
Control
Interruptor
RESET
C. EXT.
INT.
Medida
Consumo
+12 V
-12 V
+5 V
Placa de medida: Módulo Placa de medida: Módulo ControlControl
MICROCONTROLADOR
PIC16C711
MICROINTERR.
CONTROL_PMOS
CONTROL_TG
CONTROL INY_TG
CONTROL EXT.
OSC.
RESET
Vvdd
TOFF
CONTROL_PMOS
CONTROL_TG
CONTROL_INY_TG
1
TREP
3
Control del interruptor en función de los microinterruptores y del control externo para el método del condensador
TMED
2
Placa de medida: Módulo Placa de medida: Módulo ControlControl Esquema Toff (us) Tmed (us) T rep (us)
INTERRUPTOR 0
INTERRUPTOR 1
INTERRUPTOR 2
INTERRUPTOR 3
INTERRUPTOR 4 4 80 6INTERRUPTOR 5 6 90 8INTERRUPTOR 6 6 100 8INTERRUPTOR 7 8 110 10INTERRUPTOR 8 8 120 10INTERRUPTOR 9 10 130 12
INTERRUPTOR 10 10 140 12INTERRUPTOR 11 12 150 14INTERRUPTOR 12 12 160 14INTERRUPTOR 13 14 170 16
INTERRUPTOR 14
INTERRUPTOR 15SE UTILIZA PARA SINCRONIZAR EL INTERRUPTOR CON EL MULTIPLICADOR PARA EL MÉTODO DEL
CONDENSADOR
SE UTILIZA PARA SINCRONIZAR EL INTERRUPTOR CON EL ARM7TDMI PARA EL MÉTODO DEL
CONDENSADOR (CDD=2 uF)
INTERRUPTOR CERRADO
SE UTILIZA PARA SINCRONIZAR EL INTERRUPTOR CON EL ARM7TDMI PARA EL MÉTODO DEL
CONDENSADOR (CDD=15 uF)
SE UTILIZA PARA MEDIR EL VALOR DEL
CONDENSADOR USADO CON EL ARM7TDMI (CDD)
PARA EL MÉTODO DEL CONDENSADOR
SE UTILIZA PARA MEDIR EL VALOR DEL CONDENSADOR USADO CON EL MULTIPLICADOR
(CDD) PARA EL MÉTODO DEL CONDENSADOR, Y
PARA OTROS EXPERIMENTOS.
1 2 3 4
1 2 3 4
1 2 3 4
1 2 3 4
2 3 41
Placa medida: MPlaca medida: Móódulo intermediodulo intermedio
VgCONTROL_PMOS
CCPMOS
CONTROL_INY_TG
CCTG
CONTROL_TG
VVDD
D
S
PMOS
VDD
D
S
TG
Acondicionamiento de las señales de control que gobiernan el interruptor para el método del condensador
Placa de medida: Módulo selectorPlaca de medida: Módulo selector
J5 J4 J8J11J4: R.
J5: Amp. y SC.
J8,J11: C.
Placa medida: Esquema eléctricoPlaca medida: Esquema eléctrico
VC1
J10 B2S1 2
J13 B2S1 2
0
VCC
0
Vdd
R110k
U2A
74HC05
1 27
14
R51k
C420p
J12 B2S1 2
0
Control_4
C6
0.1uR12
10k
Control_PMOS
Vg
R627
12V
Vvdd
J6
B2S
1 2
0
Cgpmos
VC1
VC2
U2C
74HC05
5 6
C1510u
C110n
VC2
C910u
Cdd
0
VCC
C230.01u
SW2SW PUSHBUTTON
R22
1k
U1Si9435DY
123
45678
SSS
GDDDD
VCC
R31k
5V
Vdd
U14PIC16C71C
16
15
4
3
145
171812
678910111213
OSCIN
OSCOUT
MCLR
RA4/TOCKI
VD
DV
SS
RA0/AN0RA1/AN1RA2/AN2
RA3/AN3/VREF
RB0/INTRB1RB2RB3RB4RB5RB6RB7
J5B2S
12
R927
Vvdd
U4 555C
1
3567
8
24
GND
OUTPUTCONTROLTHRESHOLDDISCHARGE
VCCTRIGGERRESET
R1310k
VCC
Reset
U5ICL7660S
1
3
5
8
2467
BOOST
GN
D
VOUT
+VCC
CAP+CAP-LVOSC
C131n
Vvdd
J7
B2S
1 2
J16VCC chip
1
UPC-DEE PFC Alejandro Peidro Palanca
0
Control_TG
R1127
R203.9k
J14GND Chip
1
VCC
VCC
Vvdd
0
VCC
Control_2
R219k
U10LM7805C/TO220
1 3
2
IN OUT
GN
D
VCC
C1010u
Esquematico
Control_3
J11 B2S
1 2
Control_2
A
1 1Wednesday, March 21, 2001
Title
Size Document Number Rev
Date: Sheet of
VC1
C71n
0
0
0
Control_Inyeccion_TG
U2D
74HC05
9 8
X1
QZS10MEG
VC1
R10
RESISTOR DIP 4
12345
678
0
Control_4
C520p
Control_3
Ccpmos
R827
VCC
0
TemporizacionControl_1
J4 B2S12
0
Control_1
C1410u
0
J9 B2S1 2
J15
B2S
1 2
C121n
0
Cctg
0
U2E
74HC05
11 10
R41k
R210k
U2B
74HC05
3 4
714
U2F
74HC05
13 12
U9DG401DJ
1
2
34567
8
15
10
16
9
13
11 14 12
D1
NC
NCNCNCNCNC
D2
IN1
IN2
S1
S2
GN
D
V+ V- VL
D2
D1N4002
R727
VCC
C30.1u
SW1
SW DIP-4
1234
8765
C111n
J8B2S
12
12V
0
0
-12V
Conector tensión externa
Módulo de tensión
Mód
ulo
de c
ontr
ol
Mód
ulo
inte
rmed
io
Módulo selector
Control externo Conectores
Placa de medida: LayoutPlaca de medida: Layout
Microinterr.PI16C711
Jumpers
SumarioSumario
Motivación y objetivos Métodos de medida Diseño y construcción de la placa de
medida Circuitos analizados Montaje experimental Resultados experimentales Conclusiones
Circuitos analizadosCircuitos analizados
Microprocesador ARM7TDMI de 32 bitsMultiplicador de Guild de 8x8 bits
Microprocesador ARM7TDMIMicroprocesador ARM7TDMIAT91EB01
AT91R40807
Circuitos analizadosCircuitos analizados
Microprocesador ARM7TDMI de 32 bitsMultiplicador de Guild de 8x8 bits
Multiplicador de GuildMultiplicador de Guild
Relación entre la profundidad lógica-consumo
Diferentes granularidades (1, 2, 4, 8, 15)
Necesidad de una placa de acondicionamiento
Placa del multiplicadorPlaca del multiplicador
MÓDULO CLR
MÓDULO INTERRUPTORES
MULTIPLICADOR
MÓDULOCLK
CLK
PLACA ACONDICIONAMIENTO JUMPERS
LFSR
RELOJ EXTERNO
CK
Placa multiplicador: Módulo CLKPlaca multiplicador: Módulo CLK
SELECCIÓN
CLK
CK
CK/4
CK/8
CK/16
CK/2
CLR
DIVISORMUX
Placa multiplicador: Módulo LFSRPlaca multiplicador: Módulo LFSR
LFSR
XOR
CLR
CLK
Placa multiplicador: Módulo Placa multiplicador: Módulo interruptoresinterruptores
S2(MSB)
S1 S0(LSB)
1 2 543 876
‘1’
‘0’
AL MÓDULO CLK
gra1 gra2 gra8gra4 gra15
AL MULTIPLICADOR
Placa multiplicador: JumpersPlaca multiplicador: Jumpers
VVDD
VDD
J7
J6
J9
J8PWR_PY
PWR_CO
Placa multiplicador: Placa multiplicador: Funcionamiento generalFuncionamiento general
CS15
CS8
CS4
CS2
CS1CS1
CS2
CS4
CS8
CS15
CKCK
=1
=4
=2
=15
=8
INPUT DATA /16
OUTPUT DATA /16
DATAPATH + REG. SEG.
BUFFERS
REGISTROS E/S
Placa multiplicador: Esquema eléctricoPlaca multiplicador: Esquema eléctrico
GND
GND
ina3
ck/2
inb3
J6 B2S1 2
GND
out(5)
VCC
C7
100u
74HC86
12
1311
GND
ina5
out(12)
J3
B2S
1 2
J8 B2S1 2
S2
GND
ck
inb1
gra4
ina3
J5VCC chip
1
ck/4
gra1
J11
CON32A
135791113151719212325272931
2468
101214161820222426283032
out(0
)
GND
ina1
S0
gra8
ina4
out(0)
out(4)
gra2
ina6
GND
out(2
)
SW2
SW PUSHBUTTON
R210k
VvddU2
74HC164
714
1
2
8
345610111213
9GN
DVC
C
A
B
CLK
QAQBQCQDQEQFQGQH
CLR
inb6
ina7
out(8)
ina1
out(7)
out(1
)
out(11)
out(5)
CLK
Q4
2N2222A/ZTX
GND
R31k
VCC
inb2
out(1
4)
U4A
74HC86
1
23
out(7)
GND
U3
74HC164
714
1
2
8
345610111213
9GN
DVC
C
A
B
CLK
QAQBQCQDQEQFQGQH
CLR
GND
ina0
C20.1u
GND
VCC
gra1
ina7
R910k
inb1
inb3
ck/16
inb5
out(6)
R4
10k
GND
inb5
U1
mult8GPR
2728293031323334353637383940414243
44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60
26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10
6867666564636261
987654321
N.C.N.C.N.C.N.C.ina(6)ina(7)inb(0)inb(1)inb(2)pwr_coinb(3)inb(4)inb(5)inb(6)inb(7)N.C.N.C.
N.C.
N.C.
ck gra1
6gr
a8gr
a4gr
a2gr
a1gn
d_co
gnd_
pyou
t(15)
out(1
4)ou
t(13)
out(1
2)N.
C.N.
C.N.
C.
N.C.
N.C.
ina(
5)in
a(4)
ina(
3)in
a(2)
ina(
1)in
a(0)
gnd_
cogn
d_py
out(0
)ou
t(1)
out(2
)ou
t(3)
N.C.
N.C.
N.C.
pwr_pyout(8)out(9)
out(10)out(11)
N.C.N.C.N.C.
N.C.N.C.N.C.
out(4)out(5)out(6)out(7)
pwr_pypwr_co
ina2
VCC
GND
out(1
2)
out(15)
U6
74HCT163
3456
710
291
1413121115
168
ABCD
ENPENTCLKLOADCLR
QAQBQCQD
RCO
VCC
GND
R510k
inb7
VCC
C11u
GND
GND
J1BNC
2
1
GND
CLR
gra8
out(10)
VCC
out(8)
out(2)
ina6
GND
pwr_py
out(1
5)
R7
1k
<Doc>
MULTIPLICADOR
A
1 1Thursday, May 31, 2001
Title
Size Document Number Rev
Date: Sheet of
VCC
ina0
out(3
)
C60.1u
pwr_py
pwr_co
SW1
SW DIP-8
12345678
161514131211109
C30.1u
S1
pwr_co
GND
out(3)
J7 B2S1 2
gra2
VCC
ck/8
CLR
R6
100k
inb4
U4C
74HC86
9
108
C80.1u
C4
0.1u
gra1
6
out(14)
ina4
J4GND Chip
1
VCC
out(9)
out(13)
S0
VCC C5
1nVCC
out(10)
inb6
out(4)
VCC
ina2
inb0
inb7
out(1
3)
inb4
pwr_co
S2
VCC
inb0
Q1
2N2222A/ZTX
S1
ina5
out(6)
CLK
gra16
U4B
74HC86
4
56
147
J9
B2S
1 2
out(9)
gra4
pwr_py
ck
inb2
CLR
GND
out(1)
U57
1110
9
6
168
543
151
141312
2
G
ABC
W
VCC
GND
YD0D1
D4D3
D5D6D7
D2
Vvdd
out(11)
R1
RESISTOR DIP 8
1 2 3 4 5 6 7 8910111213141516
MÓ
DU
LO
IN
TE
RR
UP
TO
RE
SM
UL
TIP
LIC
AD
OR SALIDAS
MÓDULO CLK
LFSR
MÓDULO CLR
CONECTORES
JUM
PE
RS
Placa multiplicador: LayoutPlaca multiplicador: Layout
CO
NE
CT
OR
ES
JUM
PE
RS
MÓDULO INTERRUPTORES
MULTIPLICADOR
SAL
IDA
S
PULSADOR DE CLEAR
SEÑAL RELOJ EXTERNO
Circuitos analizadosCircuitos analizados
Microprocesador ARM7TDMI de 32 bitsMultiplicador de Guild de 8x8 bits
SumarioSumario
Motivación y objetivos Métodos de medida Diseño y construcción de la placa de
medida Circuitos analizados Montaje experimental Resultados experimentales Conclusiones
Diagrama de tensiones ARM7TDMIDiagrama de tensiones ARM7TDMI
RE
G
(+5V)
ARM7TDMI
VVDDVVDD
RE
G
GND
+8,5V
VDDVDD
+3,3V
GND
FUENTE
EXTERNA
+12V
GND
GN
D
PLACA EVALUACIÓN
PLACA MEDIDA
M
GND Vcc (+5V)
PLACA DE EVALUACIÓN
ARM7TDMI
Montaje experimental: ARM7TDMIMontaje experimental: ARM7TDMI
R11R9R8R7R6J4
+12 V
GND
J14J6
J
PLACA DE MEDIDA
f32f4 f8 f16
F
T
J5
CDD
J10
TG
U9
J8 J11
PIC 16C711U14
RESET
SW2
U1PMOS
SW1
PUERTO SERIE+8.5 V
Fotografía del acoploFotografía del acoplo
AMPERÍMETRO
J14J6
+12 V
GND
PLACA DE MEDIDA
J5
PLACA DE EVALUACIÓN
J
T ARM7TDMI
f32f4 f8 f16
+8.5 V
CDD
+ 13.8596 mA
ARM7TDMI: Método AmperímetroARM7TDMI: Método Amperímetro
F
PUERTO SERIE
OSCILOSCOPIO
ARM7TDMI: Método ResistenciaARM7TDMI: Método Resistencia
R11R9R8R7R6J4 J14J6
+12 V
GND
PLACA DE EVALUACIÓN
J
ARM7TDMI
PLACA DE MEDIDA
f32f4 f8 f16
F
T
J8
PUERTO SERIE+8.5 V
J5
CANAL 2+-
CANAL 1 CANAL 3
PC
BUS GPIB
Red ethernet
Obtención.viObtención.vi
Imágenes método RImágenes método R
0V
VVDD,
T
T
V
V, E, P
OSCILOSCOPIO
ARM7TDMI: Método CondensadorARM7TDMI: Método Condensador
J14J6
+12 V
GND
PLACA DE EVALUACIÓN
J
ARM7TDMI
+12 V)GND (0V
VVDD
VDD
VCC (+5 V)
trigger
PLACA DE MEDIDA
f32f4 f8 f16
F
T
CDD
J10
TG
U9
J8 J11
PIC 16C711U14
RESET
SW2
U1PMOS
SW1
PUERTO SERIE+8.5 V
CANAL 1
Imágenes Método CondensadorImágenes Método Condensador
Tiempo de abertura es la duración del programa
C14 (Tántalo)
C2 (SMD) Tiempo de abertura
fijo (42,40 s)
VDD
T
T
V
V, E, PVDD,
ARM7TDMI: Método Sonda ARM7TDMI: Método Sonda CorrienteCorriente
Componente continua no queda reflejada
Picos de tensión redondeados
FUENTE
EXTERNA
+12VGND
MUL
PLACA MULTIPLICADOR
PLACA MEDIDA
Diagrama tensiones MultiplicadorDiagrama tensiones Multiplicador
M
RE
G
VVDD VVDD
GND
ELECTRÓNiC
A
VDDVDD
GNDVCC (+5V)
Montaje experimental: Montaje experimental: MultiplicadorMultiplicador
Measuring Board
Multiplier Board
J16
J14
J6
SW1
J11J9
J6
J7
J8
CDD
VC1
SW2reset
J5
J4
J8
J11
out(0)
gnd
SW11
2
3
4
J10
CK
Fotografía del acoploFotografía del acoplo
Measuring Board
Multiplier Board
J16
J14
J6
SW1
J11J9
J6
J7
J8
CDD
VC1
SW2reset
J5
J4
J8
J11
SW11
2
3
4
J10
CK
Multiplicador: Método AmperímetroMultiplicador: Método Amperímetro
AMPERÍMETRO
+ 13.8596 mA
AN
ALI
ZAD
OR
LÓG
ICO
Measuring Board
Multiplier Board
J16
J14
J6
SW1
J11J9
J6
J7
J8
CDD
VC1
SW2reset
J5
J4
J8
J11
out(0)
gnd
SW11
2
3
4
J10
CK
Multiplicador: Método ResistenciaMultiplicador: Método ResistenciaOSCILOSCOPIO
AN
ALI
ZAD
OR
LÓG
ICO
+-
CANAL 1
Measuring Board
Multiplier Board
J16
J14
J6
SW1
J11J9
J6
J7
J8
CDD
VC1
SW2reset
J5
J4
J8
J11
OSCILOSCOPIO
Multiplicador: Método CondensadorMultiplicador: Método Condensador
out(0)
gnd
SW11
2
3
4
CK
J10
CANAL 1
VDD
Imágenes Método CondensadorImágenes Método Condensador 2 1
V
T=51,4S
1916 17 18 20 21
22
CK
Caída de tensión asociada a 5 multiplicaciones
f=100KHz, =15, CORE
Vi
Superposición caída de tensión asociada a 4 conjuntos de 25 multiplicaciones
f=500KHz, =15, CORE
SE HA LOGRADO IDENTIFICAR EL CONSUMO LIGADO AL PRODUCTO QUE LO PRODUCE
Imágenes Método CondensadorImágenes Método Condensador
Consumo del reloj a f=200KHz, a las diferentes granularidades, CORE
V15
V1
V2
V4
V8
Multiplicador: Método Sonda Multiplicador: Método Sonda CorrienteCorriente
NO SE PUDO OBTENER MEDIDAS DEL CONSUMO
SumarioSumario
Motivación y objetivos Métodos de medida Diseño y construcción de la placa de
medida Circuitos analizados Montaje experimental Resultados experimentales Conclusiones
Resultados Experimentales Resultados Experimentales ARM7TDMI: Método R Vs. AARM7TDMI: Método R Vs. A
CORRECCIÓN POTENCIAS
020406080
100120140
0 20 40
f (MHz)
Po
ten
cia
(mW
)
P AMP. (mW)
P R1 corr(mW)
P R5 corr(mW)
Linear (P AMP.(mW))
Linear (P R1corr (mW))
Linear (P R5corr (mW))
Método de referencia: AMPERÍMETRO.
Error máximo entre medidas: 3,26%
ERROR R1 (%)f4 f8 f16 f32
PROGRAMA 1 3.77 0.64 2.65 1.48PROGRAMA 2 4.29 2.62 5.41 5.05PROGRAMA 3 0.22 0.89 5.62 6.04
ERROR R5 (%)f4 f8 f16 f32
PROGRAMA 1 11.39 9.24 8.25 7.24PROGRAMA 2 8.82 8.37 6.86 6.74PROGRAMA 3 11.05 10.26 6.72 5.92
COMPARACIÓN POTENCIAS R-A
020406080
100120140
0 20 40
f (MHz)
Po
ten
cia
(mW
)
P AMP. (mW)
P R1 (mW)
P R5 (mW)
Linear (P AMP.(mW))
Linear (P R1(mW))
Linear (P R5(mW))
Método de referencia: Amperímetro
Resultados Experimentales Resultados Experimentales ARM7TDMI: Método C Vs. AARM7TDMI: Método C Vs. A
COMPARACIÓN POTENCIAS C-A
0
20
40
60
80
100
120
140
0 10 20 30 40
f (MHz)
Po
ten
cia
(mW
)
P AMP. (mW)
P C2 (mW)
P C14 (mW)
Linear (P AMP.(mW))
Linear (P C2 (mW))
Linear (P C14 (mW))
Error elevado: Corrección como en el caso de la resistencia
ERROR C2 (%)f4 f8 f16
PROGRAMA1 15.00 14.33 6.55PROGRAMA2 19.50 12.90 6.94PROGRAMA3 15.36 10.72 6.49
ERROR C14 (%)f4 f8 f16 f32
PROGRAMA1 6.62 7.15 7.49 9.07PROGRAMA2 9.36 8.83 6.68 3.58
Resultados Experimentales Resultados Experimentales multiplicador: Método A Vs. Cmultiplicador: Método A Vs. C
COMPARACIÓN CONSUMO DEL RELOJ C-A
0,0000
0,0002
0,0004
0,0006
0,0008
0 2 4 6 8 10 12 14 16
granularidad
Po
ten
cia
(W
)
A-200KHz (W)
C-200KHz (W)
CONSUMO CORE (Método Amperímetro)
0
0,05
0,1
0 2 4 6 8 10 12 14 16
granular idad
1MHz
2MHz
4MHz
8MHz
15MHz
CONSUM O CK + DATA PATH
Pot
enci
a (W
)
granularidad
f=100KHzError=4,29%f=500KHzError=11,71%
granularidad ERROR (%)15 5,788 6,414 6,362 5,891 8,14
SumarioSumario
Motivación y objetivos Métodos de medida Diseño y construcción de la placa de
medida Circuitos analizados Montaje experimental Resultados experimentales Conclusiones
ConclusionesConclusiones
Se han ensayado y comparado las diferentes técnicas experimentales de medida mediante la medida del consumo de dos CI
Se ha evaluado el mérito relativo y se ha establecido un criterio objetivo para la elección de cada uno de ellos
La metodología utilizada es completamente general y aplicable a cualquier CI si están disponibles las herramientas correspondientes
ConclusionesConclusiones
AMPERÍMETRO MÉTODO R MÉTODO CSONDA DE
CORRIENTE
Secuencia simple de patrones de entradas
NO SÍ SÍ SÍ
Uso de capacidades de desacoplo
BUENO MALO BUENO MALO
Media de IDD LA MEJOR BUENA BUENA NO
Precisión ALTA BUENA BUENA -
Perturbación del comportamiento del
circuitoPEQUEÑA CONTROLADA CONTROLADA CONTROLADA
ConclusionesConclusiones
Limitaciones:Para el multiplicador no se pueden
generar secuencias pseudoaleatórias de f > 15MHz
No se ha podido obtener el consumo del multiplicador para el método de la resistencia ni sonda de corriente
ConclusionesConclusiones
Mejoras: Obtención del consumo de programas
cargados en memoria interna del ARM7TDMI
Obtención del consumo del ARM7TDMI para el método de la sonda de corriente
Automatizar el proceso de obtención de datos para cada uno de los métodos de medida analizados
SumarioSumario
Motivación y objetivos Métodos de medida Diseño y construcción de la placa de
medida Circuitos analizados Montaje experimental Resultados experimentales Conclusiones
Técnicas experimentales para la Técnicas experimentales para la medida de la corriente, energía y medida de la corriente, energía y potencia consumida por un CI potencia consumida por un CI CMOS.CMOS.
Alejandro Peidro Palanca
Director: Josep Rius Vázquez
Noviembre 2001