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CURRICULUM VITAE

DATOS PERSONALES

Nombre: Miguel Cruz Irisson.

Fecha de Nacimiento: 26 de septiembre de 1960

Lugar de Nacimiento: Cazones, Veracruz

Nacionalidad: Mexicana

RFC: CUIM-6009267SA

CURP: CUIM600926HVZRRG06

Teléfonos: + 52-55-5624 2000 ext. 73033 y 73032 (Oficina)

+ 52-55-5656 2058 (Fax)

e-mail: [email protected],

[email protected]

FORMACION ACADEMICA

Estudios Superiores

Licenciatura en Física

Institución: Facultad de Ciencias, U.N.A.M.

Promedio General: 9.1

Tema de Tesis: Fonones

Título de Tesis: Modos Localizados en una Red de Hori y Asahi.

Fecha del Examen Profesional: 27 de Julio de 1990

Cedula Profesional: 1562620

Estudios de Posgrado

Maestría en Ciencias (Ciencia de Materiales)


Promedio: 9.86

Fecha del Examen de Grado: 23 de noviembre de 1992

(Examen General de Conocimientos Opción A)


Doctorado en Ciencias (Ciencia de Materiales)


Tema de Tesis: Física del Estado Sólido

Título de Tesis: Propiedades Electrónicas y Fonónicas del Silicio Poroso

Fecha del Examen de Grado: 8 de julio de 1999


mailto:[email protected]

EXPERIENCIA PROFESIONAL

Profesor de Asignatura en la Universidad del Valle de México (noviembre 1985-agosto,

1990)

Ayudante de Profesor “B” en la Facultad de Ciencias, UNAM, (mayo 1990- octubre 1991)

Profesor en la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica-Unidad Culhuacán, IPN.

Profesor de Asignatura “B” (ES) (septiembre 1988 -diciembre 1990),

Profesor Asociado “B” (ES) T/C (enero 1992 – diciembre 1993),

Profesor Asociado “C” (ES) T/C (enero 1994 – diciembre 1996),

Profesor Titular “A” ( ES) T/C (enero 1997 – diciembre 1998),

Profesor Titular “B” (ES) T/C (enero 1999 – diciembre 2000),

Profesor Titular “C” (ES) T/C (enero 2001 – a la fecha),

CURSOS IMPARTIDOS

Universidad del Valle de México:

Nivel Medio Superior: Física II y III, Laboratorio de Física II y III

Álgebra, Geometría Analítica, Temas Selectos de Matemáticas

Nivel Superior: Dinámica, Cálculo Vectorial

Facultad de Ciencias, UNAM (1990-1991)

Física Clásica IV, Física Moderna I.

ESIME-Culhuacán, IPN:

1. Departamento de Ingeniería Mecánica (1989-1992) Cálculo Vectorial, Ecuaciones Diferenciales, Variable Compleja

2. Departamento de Ingeniería en Computación (1991-2002)

Matemáticas Finitas, Calculo Vectorial, Ecuaciones Diferenciales,

Física, Probabilidad y Estadística.

3. Sección de Estudios de Posgrado e Investigación (2003 –a la fecha)

Doctorado en Comunicaciones y Electrónica Temas Selectos de Electrónica, Electrónica Cuántica, Matemáticas, Seminario

Departamental I, II y III, Temas Selectos de comunicaciones, Trabajo de Tesis

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Modelado de Sistemas Físicos, Propiedades Electrónicas de Semiconductores, Temas

Selectos de Comunicaciones y Electrónica, Temas Selectos de Electrónica, Temas Selectos

de Matemáticas, Temas Selectos de Comunicaciones, Seminario Departamental I, II y III,

Trabajo de Tesis.

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos Matemáticas Avanzadas para la Ingeniería, Energética Avanzada, Seminario de

Investigación I, II y III, Trabajo de Tesis.

FORMACIÓN DE RECURSOS HUMANOS

Tesis de Licenciatura†:

1. “Propiedades Electrónicas de Nanoestructuras de Silicio”

Ulises Corona de la Cruz,

ESIME-Culhuacan, IPN

Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica

Fecha examen: 25 de abril de 2003. Acta No. 4198

2. “Diseño de un Controlador Digital PID, para controlar la Velocidad de un Motor de CD”

Alvaro Miranda Durán,

ESIME-Culhuacan, IPN,


Fecha examen: 23 de junio de 2004. Acta No. 4599

3. “Análisis de un sistema de control aplicado al péndulo invertido”,

Omar Castillo Velasco,



Fecha de examen: 7 de septiembre de 2004. Acta No. 4667

4. “Manipulación en Tiempo Real de un Helicóptero de dos grados de Libertad”

Karina Verastegui Barranco


Ingeniero en Computación,

Fecha de examen: 18 de octubre de 2004. Acta No. 653

5. “Estado Actual de la Criptografía Cuántica”

Tzitzik Janik Arellano Nava



Fecha de examen: 9 de marzo de 2006. Acta No. 5099

6. “Diseño de un controlador de atraso adelanto de fase por análisis de respuesta en frecuencia

para un sistema de levitación”.

David Méndez Sánchez



Fecha de examen: 18 de agosto de 2006. Acta No. 5218

7. “Modos Vibracionales en Nanoestructuras de Silicio”

Pedro Alfaro Calderón



Fecha de examen: 17 de diciembre de 2007. Acta No. 5739

8. “La espintrónica y su impacto en las comunicaciones y electrónica”

† Por reglamento las tesis de licenciatura en la ESIME-Culhuacan son siempre en coasesoría.

Arón Josué García Moreno



Fecha de examen: 11 de junio de 2009. Acta No. 6141

9. “Aplicaciones de Alambres cuánticos semiconductores en baterías”

Jorge Arturo Tokunaga Pérez



Fecha de examen: 25 de noviembre de 2010. Acta No. 6420

Tesis de Maestría:

1. “Efecto de la Interconexión en la Función Dieléctrica del Silicio Poroso”

Fis. Salvador Felipe Díaz Albarrán‡,

Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN,

Maestría en Ciencias (Física),

Fecha de examen: 14 de octubre de 2003.

2. “Propiedades Electrónicas y Ópticas de Nanoestructuras de Silicio”,

David Guzmán Ramírez,

Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica, Fecha de examen: 29 de marzo de 2004 Acta No. 057

3. “Efectos del Confinamiento Cuántico en las Propiedades Electrónicas de Nanoalambres de

Germanio”

Ing. Ulises Corona de la Cruz


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica, Fecha de examen: 12 de septiembre de 2005. Acta No. 090

4. “Modelo de un Acelerómetro Superconductivo”

Ing. Luis Alberto Gallegos‡


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica, Fecha de examen: 19 de mayo 2006 Acta No. 0106

5. “Densidad de Estados Electrónicos de Nanoalambres de Germanio”

Ing. Alvaro Miranda Durán


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica, Fecha de examen: 22 de septiembre de 2006 Acta No. 0109

6. “Estudio Experimental del Comportamiento de un Arreglo Piramidal de Módulos

termoeléctricos”

Ing. Raúl de la Cruz Ibarra‡


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos, Fecha de examen: 29 de noviembre de 2007 Acta No. 0007

7. “Enfoque de dos Temperaturas como una Aproximación al Problema del Enfriamiento

Termoeléctrico”

Ing. Fernando Adán Serrano Orozco


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Fecha de examen: 12 de diciembre de 2007 Acta No. 0128

8. “Enfoque no Lineal al Problema del Enfriamiento Termoeléctrico”

Ing. Jesús Audelo González


‡ En codirección

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica

Fecha de examen: 12 de diciembre de 2007 Acta No. 0129

9. Propiedades Electrónicas de Alambres Cuánticos de Carburo de Silicio tipo

Ing. José Luis Cuevas Figueroa‡


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica,

Fecha de examen: 30 de junio de 2009 Acta No. 0157

10. “Modos Vibracionales en Nanohilos de Diamante”

Ing. Luis Alberto Boisson Sarabia


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica,

Fecha de ingreso: 01 de agosto de 2007

Fecha de examen: 22 de enero de 2010 Acta No. 0172

11. “Aplicación de los Métodos Semi-empíricos y ab-initio al Estudio de la Estructura

Electrónica de Nanoalambres de Diamante”

Josué Arón García Moreno‡


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Fecha de ingreso: 01 de agosto de 2007


12. “Estudio a primeros principios de las propiedades electrónicas y vibracionales del Germanio

poroso”

Alejandro Trejo Baños Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,

Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Fecha de ingreso: enero de 2009

Fecha de examen: 21 de enero de 2011 (Aprobado con Mención Honorífica)

Premio a la mejor tesis de maestría en el IPN 2011 Acta No. 0203

13. “Estudio ab-initio de las propiedades electrónicas de nanoestructuras de SiC”

Marbella Calvino Gallardo



Fecha de ingreso: enero de 2009

Fecha de examen: 01 de junio de 2011 (Aprobado con Mención Honorífica) Acta No. 0208

14. “Nanoalambres de Germanio pasivados con litio”

Jorge Arturo Tokunaga Pérez‡


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica Fecha de ingreso: 01 de agosto de 2009


15. “Efecto del confinamiento en los modos ópticos de vibración del Carburo de silicio poroso”

Josue Saeb Sánchez Hernández ‡ En coasesoría



Fecha de ingreso: 17 de enero de 2011

Fecha de examen: 20 de enero de 2014 Acta No.

Registro IPN: B110256

16. “Propiedades mecánicas y electrónicas de nanoalambres de silicio para aplicaciones a

baterías de Litio”.

Carlos Aarón Clorio Herrera‡


Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos




17. “Calor específico de nanoalambres semiconductores no polares”

Lidia López Palacios






18. “Aplicaciones del silicio poroso a baterías de iones de Litio” Alberto Rodríguez Acosta‡




Fecha de examen: 23 de junio de 2016 Acta No.

Registro IPN:

19. “Mediometalicidad en nanoalambres semiconductores no polares”

Francisco De Santiago Varela‡




Fecha de examen: 21 de enero de 2016

Tesis de Doctorado: 1. Análisis Semi-empírico de las Propiedades Electrónicas y Ópticas de Semiconductores

Nanoestructurados

M. en C. David Guzmán Ramírez

Instituto Politécnico Nacional (Programa Institucional)

Doctorado en Comunicaciones y Electrónica-IPN, Fecha de ingreso: 31 de agosto de 2004,

Fecha de examen: 31 de marzo de 2008. (Aprobado con Mención Honorífica) Acta No. 0045


2. Estudio de las propiedades electrónicas y dieléctricas de Nanoestructuras tipo zinc-blenda

M. en C. Álvaro Miranda Duran, CVU: 161671, SNI Nivel I Instituto Politécnico Nacional

Doctorado en Comunicaciones y Electrónica-IPN, Fecha de ingreso: 15 de enero de 2007,

Fecha de examen: 14 de septiembre de 2010 (Aprobado con Mención Honorífica)

Premio a la mejor tesis doctoral en el IPN 2011 Acta No. 0060

Registro IPN: A070209

3. Absorción y Emisión de Ondas Electromagnéticas en Nanoestructuras de Si y Ge

Pedro Alfaro Calderón, CVU: 211907 , SNI: Candidato

Instituto Politécnico Nacional

Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN, Fecha de ingreso: 08 de agosto de 2005,



4. La regla de cuantización propia y su aplicación en comunicaciones y electrónica

M. en C. Fernando Adán Serrano Orozco §, CVU: 205838, SNI Nivel 1


Doctorado en Comunicaciones y Electrónica-IPN, Fecha de ingreso: 26 de enero de 2009,

Fecha de examen: 29 de junio de 2012 Acta No. 081


5. Efectos del Oxígeno en las propiedades electrónicas en nanoalambres hidrogenados de SiC

tipo

M. en C. José Luis Cuevas Figueroa, CVU: 290184, SNI Nivel I Instituto Politécnico Nacional

Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN, Fecha de ingreso: 25 de enero de 2010,



6. “Estudio a primeros principios de las propiedades electrónicas, ópticas y vibracionales de

nanoestructuras tipo zinc-blenda”

M. en C. Alejandro Trejo Baños CVU: 297298, SNI Nivel I,


Doctorado en Comunicaciones y Electrónica-IPN,

Fecha de ingreso: 26 de enero de 2011.

Fecha de examen: 17 de febrero de 2015, (Aprobado con Mención Honorífica)

Ganador del "XXI CERTAMEN A LA MEJOR TESIS DOCTORAL EN EL ÁREA DE

CIENCIA E INGENIERÍA DE MATERIALES 2016/1, IIM-UNAM

Acta No. 112


7. “Efecto del cuasi-confinamiento y la pasivación química superficial sobre los estados

electrónicos del Carburo de Silicio poroso”

M. en C. Marbella Calvino Gallardo CVU: 297222; SNI Nivel 1 Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, ESIME-Culhuacan, IPN,

Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN, Fecha de ingreso: 22 de agosto de 2011.

Fecha de examen: 30 de julio de 2015 Registro IPN: B111151

Acta 119

8. “Modos de vibración en nanohilos semiconductores binarios tipo Zinc Blenda”

M. en C. Miguel Ojeda Martínez‡, CVU 333142


Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN, Fecha de ingreso: 22 de agosto de 2012.

Fecha de examen: 5 de julio de 2016 Registro IPN:

Acta

9. “Imagen cuántica y sus aplicaciones”

M. en C. Carlos Ortega Laurel‡,


Doctorado en Comunicaciones y Electrónica- IPN,


Fecha de examen: 23 de marzo de 2017, (Aprobado con Mención Honorífica) Registro IPN: A140896

Acta

Estancias de investigación en el programa de retención del CONACyT

1. Dr. Eliel Carvajal Quiroz (IIM-UNAM, 2010), CVU: 123176, SNI: Nivel I

(Enero-diciembre, 2010)

2. Dr. Fernando Salazar Posadas (IF-UASLP, 2012), CVU: 37707, SNI: Nivel I

(abril 2012 a marzo 2013) 3. Dr. Álvaro Miranda Durán, CVU: 161671, SNI: Nivel I

(Septiembre 2015-agosto 2016)

Estancias Sabáticas

1. Dr. Raúl Escamilla Guerrero (IIM-UNAM), CVU: 15255, SNI: Nivel II

(Julio 2014-julio 2015)

Tesis en Proceso

Doctorado

1. M. en C. Marlon David González Ramírez


Registro: A161121

2. Francisco de Santiago Varela


Registro: A161121

Maestría

1. “Nanoalambres de diamante como fuentes emisoras de fotones”

Jesús Ramírez Solano


Fecha de ingreso: 04 de febrero del 2016

2. “Propiedades Mecánicas del Silicio poroso aplicado a baterías de Litio”

Karina Gabriela Madrigal Carrillo



3. “El Silicio Poroso aplicado al almacenamiento de energía en baterías”

Israel González Cortés



4. “Aplicaciones de nanoestructuras de Germanio a baterías de Litio”

Akari Narayama Sosa Camposeco



No de Registro: A160784

5. “Almacenamiento de energía a través del Silicio poroso”

Rubén Álvarez Valdivia


Fecha de ingreso: 08 de agosto del 2016

No de Registro: B160510

6. Nanoestructuras de Silicio aplicadas a sensores y a biosensores

José Eduardo Santana Sánchez



Fecha de ingreso: 08 de agosto del 2016

No de Registro:

7. Nanoestructuras de Carburo de Silicio aplicadas a sensores y a biosensores

Sergio Montero Rosendo


Fecha de ingreso: 30 de enero del 2017

No de Registro:

PUBLICACIONES indizadas en el Journal Citation Reports (JCR)

1. M. Cruz y C. Wang,

“Raman Response of Porous Silicon”

Physica A, 207, 168 (1994). ISSN: 0378-4371

doi:10.1016/0378-4371(94)90369-7

Factor de Impacto: 1.373

2. M. Cruz, C. Wang, M.R. Beltrán y J. Tagüeña-Martínez,

“Morphological Effects on the Electronic Band Structure of Porous Silicon”,

Physical Review B 53, 3827 (1996). ISSN: 1098-0121

doi: 10.1103/PhysRevB.53.3827


3. M. Cruz, M.R. Beltrán, C. Wang y J. Tagüeña-Martínez,

“Quasi-Confinement, Localization and Optical Properties in Porous Silicon”,

Thin Solid Films 297, 261 (1997). ISSN: 0040-6090

doi:10.1016/S0040-6090(96)09370-4


4. M. Cruz, M.R. Beltrán, C. Wang y J. Tagüeña- Martínez,

“Efficient, Non-Vertical Interband Transitions in Porous Silicon”,

Physica A 241, 382 (1997). ISSN: 0378-4371

doi:10.1016/S0378-4371(97)00111-8


5. M.R. Beltrán, M. Cruz, C. Wang y J. Tagüeña-Martínez,

“Analysis of the Interband Transition in Porous Silicon”,

Solar Energy Materials and Solar Cells 52, 261 (1998). ISSN: 0927-0248

doi:10.1016/S0927-0248(97)00241-9


6. J. Tagüeña- Martínez, Y.G. Rubo, M. Cruz, M.R. Beltrán y C. Wang,

“Tight-binding Description of Disordered Nanostructures: an Application to Porous Silicon”,

Applied Surface Science 142, 564 (1999). ISSN: 0169-4332

doi:10.1016/S0169-4332(98)00699-0


7. M. Cruz, M.R. Beltrán, C. Wang, J. Tagüeña-Martínez y Y:G: Rubo,

“Supercell Approach to the Optical Properties of Porous Silicon”,

Physical Review B 59, 15381 (1999). ISSN: 1098-0121

doi: 10.1103/PhysRevB.59.15381.


8. M.R. Beltrán, C. Wang, M. Cruz, y J. Tagüeña-Martínez,

“Silicio Poroso: Propiedades Electrónicas”,

Revista Mexicana de Física 45, 155 (1999). http://www.smf.mx/revista/indice.html


9. C. Wang, M. Cruz, Y.G. Rubo, M.R. Beltrán, y J. Tagüeña- Martinez,

“Optical Absorption in Porous Silicon”,

Journal of Porous Materials 7, 279 (2000). ISSN: 1380-2224

doi: 10.1023/A:1009684131340


http://dx.doi.org/10.1016/0378-4371(94)90369-7

http://prola.aps.org/abstract/PRB/v53/i7/p3827_1

http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(96)09370-4

http://dx.doi.org/10.1016/S0378-4371(97)00111-8

http://dx.doi.org/10.1016/S0927-0248(97)00241-9

http://dx.doi.org/10.1016/S0169-4332(98)00699-0

http://www.smf.mx/revista/indice.html

http://www.springerlink.com/content/g0178317037r6m40/

10. D. Guzmán, U. Corona, M. Cruz,

“Electronic States and Optical Properties of Silicon Nanocrystals”,

Journal of Luminescence 102, 487 (2003). ISSN: 0022-2313

doi:10.1016/S0022-2313(02)00587-2


11. P. Alfaro, A. Miranda, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson,

“Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increasing Size”,

Brazilian Journal of Physics, 36, 375 (2006). ISSN 0103-9733

http://www.sbfisica.org.br/bjp/


12. G.N. Logvinov, M. Cruz-Irisson, I.M. Lashkevich, J.E.Velázquez, and Yu.G. Gurevich

“Boundary Conditions in Theory of Photothermal Processes”

Brazilian Journal of Physics, 36, 1097 (2006). ISSN 0103-9733

http://www.sbfisica.org.br/bjp/ Factor de Impacto: 0.754

13. P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang

“The one phonon Raman spectrum of silicon nanostructures”

IEEE Transaction on Nanotechnology 5, 466 (2006). ISSN 1536-125X

Doi: 10.1109/TNANO.2006.881273


14. A. Miranda, D. Guzmán L. Niño de R., R. Vázquez y M. Cruz-Irisson

“Densidad de estados electrónicos de nanoalambres de Germanio”

Revista Mexicana de Física 53, 78 (2007). ISSN-0035-00IX

http://rmf.fciencias.unam.mx/pdf/rmf-s/53/5/53_5_078.pdf


15. M. Cruz, L. A. Pérez, C. Wang

“Ab-initio and Tight-binding studies of porous Si and Ge”

Revista Mexicana de Física 53, 226 (2007). ISSN-0035-00IX



16. D. Guzmán, A. Miranda, H. M. Pérez-Meana, and M. Cruz-Irisson

“Semiempirical Supercell Approach to Calculate the Electronic and Optical Properties of Si

Quantum Wires”

Revista Mexicana de Física 53, 220 (2007) ISSN-0035-00IX



17. D. Guzmán, M. Cruz y C. Wang

“Electronic and optical properties of ordered porous germanium”

Microelectronics Journal 39, 523 (2008). ISSN: 0026-2692

doi:10.1016/j.mejo.2007.07.083


18. P. Alfaro, M. Cruz y C. Wang

“Vibrational states in low-dimensional structures: An application to Si quantum wires”

Microelectronic Journal 39, 472 (2008). ISSN: 0026-2692

doi:10.1016/j.mejo.2007.07.082

http://dx.doi.org/10.1016/S0022-2313(02)00587-2

http://www.sbfisica.org.br/bjp/

http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=1695943




http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2007.07.083



19. P. Alfaro, M. Cruz y C. Wang

“Theory of Raman Scattering by Phonons in Germanium Nanostructures”

Nanoscale Research Letters 3, 55 (2008). ISSN 1556-276X

doi: 10.1007/s11671-007-9114-0


20. A. Miranda, M. Cruz-Irisson, C. Wang

“Modelling of Electronic and Phononic States of Ge Nanostructures”


doi: 10.1016/j.mejo.2008.06.009


21. A. Miranda, R. Vázquez, A. Díaz-Méndez and M. Cruz-Irisson

“Optical matrix elements in tight-binding approach of hydrogenated Si nanowires”


doi: 10.1016/j.mejo.2008.06.018 Factor de Impacto: 0.919

22. A. Díaz-Méndez, J. V. Marquina-Pérez, M. Cruz-Irisson, R. Vázquez-Medina, J. L. Del-Río-

Correa

“Chaotic Noise MOS Generator based on Logistic Map”


doi: 10.1016/j.mejo.2008.06.042


23. M. Cruz y C. Wang

“Electronic and Vibrational Properties of Porous Silicon”

Journal of Nano Research, 5, 153 (2009). ISSN: 1661-9897

doi:10.4028/0-00000-029-9.153


24. A. Miranda, J.L. Cuevas, A. E. Ramos, and M. Cruz-Irisson

“Effects of morphology on the electronic properties of hydrogenated silicon carbide nanowires"

Journal of Nano Research, 5, 161 (2009). ISSN: 1661-9897,

doi: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.5.161


25. A. Miranda, J.L. Cuevas, A. E. Ramos, and M. Cruz-Irisson

“Quantum confinement effects on electronic properties of hydrogenated 3C-SiC nanowires”


doi:10.1016/j.mejo.2008.11.034


26. A. Trejo, M. Calvino, M. Cruz-Irisson

“Chemical Surface passivation of 3C-SiC nanocrystals: A first-principles study”

International Journal of Quantum Chemistry 110, 2455 (2010). ISSN (printed): 0020-7608

doi: 10.1002/qua.22647


27. Álvaro Miranda-Durán, Xavier Cartoixá, Miguel Cruz Irisson, and Riccardo Rurali

“Molecular Doping and Subsurface Dopant Reactivation in Si Nanowires”

Nano Letters 10 (9), 3590 (2010). ISSN: 1530-6984

http://www.springerlink.com/content/7432l80w278q62j4/




http://www.scientific.net/0-00000-029-9/153/

http://www.scientific.net/JNanoR.5.161

http://www.sciencedirect.com/science?_ob=PublicationURL&_tockey=%23TOC%235748%232009%23999599995%231037094%23FLA%23&_cdi=5748&_pubType=J&view=c&_auth=y&_acct=C000059048&_version=1&_urlVersion=0&_userid=5675020&md5=d7990d08a23f78467afedf05070088dd


http://www3.interscience.wiley.com/journal/123491571/abstract

doi: 10.1021/nl101894q


28. A. Miranda, F. A. Serrano, R. Vázquez-Medina y M. Cruz-Irisson

“Hydrogen Surface Passivation of Si and Ge Nanowires: A Semiempirical approach”

International Journal of Quantum Chemistry 110, 2448 (2010). ISSN (printed): 0020-7608

doi: 10.1002/qua.22753


29. P. Alfaro, R. Cisneros, M. Bizarro, M. Cruz-Irisson y C. Wang

“Raman Scattering by Confined Optical Phonons in Si and Ge Nanostructures”

Nanoscale 3, 1246 (2011). ISSN: 0306-0012

doi: 10.1039/c0nr00623h


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22. Miranda, A.; Ponomaryov, V.; de Rivera, L.N.; Vazquez, R.; Cruz-Irisson, M.

“Dielectric function in semi-empirical tight-binding theory applied to crystalline diamond”

12th International Conference on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory, MMET 2008. Page(s):253-255

DOI: 10.1109/MMET.2008.4580958

ISBN: 978-1-4244-2284-5

23. V. Golikov, A. Castillejos, O. Lebedeva, V. Ponomaryov, M.Cruz-Irisson

“CFAR Robust of Moving Target in Presence of Fluctuating Background”

12th International Conference on Mathematical Methods in Electromagnetic Theory, MMET 2008. Page (s) 144-146 ISBN: 978-1-4244-2284-5

DOI: 10.1109/MMET.2008.4580918

24. E. Ibarra Olivares, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson y J. L. Del-Río-Correa

“Numerical calculation of the Lyapunov exponent for the logistic map”


DOI: 10.1109/MMET.2008.4581011

25. A. Rendón-Nava, L. Niño-de-Rivera-y-O, V. Ponomaryov, M. Cuz Irisson, R Vazquez M

“Intraocular pressure system inside vitreous humor”


DOI: 10.1109/MMET.2008.4581013

26. A. Miranda, F.A. Serrano, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson

“Nanoelectronic of Si and Ge: A semi-empirical approximation”

The 52nd IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS 2009)

Página (s) 859-863 ISSN: 1548-3746

ISBN: 978-1-4244-4479-3

INSPEC Accession Number: 10868535 DOI: 10.1109/MWSCAS.2009.5235902

27. R. Vazquez-Medina, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson, J.L. Del-Río-Correa y J. López-

Hernández

“Statistical Criteria of Design for Chaotic Analog Noise Generators”


Página (s) 152-155 ISSN: 1548-3746

ISBN: 978-1-4244-4479-3

http://www.icscrm2007.org/

http://ieeexplore.ieee.org/search/freesrchabstract.jsp?arnumber=4580958&isnumber=4580881&punumber=4569857&k2dockey=4580958@ieeecnfs&query=4580958%3Cin%3Earnumber&pos=0




http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Flpdocs%2Fepic03%2Fwrapper.htm%3Farnumber%3D5235902&authDecision=-203

http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Flpdocs%2Fepic03%2Fwrapper.htm%3Farnumber%3D5235902&authDecision=-203


28. A. Miranda, A.E. Ramos, M. Cruz-Irisson

“Electronic Band Structure of Cubic Silicon Carbide Nanowires”

Materials Science Forum, 600-603, 575-578 (2009). ISSN: 1662-9752

http://www.scientific.net/MSF.600-603.575

Indizada en: SCOPUS

29. E. Ramos-Diaz, M. Cruz-Irisson, L. Nino de Rivera y V. Ponomaryov

“3D Color video conversion from 2D video sequence using stereo matching technique”


Página (s) 739-742 ISSN: 1548-3746

ISBN: 978-1-4244-4479-3


30. F.A. Serrano, L. Niño de Rivera, V. Ponomaryov y M. Cruz-Irisson

“Optical vibrational states of diamond nanocrystals”


Página (s) 864-868 ISSN: 1548-3746

ISBN: 978-1-4244-4479-3


31. E. Lopez-Delgadillo, J. Díaz-Méndez, M. Garcia-Andrade, R. Vazquez-Medina, M. Cruz-

Irisson,

“A Current Mirror Based Wide Tuning Range Active Resistor in CMOS Technology”

IEEJ International Analog VLSI Workshop 13th Edition, AVLSIWS 2010

8-10 septiembre 2010, Pavia, Italia

Organizado por: The lnstitute of Electrical Engineering of Japan and University of Pavia

Página (s) 199-204.

32. J.A. Martínez-Ñonthe, A. Díaz-Méndez, M. Cruz-Irisson, L. Palacios-Luengas J.L. Del-Río-

Correa, and R. Vázquez-Medina

“Cryptosystem with One Dimensional Chaotic Maps”

4th International Conference, CISIS 2011,

June 8-10, 2011Torremolinos-Málaga, España

Herrero, Álvaro; Corchado, Emilio (Eds.)

Lecture Notes in Computer Science, Vol. 6694, Página (s) 190-197 (2011) ISBN 978-3-642-21322-9

33. E Carvajal, R Oviedo-Roa, M Cruz-Irisson, O Navarro

“On the bonding nature of electron states for the Fe-Mo double perovskite”

7th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2011). AIP Conference Proceedings 1598, 18 (2014)

doi: 10.1063/1.4878269 ISBN: 978-0-7354-1232-3

34. A. Trejo, E. Carvajal, R. Vázquez-Medina, y M. Cruz-Irisson

“Electronic states of lithium passivated germanium nanowires: An ab-initio study”

7th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2011).

AIP Conference Proceedings 1598, 114 (2014) doi: 10.1063/1.4878289

ISBN: 978-0-7354-1232-3

35. J. Pilo, J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson and O. Navarro

http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?tp=&arnumber=5236131&isnumber=5235877

http://www.scientific.net/MSF.600-603.575

http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?tp=&arnumber=5235991&isnumber=5235877

http://scitation.aip.org/content/aip/proceeding/aipcp/10.1063/1.4878269

http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.4878269

http://scitation.aip.org/search?value1=A.+Trejo&option1=author&noRedirect=true

http://scitation.aip.org/search?value1=E.+Carvajal&option1=author&noRedirect=true

http://scitation.aip.org/search?value1=R.+V%c3%a1zquez-Medina&option1=author&noRedirect=true

http://scitation.aip.org/search?value1=M.+Cruz-Irisson&option1=author&noRedirect=true

http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.4878289

“Electronic Properties and Magnetic Moment Distribution on Perovskite Type Slabs:

Sr2FeMoO6, SrFeO3 and SrMoO3”

20th International Conference on Magnetism

Physics Procedia 75, 1035 (2015) doi:10.1016/j.phpro.2015.12.172

ISSN: 1875-3892

http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2015.12.172

TRABAJOS PRESENTADOS (en congresos internacionales)

1. “Observation of Wave Localization in Penrose Lattices” C. Wang, O. Navarro, M. Cruz, R. Fuentes, R. A. Barrio,

International Symposium on the Physics and Chemistry of Finite Systems: From Clusters to Crystals,

Richmond, Virginia, U. S.A.

(octubre 8-12, 1991).

2. “Raman Response of Porous Silicon”, Miguel Cruz, Chumin Wang

3th International Conference on Electrical Transport and Optical Properties of Inhomogeneous Media,

Guanajuato, Gto., México,

(agosto 9-13, 1993), Organizado por: CIFMAAC.

3. “Electronic Properties of Porous Silicon” M. R. Beltran, C. Wang, M. Cruz, J. Tagüeña,

CAM94 Physics Meeting, Cancún, Q. Roo, México,

(septiembre 26-30, 1994). Organizado por: Sociedad Mexicana de Física

4. “Electronic Properties of Porous Silicon” M. R. Beltran, J. Tagüeña, M. Cruz, C. Wang,

Materials Research Society 1994 Fall Meeting, Boston, Mass., USA,

(noviembre 28 – diciembre 2, 1994), Organizado por: Materials Research Society

5. “Band Structure of Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,

1995 March Meeting of the American Physical Society, San José, California, USA, (marzo 20-

24,1995), Organizado por: American Physical Society

6. “Raman Response and Band Structure of Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, J. Tagüeña, C. Wang,

IV International Conference on Advanced Materials, Cancún, Q. Roo, México

(agosto 27-Sept. 1, 1995), Organizado por: IUMRS

7. “Quasi-Confinement Effects in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,

188th Meeting of the Electrochemical Society, Chicago, Illinois, USA,

(octubre 8-13, 1995),

Organizado por: Electrochemical Society

8. “Characterization of Pore Morphology in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,

Material Research Society 1996, Spring Meeting, San Francisco, Ca., USA,

(abril 8-12, 1996),

Organizado por: Materials Research Society.

9. “Oscillator Strength Analysis on Quasi-confinement in Porous Silicon” M. R. Beltran, C. Wang, M. Cruz, J. Tagüeña,

International School of Solid States Physics, 9th Workshop, Erice, Sicilia, Roma,

(june 10-14, 1996). Organizado por: EPS, GNSM/CNR, MURST

10. “Quasi-Confinement, Localization and Optical Properties in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,

European Materials Research Society 1996 Spring Meeting, Strasbourg, Francia,

(junio 4-7, 1996), Organizado por: European Materials Research Society

11. “Efficient Non-Vertical Interband Transitions in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,

4th Intl. Conf. On Electrical Transport and Optical Properties of Inhomogeneous Media, Sn. Petersburgo-

Moscú, Rusia,

(Julio 23-30, 1996), Organizado por: Russian Academy of Sciences

12. “Computational Modeling of Electronic and Optical Properties in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,

3rd UNAM-CRAY Supercomputing Conference, México, D. F., México,

(agosto 13-16, 1996), Organizado por: UNAM

13. “Analysis of Interband Transition Calculations of Porous Silicon” M. R. Beltran, M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña,

International Symposium on Solar Energy Materials, Cancún, Q. Roo, México, (septiembre 2-6, 1996), Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales

14. “A Microscopic Model for the Dielectric Function of Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,


(diciembre 2-6, 1996). Organizado por: Materials Research Society

15. “Theoretical Aspects of Porous Silicon” M. R. Beltran, C. Wang, M. Cruz, J. Tagüeña,

International Workshop on the Current Problems in Condensed Matter: Theory and Experiments, Hotel

Hacienda Cocoyoc, Morelos, México,

(enero 5-9, 1997), Organizado por: CONACyT-SEP

16. “A Computing Model for Porous Silicon” M. R. Beltran, M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña,

International Materials Research Congress, Cancún ´97, Cancún, Q. Roo, México, (septiembre 1-4,

1997), Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales

17. “A Tight Binding Model for Optical Properties for Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,


(diciembre 1-5,1997), Organizado por: Materials Research Society

18. “Excited States in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,

XIV Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido: Leo Falicov, Oaxaca, Oax. México,

(enero 11-16, 1998), Organizado por: FELASOFI

19. “Electronic and Optical Properties of Porous Silicon” M. R. Beltran, M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña,

Reunión de Inverno 1998: New Horizons in Materials Science, Juriquilla, Qro. México, (enero 27-30,

1989), Organizado por: IIM-UNAM

20. “Interband Transitions in Undulating Silicon Quantum Wires and Optical Properties of Porous

Silicon” Yuri G. Rubo, J. Tagüeña, M. R. Beltran, M. Cruz, C. Wang,

American Physical Society : 1998 March Meeting, Los Angeles, Ca. USA,

(marzo 16-20, 1998), Organizado por: American Physical Sosciety

21. “Optical Absorption in Porous Silicon” C. Wang, M. Cruz, M. R. Beltran, J. Tagüeña,

Porous Semiconductor Science and Technology, Mallorca, Spain,

(marzo 16-20, 1998), Organizado por: Universidad Técnica de Valencia

22. “Recombination Rate in Porous Silicon” M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, J. Tagüeña,

III Encuentro Internacional de Físicos de la Región Inca, Cusco, Perú,

(junio 15-20, 1998), Organizado por: Universidad Nacional de San Antonio Abad del Cusco

23. “Tight-binding Description of Disordered Nanostructures: an Application to Porous Silicon”, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo, M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang,

Ninth International Conference on Solid Films Surfaces (ICSFS-9), Copenhague, Dinamarca,

(Julio 6-10, 1998), Organizado por: University of Copenhagen

24. “Electronic States and Optical Spectra in Porous Silicon”, M. Cruz, C. Wang, M. R. Beltran, Yuri G. Rubo, J. Tagüeña,

International Materials Research Congress, Cancún, México

(agosto 30-septiembre 4, 1998), Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales

25. “Dielectric Function of Porous Silicon within the Supercell Model” J. Tagüeña, Yuri G. Rubo, M. R. Beltran, C. Wang, M. Cruz,

1999 March Meeting of the American Physical Society, Atlanta, G. USA,

(marzo 22-26, 1999), Organizado por: American Physical Society

26. “Semiempirical Supercell Approach to Calculate the Interband Optical Transitions in Porous

Silicon” M. Cruz, C. Wang, M. R. Beltran, Yuri G. Rubo, J. Tagüeña,

International Materials Research Congress, Cancún, Q. Roo, México,

(agosto 29- septiembre 2, 1999), Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales

27. “Supercell Approach to Calculate the Dielectric Function of Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang, M. R. Beltran, Yuri G. Rubo, J. Tagüeña,

15th Latinamerican Symposium on Solid State Physics ( SLAFES-XV), Cartagena, Col. (noviembre 1-5,

1999), Organizado por: Sociedad Colombiana e Física

28. Computation of the Porous Si Dielectric Function in the Supercell Model and Comparison with

Experiment” J. Tagüeña, Yuri G. Rubo, M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang,


(noviembre 29-diciembre 3, 1999),

Organizado por: MRS

29. “A Theoretical Study for the Dielectric Constant of Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang, M. R. Beltran, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo,

Porous Semiconductors Science and Technology, Madrid España,

(marzo 12-17,2000),

Organizado por: Universidad Politécnica de Valencia

30. “Efectos de la Superficie en las Propiedades Ópticas del Silicio Poroso”

M. Cruz-Irisson

VII Encuentro Nacional de Óptica, Armenia, Colombia,

(septiembre 25-29, 2000), Organizado por: Universidad del Quindío

31. “Quantum Effects on the Dielectric Function of Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo,

Materials Research Society 2000, Fall Meeting, Boston, Ma., USA

(noviembre 27- Diciembre 1, 2000), Organizado por: Materials Research Society

}

32. “Phonon and Raman Scattering in Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang,

5th International Conference on Theoretical and Computational Acoustics (ICTCA’2001), Beijing, China;

(mayo 21,25, 2001), Organizado por: Academia de Ciencias de China

33. “Quantum and Effective Medium Approaches to the Surface Effects in Porous Silicon”

M. Cruz, S. F. Díaz, C. Wang, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo, Congreso Latinoamericano de Ciencias y Superficies (CLACSA X), San José, Costa Rica

(julio 3-6, 2001), Organizado por: Universidad de Costa Rica

34. “Propiedades Fonónicas del Silicio Poroso” M. Cruz, C. Wang,

III Congreso de la Sociedad Venezolana de Física, Caracas, Venezuela

(diciembre 10-14, 2001), Organizado por: Sociedad Venezolana de Física

35. “Supercell Approach to the Electronic, Optical, and Vibrational Properties of Porous Silicon”

M. Cruz, C. Wang, J. Tagüeña, Yuri G. Rubo,

3d International Conference Porous Semiconductors –Science and Technology (PSST-2002), Puerto de la

Cruz, Tenerife, España

(marzo 10-15, 2002), Organizado por: Universidad Politécnica de Valencia

36. “Electronic States and Optical Transitions Properties of Silicon Nanocrystals”

D. Guzmán, R. Vázquez, M. Cruz, 12th General Conference of the European Physical Society (EPS-12), Budapest, Hungría,

(agosto 26-30, 2002), Organizado por: European Physical Ssociety

37. “Optical Properties of Silicon Nanocrystals” M. Cruz, D. Guzmán, U. Corona

International Conference on Luminiscence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL-02), Budapest,

Hungría,

(agosto 24-29, 2002), Organizado por: Technion-Israel Institute of Technology

38. “Propiedades Electrónicas de Nanoestructuras de Silicio” D. Guzmán, U. Corona, M. Cruz,

XXIV Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica (Electro-2002), Chihuahua, Chih., México,

(octubre 21-25, 2002). Organizado por: Instituto Tecnológico de Chihuahua

39. “A Semi-Empirical Tight-Binding Theory of the Dielectric Constant of Silicon Quantum Wires” D. Guzmán, U. Corona, M. Cruz,

The XXIII Conference on Solid State Science & Workshop on Physics and Application Potential of Functional

Ceramic Thin Films, Sharm El-Sheikh, Sinai, Egipto, (septiembre 28 – octubre2, 2002),

Organizado por: The Egyptian of Solid State Science and Applications

40. “Propiedades Vibracionales del Silicio Poroso” M. Cruz, C. Wang,

XVI Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido, Mérida, Venezuela, (Diciembre 2-5, 2002), Organizado por: Sociedad Venezolana de Física

41. “Computational modeling of electronic properties of germanium nanocrystals” M. Cruz, U. Corona, P. Alfaro,

21st European Crystallographic Meeting, Durban, South Africa,

(agosto 24-29, 2003), Organizado por: European Crystallographic Society

42. “Electric current of hot electrons in semiconductors thin films” Y. Gurevich, H Lohvinov, M. Cruz-Irisson, O. Titov, G. Espejo,

XI Latin American Congress of Surface Science and its Applications, Pucon, Chile,

(diciembre 7-12, 2003), Organizado por: Universidad Técnica Federico Santa María

43. “Optical matrix elements in tight-binding calculation applied to Ge nanostructures” M. Cruz-Irisson, D. Guzmán, V. Rashkovan,

Twelfth International Workshop on the Physics of Semiconductors Devices, Madras-Chennai, India,

(diciembre 16-20, 2003), Organizado por: Indian Institute of Techonology Madras

44. “Modeling of Raman Scattering in Porous Silicon” M. Cruz, C. Wang,

4-th International conference Porous Semiconductors-science and Technology,

Cullera-Valencia, España,

(marzo 14-19, 2004), Organizado por: Universidad Politécnica de Valencia

45. “Theoretical approach of the electronic and optical properties of Ge nanowires” M. Cruz-Irisson

Pacific Rim conference in Nano Science,

Broome, Western Australia,

(septiembre 7-12, 2004), Organizado por: Curtin University of Technology

46. “Radiation_Stable Photovoltaic Converters Based on In2Te3-Type Semiconductors” Y. Gurevich, H Lohvinov, M. Cruz-Irisson, O. Volovichev, G. Espejo,

1st International Conference on Electrical and Electronic Engineering and X Conference on Electrical

Engineering,

Acapulco, Gro. México,

(septiembre 8-10, 2004) ISBN: 0-7803-8531-4

DOI:10.1109/ICEEE.2004.1433836

Organizado por: IEEE-CINVESTAV

47. “Estructura de Bandas Electrónicas de Nanoalambres de Germanio” U. Corona, M. Cruz, A. Miranda,

XXVI Congreso Internacional de Ingeniería Electrónica – ELECTRO 2004,

Chihuahua, Ch.

(octubre 27-29, 2004), Organizado por: Instituto Tecnológico de Chihuahua

48. “Hydrogenated Ge Nanocrystals: Band Gap Evolution with Increasing Size” P. Alfaro, A. Miranda, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson,

12th Brazilian Workshop on Semiconductors Physics, BWSP-12,

San José Dos Campos, SP, Brasil,

(Abril 4-8, 2005) Organizado por: Sociedad Brasileira de Física

49. “A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires”, Miranda, R. Vázquez, I. Lobota, M. Cruz-Irisson,

“Quantum confinement effects in Ge nanocrystals”, P. Alfaro, L. Niño de Rivera, V. Rashkovan, M. Cruz-Irisson

International Conference Crystals Materials ´2005´,

Kharkov, Ucrania,

(mayo30-junio2, 2005), Organizado por: Nacional Academy of Sciences Ukraine

50. “Espectro disperso para canales subliminales esteganográficos (CSE)” C. Ortega-Laurel, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson y R.A. Valverde-Domínguez

3er Congreso Iberoamericano de Seguridad Informática (CIBSI),

Valparaíso, Chile,

(noviembre 21-25, 2005) Organizado por: Universidad Técnica Federico Santa María.

51. “Tight-binding calculations on the electronic properties of silicon nanocrystals”, A. Miranda, P. Alfaro, G. Logvinov, M. Cruz-Irisson, A. E. Ramos,

“Surface heat capacity and surface heat impedance”, Y. G. Gurevich, G. Logvinov, M. Cruz-Irisson, Igor. M. Lashkevish

Latin American Congress of Surface Science and its Applications, 12º CLACSA,

Angra dos Reis, RJ, Brasil,

(diciembre 5-9, 2005), Organizado por: Sociedad Brasileira de Física

52. “The one phonon Raman spectrum of silicon nanostructures”, P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang,

NanoSingapore 2006 IEEE Conference on Emerging Technologies-Nanoelectronics Meritus-Mandarin, Singapore,

(enero 10-13, 2006). Organizado por: IEEE-Institution of Engineers Singapore

53. “A comparative study of ab-initio and tight-binding approaches to porous semiconductors” M. Cruz, L.A. Pérez, C. Wang

5-th International conference Porous Semiconductors-science and Technology (PSST 2006),

Barcelona, España,

(marzo, 2006) Organizado por: Universidad Politécnica de Valencia

54. “Ab-initio and tight-binding studies of porous Si and Ge” M. Cruz, L.A. Pérez, C. Wang

“Computational modeling of electronic and optical properties of germanium nanowires D. Guzmán, P. Alfaro, M. Cruz-Irisson

International Conference on Nanostructured Materials (NANOMAT 2006),

Antalya, Turquía

(junio 21-23, 2006) Organizado por: METU-Center, Middle East Technical University y European Nanotechnology Gateway

55. “Density of States of Germanium Quantum Wells” A. Miranda, M. Cruz-Irisson,

“Electronic properties of silicon quantum Wells” D. Guzmán, M. Cruz-Irisson

XV International Materials Research Congress (IMRC 2006)

Cancún, Q. Roo, México

(agosto 20-24, 2006) Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales, A.C.

56. “Semiempirical supercell approach to calculate the electronic and optical properties of Si

quantum wires” D. Guzmán, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson

“A comparative study of ab-initio and tight-binding approaches to porous semiconductors” M. Cruz, L. A. Pérez, C. Wang

XVIII Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES 06) Puebla, Pue., México

(noviembre 20-24, 2006) Organizado por: Instituto de Física-BUAP, IIM-UNAM

57. “Computational modeling of electronic density of states of silicon nanowires” A. Miranda, D. Guzmán, H.M. Pérez-Meana y M. Cruz-Irisson

2nd International Conference on Electronic Design (ICED2006) Veracruz, Ver., México.

(Noviembre 21-23, 2006) Organizado por: INAOE, IEEE

58. “One-Dimensional Electronic States on the Silicon Carbide Nanocrystals” D. Guzmán, A. Miranda, P. Alfaro, and M. Cruz-Irisson

Advanced Materials and Nanotechnology (AMN-3)

Wellington, New Zealand,

(11-16 febrero, 2007), Organizado por: The MacDiarmid Institute

59. “Electronic and Optical Properties of Ordered Porous Germanium” D. Guzmán, M. Cruz, C. Wang

“Vibrational status in Low-dimensional Structures: An Application to Si Quantum Wires” P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang

The Sixth International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2007)

San Andrés, Colombia,

(15-20 abril, 2007) Organizado por: Nottingham University, UK; CINVESTAV-México; U. del Valle, Colombia.

60. “Vibrational Properties of Birefringent Porous Silicon”

P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang

2nd International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials Alvor, Algarve, Portugal

(9-11 julio 2007) Organizado por: University of Aveiro

61. -SiC Nanostructures: Evolution band gap with increasing size J.L. Cuevas, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson;

Theoretical study of optical transition in Ge nanostructures A. Miranda and M. Cruz-Irisson;

Phonon confinement effects in Ge nanowires P. Alfaro, M. Cruz, C. Wang

Aproximación de dos temperaturas aplicada al Enfriamiento Termoeléctrico en la unión de las

aleaciones de Bi2Te3 y Sb2Te3;

F. A. Serrano Orozco, H. Lohvinov, M. Cruz International Congress Materia 2007

Morelia, Mich.

(7-12 octubre, 2007) Organizado por: IIM-UNAM, UMSNH.

62. “Band Gap Evolution of Hydrogenated Porous Silicon Carbide” A. Miranda, J.L. Cuevas and M. Cruz-Irisson

“Raman Scattering from Phonons in Germanium Nanostructures” P. Alfaro, M. Cruz, and C. Wang

XVI International Materials Research Congress IMRC-2007 Cancun, Q. Roo,

(19-23 agosto, 2007). Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales, A.C.

63. “Semi-empirical calculations of the optical matrix elements: An application to Ge nanowires” A. Miranda, L.A. Pérez, and M. Cruz-Irisson;

“Quantum confinement effects on electronic properties of hydrogenated -SiC nanowires” A. Miranda, L.A. Pérez, and M. Cruz-Irisson.

Latin American Congress of Surface Science and its Applications CLACSA XIII

Santa Marta, Colombia,

(3-7 diciembre, 2007). Organizado por: Angela S.Camacho B., Universidad de los Andes, Bogotá-Colombia,

64. “Modelling of Electronic and Phononic States of Ge Nanostructures” A. Miranda, M. Cruz-Irisson y C. Wang

“Optical matrix elements in tight-binding approach of hydrogenated Si nanowires A. Miranda, R. Vázquez, A. Díaz-Méndez y M. Cruz-Irisson

“Chaotic Noise MOS Generator based on Logistic Map” A. Díaz-Méndez, J. V. Marquina-Pérez, M. Cruz-Irisson, R. Vázquez-Medina, J. L. Del-Río-Correa

Workshop on Recent Advances of Low Dimensional Structures and Devices Nottingham, Inglaterra

(7-9 April 2008), Organizado por: School of Physics & Astronomy, University of Nottingham

65. “Dielectric function in semi-empirical tight-binding theory applied to crystalline diamond” Miranda, A., Ponomaryov, V., de Rivera, L. Nino, Vazquez, R., Cruz-Irisson, M.

12th International conference on Mathematical methods in electromagnetic theory, MMET 2008 Odesa, Ucrania

(29 Junio -2 julio, 2008) Organizado por: Nacional Academy of Sciences Ukraine.

66. “Quantum confinement effects on the electronic and phonon states in diamond nanowires” L. A. Boisson, P. Alfaro, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson

19th European on diamond, diamond-like materials, carbon nanotubes and nitrides, DIAMOND

2008,

Sitges, España

(7-11 septiembre, 2008) Organizado por: ELSEVIER

67. “Tight-binding calculations of the optical matrix: An application to Ge quantumwires” A. Miranda, M. Cruz-Irisson,

“Quantum confinement effects on electronic properties of hydrogen 3C-SiC nanowires” A. Miranda, A.E. Ramos y M. Cruz-Irisson,

15th International conference on superlattices, nanostructures and nanodevices (ICSNN 2008) Natal, Brasil

(Agosto 3-8, 2008) Organizado por: Universidade Federal do Ceará (Brazil)

68. “Electronic and optical properties of Ge nanostructures: an ab-initio study”

A. Miranda, M. Cruz-Irisson y C. Wang XVII International Materials Research Congress


(Agosto, 2008) Organizado por: Academia Mexicana de Ciencia de Materiales

http://scholar.google.com/url?sa=U&q=http://doi.wiley.com/10.1002/1521-396X(200101)183:1%253C157::AID-PSSA157%253E3.3.CO%253B2-G

69. “Confinement and morphological effects on the Raman response of porous silicon: theory and

experiment”

Adriana Cazares, Monserrat Bizarro, Miguel Cruz-Irisson, Chumin Wang

E-MRS 2008 Fall Meeting, Varsovia, Polonia

(Septiembre 15-19, 2008)

Organizado por: E-MRS

70. “Phonon confinement effects on optical modes of diamond nanowires” F. A. Serrano, P. Alfaro, L. A. Boisson, and M. Cruz-Irisson

The International Conference for Nanotechnology Industries,

Riyadh, Arabia Saudita,

(5-7 abril, 2009) Organizado por: King Saud University, King Abdullah Institute for Nanotechnology

71. “A first principle study of the electronic states of hydrogenated β-SiC nanowires” A. E. Ramos, M. Calvino, and M. Cruz-Irisson.

“A microscopic supercell model for the dielectric function of germanium nanowires”

F. A. Serrano, A. Trejo, and M. Cruz-Irisson

Nano and Giga Challenges, in electronic, photonics and renewable energy & 14th Canadian semiconductor technology conference

Hamilton, Ontario, Canada

(10-14 agosto, 2009). Organizado por: McMaster University

72. “Electronic and optical properties of germanium nanostructures: an ab-initio study”

A. Miranda, M. Cruz-Irisson y C. Wang

2009 Villa conference on interactions among nanostructures (VC-IAN) Ritz Carlton, St.Thomas, Islas Vírgenes, USA

(6-11 septiembre, 2009)

Organizado por: Arkansas University

73. “Tight-binding modeling of electronic states in hydrogenated diamond nanowires”

F. A. Serrano and M. Cruz-Irisson

“Size effects in Raman scattering of diamond nanowires: A theoretical approach”

F. A. Serrano and M. Cruz-Irisson

International conference on carbon nanostructured materials-CNANO´09 Santorini, Grecia

(4-8 octubre, 2009)

Organizado por: Theoretical & Physical Chemistry Institute, National Hellenic Research Foundation

74. “Theory of Raman scattering of confined optical phonons in Si and Ge nanostructures” P. Alfaro, M. Cruz-Irisson, and C. Wang

The 13th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter Taipei, Taiwan

(19-23 abril, 2010) Organizado por: National Taiwan University

75. “Theoretical study of the vibrational and electronic properties in diamond nanostructures”

F. A. Serrano, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson,

“The effects of Lithium on the surface passivation of Ge nanowires” J. Tokunaga, A. Trejo, E. Carvajal, and M. Cruz-Irisson

“Electronic and optical properties of hydrogenated 3C-SiC nanowires” J.L. Cuevas, M. Calvino, and M. Cruz-Irisson

NANOTECHSAMN, Seven International Topical Meeting on Nanostructured Materials and

Nanotechnology

76. “Theoretical study of Infrared and Raman response of ordered porous germanium” A. Trejo, F. A. Serrano, and M. Cruz-Irisson

International Materials Research Congress (IMRC XIX)


(15-19 agosto, 2010) Organizado por: Sociedad Mexicana de Materiales, A.C.

77. “First-Principles Study of Fe-Mo Double Perovskites” E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson and O. Navarro

IX Latin American Workshop on Magnetis, Magnetic Materials and their Applications Manizales, Colombia

(22-24 julio, 2010)

Organizado por: Universidad Nacional de Colombia.

78. “Effects of the Molecular Doping and Quantum Confinement on the Electronic Properties of

Silicon Nanowires” A. Miranda, X. Cartoixà, M. Cruz-Irisson, and R. Rurali

“Raman scattering in nanostructured semiconductors: an application to Si and Ge” P. Alfaro, R. Cisneros, M. Bizarro, M. Cruz-Irisson and C. Wang

Surface passivation and anisotropic effects in β-SiC nanostructures from first principles J.L. Cuevas, A. Trejo, M. Calvino, and M. Cruz-Irisson

15th International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters (ISSPIC-XV), Oaxaca, Oax.


Organizado por: Instituto de Física-UNAM.

79. “Phonon band structure of porous Ge from ab-initio supercell calculation”

A. Trejo, R. Vázquez-Medina, & M. Cruz-Irisson

“Phonon optical modes and electronic properties in diamond nanowires” A. Trejo, A. Miranda, A. Díaz-Mendez & M. Cruz-Irisson

4th International conference Micro & Nano 2010 on Micro-Nanoelectronics, Nanotechnologies & MEMs Atenas, Grecia

(12-15 diciembre, 2010)

Organizado por: Institute of Microelectronics: NCSR “Demokritos”

80. “Density functional theory study of lithium defects on hydrogenated Germanium nanowires”

J. L. Cuevas, A. Trejo, E. Carvajal, and M. Cruz-Irisson

“Anisotropy effects on the electronic states of porous β-SiC” J. L. Cuevas, A. Trejo, and M. Cruz-Irisson

NANOTECH 2011

Tuxtla Gtz, Chiapas, México

(22-25 mayo, 2011)

Organizado por: Centro de Investigaciones en Óptica (CIO), UNACH.

81. “On the Bonding Nature of Electron States for the Fe-Mo Double Perovskite” E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson and O. Navarro

Electronic States of Lithium Passivated Germanium Nanowires: An ab-initio Study A. Trejo, J. L. Cuevas, E. Carvajal, M Cruz-Irisson

“Digital Noise Generators Using One-Dimensional Chaotic Maps” J.A Martínez-Ñonthe, L. Palacios-Luengas, M. Cruz-Irisson, J. A. Díaz Méndez, and R. Vazquez Medina

7th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD 2011) Telchac, Yucatán, México

(22-27 May, 2011)

Organizado por: Dpto. de Física, CINVESTAV-DF

82. “Infrared and Raman responses of germanium nanostructures from ab-initio calculations” A. Trejo, E. Carvajal y M. Cruz-Irisson

Fe-Mo Double Perovskite: from Small Clusters to Bulk Material E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson y O. Navarro

XX International Materials Research Congress (IMRC 2011)


(14-19 agosto, 2011) Organizado por: Sociedad Mexicana de Ciencia de Materiales, A.C.

83. “Effect of lithium surface passivation on electronic states of Ge nanowires: A density-functional theory

study” A. Trejo, J. L. Cuevas, E. Carvajal, and M. Cruz-Irisson

VII International workshop on semiconductor surface passivation (SSP 2011)

Cracovia, Polonia


Organizado por: Silesian University of Technology

84. “Modeling of anisotropic and phonon confinement effects in Ge nanowires” A. Trejo and M. Cruz-Irisson

International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2011)

Jeju, Korea (7-10 noviembre, 2011)

Organizado por: The Korean Institute of electrical and Electronic Material engineers (KIEEME)

85. “Chemical passivation effects on the electronic and optical properties of porous Ge: an ab-initio study”

A. Trejo, M. Cruz-Irisson and C. Wang

86. “Ab-initio study of anisotropic and chemical surface modifications of β-SiC nanostructures”

J. L. Cuevas, A. Trejo and M. Cruz-Irisson

XXXVII Congreso de Químicos Teóricos de Expresión Latina, QUITEL 2011

Riviera Maya, México; 4-9 de diciembre, 2011

Organizado por: Gabriel Merino, Universidad de Guanajuato

87. “DFPT and Green’s function approaches to the Raman scattering in nonpolar porous semiconductors”

A. Trejo, P. Alfaro, M. Cruz-Irisson, y C. Wang

“Computational simulation on the effects of Oxygen on Electronic Sates of Hydrogenated 3C-porous-SiC”

M. Calvino, A. Trejo, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson

Porous Semiconductors - Science and Technology Conference, PSST-2012

Málaga, España, 25-30 de marzo, 2012

Organizado por: Instituto de Materiales, Universidad de Valencia

88. “Raman Scattering of Nonpolar Nanoporous Semiconductors From First Principles and Green’s

Function Approaches”


First International Symposium on Nanoscience and Nanomaterials Ensenada, México, 2-16 de marzo 2012

Organizado por: Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAM

89. “Green's function and first principles simulations of Raman scattering in Si and Ge nanoestructures”


Physics Boat workshops 2012 Helsinki-Estocolmo, 15-17 de mayo 2012

Organizado por: Universidad de Aalto, Helsinki, Finlandia

90. “First principles study on the electronic and structural properties of Porous 3C-SiC: Role of the dangling

bonds”

A. Trejo, M. Calvino, E. Ramos, y M. Cruz-Irisson

“Anisotropic effects on the radial breathing mode of Silicon nanowires: An ab initio study” A. Trejo, M. Ojeda and M. Cruz-Irisson

“Surface dangling bonds effects on the electronic states of hydrogenated 3C-SiC nanowires”

A. Trejo, J.L. Cuevas, F. Salazar,

“Bio-octahedral clusters from Fe-Mo double perovskitas: stability of the half-metallic electronic

behavior”

S.E. Pérez, E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, G.I. Duchen, M. Cruz-Irisson, M. Cruz-Irisson

XXI International materials research congress

Cancún, México, 12-17 de agosto 2012 Organizado por: Materials Research Society México Cancun

91. “Analysis of a double perovskite: From Fe and Mo octahedral coordinated clusters”

O. A. Cruz, J. Pilo, E. Carvajal, F. Salazar, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson

International Joint meeting Morelia 2013

92. “Surface relaxation and oxygen adsorption behavior of 3C-SiC Porous: an ab-initio study”

M. Calvino, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, I. Rodriguez, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

Evento: Quitel 2012

Lugar de realización: Chiapas, México

Fecha de realización: 24-28 de septiembre 2012

Organizado por: Sociedad mexicana de ciencia y tecnología de materiales A. C.

93. “Theoretical investigations of Silicon Carbide nanowires: anisotropy, geometry, surface modification and electronic

states”

A. Trejo, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, I. Rodriguez, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

Evento: Fifth edition of the International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum

Lugar de realización: Chiapas, México

Fecha de realización: 24-28 de septiembre 2012

Organizado por: Sociedad mexicana de ciencia y tecnología de materiales A. C.

94. “Crystalline order and bonding states in the Fe-Mo double Perovskite”

E. Carvajal Quiroz, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson, O. Navarro

Evento: Fifth edition of the International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum

Lugar de realización: Natal, Brazil

Fecha de realización: 2-7 de diciembre 2012

Organizado por:Dr. Elson Longo, Universidad Paulista Brazil, Chairman

“Ab-initio study of cubic-SiC nanopores: chemical surface modification and electronic structure”

A. Trejo, M. Calvino, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, I. Rodriguez, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

Evento: Quitel 2012

Lugar de realización: Natal, Brazil

Fecha de realización: 2-7 de diciembre 2012

Organizado por: Dr. Elson Longo, Universidad Paulista Brazil, Chairman

95. “Theoretical study of the effects of oxygen and hydroxyl on the surface passivation of ordered mesoporous silicon

carbide”

M. Calvino, A. Trejo, E. Carvajal, F. Salazar, y M. Cruz-Irisson

“Analysis of a double perovskite: From Fe and Mo octahedral coordinated clusters”

O. A. Cruz, J. Pilo, E. Carvajal, F. Salazar, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson

Evento: Third International Conference on Multifunctional, Hybrid and nanomaterials

Lugar de realización: Sorrento, Italia Fecha de realización: 3-7 de marzo 2013

organizado por: Elsevier

96. “Modeling of the surface passivation and size effects on the optical vibrational modes of Ge nanostructures”

Autores: A. Trejo, M. Ojeda, y M. Cruz-Irisson

“Vibrational characterization of Si nanowires and the effect of the anisotropy on their radial breathing mode”

A. Trejo, M. Ojeda, y M. Cruz-Irisson

Evento: International multidisciplinary joint meeting on Nanoscience and Condensed matter

physics 2013

Lugar de realización: Morelia, México Fecha de realización: 15-17 de mayo 2013

Organizado por: Dr. Oracio Navarro, UNAM, Chairman

Falta agregar congresos del 2013 al 2016.

97. "Nanoporous Sr2Fe1+xMo1-xO6: An Ionic Diffusion Model"

E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson, O. Navarro,

2015 Materials Research Society Spring Meeting

Abril 6-10, 2015, San Francisco, CA, USA.

98. “Anisotropic effects on the optical vibrational modes of Ge”

A. Trejo, R. Vásquez-Medina, M. Cruz-Irisson

“Effect of the transition metal ratio on the double perovskite Sr2FeMoO6 bulk material and

a thin slab”

J. Pilo, E. Carvajal, R. Oviedo-Roa, M. Cruz-Irisson, O. Navarro

6th international conference Micro&Nano 2015

Octubre 4-7, 2015, Atenas, Grecia

Organizado por NCSR “Demokritos”

99. “Modelling the effects of Si-X (X=F, Cl ) bonds on the chemical and electronic properties of Si-

surface terminated porous 3C-SiC” M. Calvino, A. Trejo, I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, M. Cruz-Irisson

“Pristine perovskite like structured nanowires excited from Sr2FeMo6” J. Pilo, E. Carvajal, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson, M. I. Iturrios and M. C. Crisóstomo

“Diffusion Path in the Sr-Fe-Mo-O Compounds used for Energy Generation by SOFCs” J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, M. I. Iturrios and M. C. Crisóstomo

“Electronic properties of silicon nanowires saturated with sodium” Miranda, M. Cruz-Irisson, L. A. Pérez

“Theoretical study of the electronic properties of semiconductor nanowires as anodes for lithium

batteries” F. Salazar, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson and L. A. Pérez

Congreso Internacional de Energía 2015

Septiembre 7-11, 2015, Distrito Federal, México

Organizado por la Academia Mexicana de Energía A.C.

100. “Estudio teórico de las propiedades térmicas en sistemas de baja dimensionalidad, usando

el formalismo de Landauer y la función de Green” A. Herrera Carbajal, F. Mendoza Villegas, S. Peláez Martínez, F. Salazar Posadas, M. Cruz-Irisson

“Propiedades mecánicas en Silicio y Germanio cristalino con Litio intersticial: un estudio para

electrodos en baterías de Litio” S. Benítez, F. Salazar, M. C. Crisóstomo, M. Cruz-Irisson

5Th International Congress on Alternative Energies

Noviembre 25-27, 2015, Distrito Federal, México

Organizado por Instituto Politécnico Nacional, Secretaría de Investigación y Posgrado, Red de energía

101. “Estudio teórico de las propiedades mecánicas en Silicio y Germanio cristalino” S. Benítez, F. Salazar, L. A. Pérez, M. Cruz-Irisson

"Propiedades electrónicas de nanoalambres de Sr-Fe-Mo-O"

M. Camacho, I. Ornelas, M. I. Iturrios, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, O. Navarro,

"Energía y distribución de carga asociada a iones en nanoporos del sistema Sr2FeMoO6"

H. Rueda, J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, O. Navarro,

"Capa delgada de Sr-Fe-Mo-O: propiedades físicas" J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson,

4ª Reunión de la División de Materia Condensada

Abril 22-25, 2015, Michoacán, México

Organizado por la División de Materia Condensada, Sociedad Mexicana de Física

102. “Estudio teórico de las propiedades mecánicas en Silicio y Germanio cristalino con Litio

intersticial” F. Salazar, S. Benítez; M. C. Crisóstomo; M. Cruz-Irisson

“Estudio teórico de las propiedades electrónicas y mecánicas de nanoalambres de Si y Ge

pasivados con Li sustitucional aplicado a baterías de Li” F. Salazar, M. Cruz-Irisson, L. A. Pérez

Conductividad térmica usando la fórmula de Kubo Greenwood dentro del formalismo de

Landauer y función de Green A. Herrera, F. Mendoza, F. Salazar, M. Cruz-Irisson

"Propiedades Electrónicas de la Perovskita CH3NH3PbI3 en las Fases Cúbica, Tetragonal y

Ortorrómbica"

I. Ornelas, J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson,

"Propiedades físicas de las capas delgadas SrFeO3, SrMoO3 y Sr2FeMoO6"

J. Pilo, I. Ornelas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson,

LVIII Congreso Nacional de Física

Octubre 5-9, 2015, Yucatán, México

Organizado por la Sociedad Mexicana de Física

103. “Effects of Surface Functionalization with Oxidizing Agents On the Properties of Nanoporous

β-SiC: A Theoretical Model”

M. Calvino, A. Trejo, M. I. Iturrios, M.C. Crisóstomo , E. Carvajal and M. Cruz-Irisson

“Computational Modeling of the Effects of Li Defects on the Electronic and Structural Properties

of Porous Silicon” A. Rodriguez, A. Trejo, F. A. Perdomo and M. Cruz-Irisson

“Electronic Properties and Formation Energy for Pristine Sr-Fe-Mo-O Nanowires” E. Carvajal, M. I. Iturrios, M. C. Crisóstomo, R. Vázquez, M. Cruz-Irisson, O. Navarro

Congress of Theoretical Chemists of Latin Expresion

Julio 26-31, 2015, Turin, Italia

Organizado por Universitá Degli Studi di Torino

104. Computational study of the vibrational properties of Indium

phosphide nanowires”

M. Cruz-Irisson, M. Ojeda, A. Trejo and F. A. Perdomo

“Electronic properties of silicon nanowires for sensing of toxic gases” A. Miranda, F. de Santiago, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Surface Passivation of Silicon Carbide Nanowires by Halogens: an Ab-initio Study”, A. Miranda, M. Ojeda, Luis A. Pérez, M. Cruz-Irisson,

"Formation energy and electronic behavior of pristine SFMO nanowires"

E. Carvajal, R. Vázquez-Medina, M. Cruz-Irisson, O. Navarro

"Ionic diffusion model for nanoporous Sr2Fe1+xMo1-xO6"

E. Carvajal, F. Salazar, M. Cruz-Irisson, O. Navarro

22th Latin American Symposium on Solid State Physics SLAFES 2015

Noviembre 30-Diciembre 4, 2015, Puerto Varas, Chile

Organizado por Universidad Técnica Federico Santa Maria

105. “Ab initio study of the vibrational and electronic properties of [111]-oriented SiC

Nanowires”

A. Trejo, M. Ojeda, J. L. Cuevas, A. Miranda, L. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Anisotropy effects on the vibrational properties and specific heat of Ge Nanowires: A

computational approach” A. Trejo, L. López-Palacios and M. Cruz-Irisson

4th Nano Today Conference

Diciembre 6-10, 2015, Dubai, Emiratos Árabes Unidos

Organizado por Elsevier

106. "Electronic and magnetic properties of an iron perovskite slab" J. Pilo, J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson,

13th European Meeting on Ferroelectricity,

Junio 28-julio 3 2015 Porto, Portugal

Organizado por European Physical Society

107. "X-ray photoelectron spectroscopy studies of the superconducting Mo2B and Mo2BC" R. Escamilla, E. Carvajal, L. Huerta, E. Verín, M. Cruz-Irisson,

"Electronic properties and magnetic moment distribution on perovskite type slabs"

J. Pilo, J. L. Rosas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson, O. Navarro,

20th International Conference on Magnetism,

2015 Barcelona, España,

Organizado por: Sociedad española de magnetismo

108. "Structural and elastic properties of superconducting Mo2B under pressure" R. Escamilla, E. Carvajal, M. Romero, A. Castro, F. Salazar, L. Huerta,

International Materials Research Congress,

Agosto 16-20, 2015, Cancún, México,

Organizado por: Materials Research Society Mexico

2016

109. "Structural phases and electronic properties of the CH3NH3PbI3 perovskite" I. Ornelas, J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

"Comparative theoretical study on iron and molibdenum perovskites"

J. Pilo, I. Ornelas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

Spring Meeting, European Materials Research Society,

Mayo 2-6 Lille, France, 2016

Organizado por European Materials Research Society

110. "Perovskite type thin slabs: a first principles study on their magnetic and electronic

properties" J. Pilo, A. Miranda, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

Julio 10-16 IEEE Magnetics summer school,

Sendai, Japón, 2016.

Organizado por: IEEE

111. "Molecular movement in the CH3NH3PbI3 tetragonal phase"

I. Ornelas, J.J.J. Díaz, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson

International Conference on Nanotechnology, Nanomaterials & Thin Films for Energy

Applications,

Julio 27-29 Liverpool, UK, 2016

Organizado por: University of Liverpool

112. “DFPT Study of the Raman and IR responses of Ge Nanowires”

A. Trejo, A. Miranda, and M. Cruz-Irisson

“Ab-initio Study on the optical properties and vibrational response of 3C Porous Silicon

Carbide” A. Trejo, M. Cruz-Irisson

Physics Boat Workshop 2016

Mayo 31- Junio 2, 2016, Helsinki, Finlandia

Organizado por Aalto University

113. “Chemisorption of adenine- alkali doped Si nanowires: ab- initio study” F. de Santiago, A. Miranda, J.L. Cuevas, A. Trejo, L.A. Pérez, M. Cruz- Irisson,

IX International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum 2016,

septiembre 26 – 30, 2016, Mazatlán, Sinaloa, México

Organizado por Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales

(SMCSyV

114. “Estudio teórico del calor específico y conductividad térmica en un cúmulo de Au13 usando

cálculos de primeros principios y la fórmula de Kubo-Greenwood” F. Mendoza, F. Salazar, M. Cruz-Irisson, L. A. Pérez

“Dopaje molecular en nanoalambres de Si: efectos de los halógenos en la superficie”, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz- Irisson

“Efectos de los enlaces sueltos y el boro en la mediometalicidad de nanoalambres de Si y Ge” F. de Santiago, A. Miranda, A. Trejo, M. Cruz-Irisson

LIX Congreso Nacional de Física

Octubre 2-7, 2016, Guanajuato, México

Organizado por la Sociedad Mexicana de Física

115. “Electronic properties of Ga and As doped silicon nanowires with surface dangling bonds”, F. De Santiago, A. Trejo, A. Miranda, M. Cruz-Irisson

6th Mexican Workshop on Nanostructured Materials,

Octubre 12-14, 2016, Puebla, Puebla, México

Organizado por Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP)

116. Density functional study of Si and Ge nanowires as potential Li storage materials A. González-Macías, F. Salazar-Posadas, A. Trejo-Baños, M. Cruz-Irisson, L.A. Pérez

“Silicon nanowires for energy storage: a DFT energetics comparison for Li, Na and K” F. de Santiago, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Effects of surface passivation by lithium on the mechanical and

electronic properties of silicon nanowires” González-Macías, F. Salazar-Posadas, M. Cruz-Irisson, L.A. Pérez

“Effect of Lithium on the electronic and chemical properties of porous silicon for energy storage

applications” I Gonzalez, A. Trejo, M. Cruz-Irisson

“Silicon nanowires for energy storage: a DFT energetics comparison for Li, Na and K” F. de Santiago, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson

MicroEchem 2016

Noviembre 6-9, 2016, Queretaro, México

Organizado por: International Society of Electrochemistry

117. “Lattice thermal conductivity by the Kubo-Greenwood formula applying Green function and

the Landauer formalism in Au13 cluster and silicon nanowire” S. Peláez-Martínez, L. F. Mendoza-Villegas, J.A. Herrera-Carvajal, F. Salazar-Posadas, M. Cruz-Irisson, L. A. Pérez-López

“DFT study of molecular doping, dangling bonds and nonmagnetic doping in silicon nanowires” F. de Santiago, A. Miranda, A. Trejo, E. Carvajal, L.A. Pérez, M. Cruz- Irisson

12th International Topical Meeting on Nanostructured Materials and Nanotechnology

Noviembre 14-18, 2016, Jalisco, México

Organizado por Sociedad Mexicana de Física, A.C.

118. “Chemical band-gap engineering in fluorinated silicon nanowires” A. Miranda, I. González, A. Trejo, F.A. Perdomo-Hurtado, L.A. Pérez, M. Cruz-Irisson

“Chemical sensing in silicon nanowires: quantum confinement effects” A. Miranda, F. de Santiago, A. Trejo, E. Carvajal, L.A. Pérez

QUITEL 2016, 42nd International Congress of Theoretical Chemists of Latin Expression

November 20-25, 2016, Montevideo, Uruguay

Organizado por Universidad de la República Uruguaya.

119. “Comparative theoretical study on iron and molybdenum perovskites”

J. Pilo, I. Ornelas, E. Carvajal, M. Cruz-Irisson “Structural phases and electronic properties of the CH3NH3PbI3 perovskite”

I. Ornelas, J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz–Irisson

E-MRS, Spring meeting 2016

Mayo 2-6, 2016, Lille, Francia

Organizado por E-MRS

120. “Perovskite type thin slabs: a first principles study on their magnetic and electronic properties”

J. Pilo, E. Carvajal and M. Cruz-Irisson

2016 IEEE Magnetics Society Summer School

July 10-16, 2016, Tohoku University in Sendai, Japón

121. "Molecular Movement in the CH3NH3PbI3 Tetragonal Phase”

I. Ornelas, J. Pilo, E. Carvajal, M. Cruz–Irisson

NANOENERGY 2016 (3rd International Conference on Nanotechnology,

Nanomaterials & Thin Films for Energy Applications)

July 27-29, 2016, Liverpool, UK.

122. "Effect of doping on the electronic properties of diamond nanowires: a first-principles study "

J. Ramírez, F. A. Serrano, M. Ojeda, A. Trejo, A. Miranda, M. Cruz Irisson “Electronic and phononic properties of GaSb quantum wires: a theoretical approach”

M. Ramírez, M. Ojeda, A. Trejo, M. Cruz Irisson "DFT Study of surface F and Cl bonds effects on the electronic states of Si terminated porous SiC"

K. G. Madrigal, M. Calvino, A. Trejo, M. Clarisaila, N. E. Pérez, Miguel Cruz Irisson

IX International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum

Septiembre 26-30, 2016 - Mazatlán, México

123. 12th International topical meeting on nanostructured materials and nanotechnology (Nanotech 2016)

Noviembre 14-18, 2016, Puerto Vallarta, Jalisco, México.

“DFT study of molecular doping, dangling bonds and nonmagnetic doping in silicon nanowires” F. De Santiago, A. Miranda, A. Trejo, E. Carvajal, L.A. Pérez, and M. Cruz-Irisson

“Ab initio study of the electronic properties of Ge nanostructures for applications to lithium batteries”

A. N. Sosa-Camposeco, A. Trejo, M. Cruz-Irisson

2017

124. 6ta reunión anual de la División de Estado Sólido, SMF,

Zacatecas, Zacatecas, México, 27-29 Abril, 2017 El parámetro de Hubbard y las propiedades físicas de capas delgadas de Sr-Fe-Mo-O,

J. Pilo, A. Torres, E. Carvajal y M. Cruz-Irisson,

125. 2017 E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, Francia, 22-26 Mayo, 2017.

Energy band gap for the CH3NH3PbI3 systems and its dependence on the structure and the

organic cation confinement I. Ornelas, J. Pilo, A. Miranda, E. Carvajal, M. Cruz–Irisson

Toxic gases sensing based on silicon nanostructures: an ab-initio study

F. de Santiago, J. E. Santana, A. Trejo, A. Miranda, L. A. Pérez, M. Cruz-Irisson

Electronic properties of hybrid perovskite materials for the design and development of photovoltaic

applications. A theoretical study.

I. Ornelas, J.J.J. Díaz, A. Trejo, E. Carvajal and M. Cruz–Irisson

126. 24th International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructured Materials,

ISMANAM 2017, San Sebastian, Spain, 18-23 Junio 2017

Theoretical modelling of electronic properties of porous germanium applied to lithium batteries A.N. Sosa, A. Trejo, M. Cruz-Irisson

127. XLIIIème Congrès des Chimistes Théoriciens d’Expression Latine Chitel/Quitel 2017

París, Francia, 3-7 Julio, 2017

Optical Vibrational modes of GaSb nanowires from first principles calculations M. Ramirez , M. Ojeda, J. L. Cuevas, A. Trejo, M. Cruz-Irisson

128. The XXIXth IUPAP Conference on Computational Physics CCP2017,

Paris, Francia, 9-13 Julio 2017.

DFT study of the vibrational and electronic properties of InAs nanowires E. López, A. Trejo, M. Cruz-Irisson,

Modelling of the quantum confinement effects on the optical properties of GaSb nanowires

M. Ramírez, A. Trejo, M. Cruz-Irisson

129. Nano and Giga Challenges in Electronics, Photonics and Renewable Energy NGC 2017

Tomsk, Rusia, 18-22 Septiembre, 2017

First principles study of the electronic and optical properties of InAs Nanowires E. López, A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, and M. Cruz-Irisson

Modelling Fe-Mo Double Perovskite Nanowires for Spintronics Applications Dora Fernández, Antonio Torres, Alejandro Trejo, Álvaro Miranda, Rubén Vázquez, Eliel Carvajal, Miguel

Cruz-Irisson

DFT study on the optical and vibrational properties of 3C porous Silicon Carbide A. Trejo, A. Miranda, E. Carvajal, R. Vázquez-Medina and M. Cruz-Irisson

Lithium effects on the mechanical and electronic properties of germanium nanowires A. González-Macías, A. Miranda, F. Salazar, L. A. Pérez, and M. Cruz-Irisson

Carbon monoxide sensing properties of Ga, Al and B-doped Si nanowires José E. Santana, Francisco de Santiago, Alejandro Trejo, Álvaro Miranda, Eliel Carvajal, Luis A. Pérez and

Miguel Cruz-Irisson

130. LX Congreso Nacional de la Sociedad Mexicana de Física,

Monterrey, Nuevo León, México, 8-13 Octubre, 2017

TRABAJOS PRESENTADOS (EN CONGRESOS NACIONALES)

1. “Modos Localizados en la Red de Hori y Asahi”

en el XXXI Congreso Nacional de Física, Monterrey, N.L., México, (octubre 24-28, 1988).

2. “Modos Localizados en la Red de Hori y Asahi II” en el XXXII Congreso Nacional de Física,

Ensenada, B.C., México, (octubre 22-26, 1990).

3. “Bandas Electrónicas en un Sistema Fractal Unidimensional” en el IV Simposio Nacional de

Estado Sólido, Tequisquiapan, Qro., México, (julio 8-11, 1991).

4. “Propiedades Dinámicas del Silicio Poroso”en el XIII Congreso Nacional de la Sociedad

Mexicana de Física de Superficies y de Vacío, Cancún, Quinta Roo,

(septiembre 26-29, 1993).

5. “Propiedades Ópticas del Silicio Poroso”en el 1º Congreso de Estudiantes de IIM-UNAM,

México, D. F. (junio 25-27,1997).

6. “Propiedades Ópticas del Silicio Poroso” en el XL Congreso Nacional de Física, Monterrey,

N. L., (octubre 27-31, 1997).

7. “Silicio Poroso: un material nanoestructurado”en el 2º Congreso de Estudiantes de Ciencia e

Ingeniería de Materiales, IIM-UNAM, México, D. F.,

(junio 24-26, 1998).

8. “Silicio Poroso: un material nanoestructurado” en el XLI Congreso Nacional de Física, San

Luis Potosí, S. L. P,

(octubre 26-30, 1998).

9. “Efecto de las Transiciones no-verticales en la Función Dieléctrica del Silicio Poroso”

XLII Congreso Nacional de Física, Villahermosa, Tab.,

(octubre 25-29, 1999).

10. “Surface Dangling Bonds Effects on the Radiative Lifetimes of Porous Silicon”

20 Congreso Nacional de la Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y Vacío, Oaxaca,

Oax., organizado por SMCSyV, pag. 116,

(agosto 28-septiembre 1,2000).

11. “Modelo de Superceldas en el Estudio de las Propiedades Fonónicas, Electrónicas y Ópticas

del Silicio Poroso”,

XLIV Congreso Nacional de Física, Morelia, Mich.,

(octubre 19-15, 2001).

12. “Density of electronic states of Germanium nanowires” D. Guzmán, P. Alfaro, A. Miranda y M. Cruz-Irisson

Mexican Workshop on Nanostructured Materials, Puebla, Pue.

(mayo 2-4, 2006) Organizado por: Instituto de Física BUAP

13. “Electronic and Vibrational Properties of Porous Silicon”

M. Cruz, C. Wang

“Effects of Morphology on the Electronic Properties of Hydrogenated Silicon Carbide

Nanowires”

A. Miranda, J.L. Cuevas, M. Cruz

Second Mexican Workshop on Nanostructured Materials,

Puebla, Pue.,

(mayo 15-18, 2007) Organizado por: Instituto de Física BUAP

14. “Efectos de la anisotropía y pasivación superficial en las propiedades electrónicas de

nanohilos de SiC cúbico” Marbella Calvino Gallardo, Alejandro Trejo Baños, Miguel Cruz-Irisson

“Estudio de las propiedades electrónicas y fonónicas de nanoalambres de carbono tipo

diamante” Fernando Adán Serrano Orozco, Álvaro Miranda Durán, Miguel Cruz-Irisson

“Implementación CMOS en modo corriente de múltiples mapeos de Bernoulli para la

generación de señales de ruido caóticas” Juan López-Hernández, José Alejandro Díaz-Méndez, Miguel Cruz-Irisson, José Luis del Rio-Correa, Rubén

Vázquez Medina,

LIII Congreso Nacional de Física,

Veracruz, Ver.

(octubre 25-29, 2010) Organizado por: Sociedad Mexicana de Física

15. “Estructura de bandas fonónicas de Germanio Poroso: un estudio ab-initio” A. Trejo, E. Carvajal y M. Cruz-Irisson

“Efecto de la pasivación con O y OH en los estados electrónicos de nanoalambres de 3C-

SiC”

LIV Congreso Nacional de Física

Mérida, Yucatán

(octubre 9-14, 2011) Organizado por: Sociedad Mexicana de Física

Falta agregar congresos del 2011 al 2016.

CONFERENCIAS IMPARTIDAS

“Silicio Poroso: un nuevo material”

en el Coloquio teórico experimental sobre Sistemas Electrónicos en Materiales, IIM-UNAM

(febrero 24, 1997),

“Efectos del Desorden en Silicio Poroso”

en el Seminario de Estudiantes del IIM-UNAM,

(noviembre 25, 1997).

“Materiales Nanoestructurados”

en la IX Semana de la Investigación Científica, ESIME- Culhuacán, IPN,

(marzo, 1998).

“Efectos de la Respuesta Raman en el Silicio Poroso”

Seminario del Centro de Investigación en Energía, UNAM

(marzo, 2000).

“Nanoelectrónica del silicio”

Congreso Estudiantil de la AMIME, Veracruz, Ver.

(septiembre, 2000).

Conferencia Plenaria “Efectos de la Superficie en las Propiedades Ópticas del Silicio Poroso”

VII Encuentro Nacional de Óptica, Universidad del Quindío, Armenia, Colombia

(septiembre, 2000)

Congreso de Polonia, Invited Talk

Congreso de San Luis SMF, Conferencia Plenaria,

Morelia

China

Conferencia Invitada

“Modelado y simulación computacional delas propiedades electrónicas y dinámicas de

nanoestructuras semiconductoras”

CINVESTAV, Tamps.

Septiembre 11, 2014

DISTINCIONES ACADÉMICAS

Premio IIM-UNAM, Certamen Nacional a la Mejor Tesis de Doctoral en el área de Ciencia e

Ingeniería de Materiales 2016.

Premio a la mejor tesis de posgrado 2011 en el IPN a nivel Maestría.

Premio a la mejor tesis de posgrado 2011 en el IPN a nivel Doctorado

Miembro de la Academia Mexicana de Ciencias (noviembre, 2011)

Miembro del Sistema Nacional de Investigadores,

Nivel III (enero

Nivel II (enero de 2008 – a la fecha)

Nivel I (junio 2000- diciembre 2007).

Nivel Candidato (julio 1997- junio 2000),

Becario del Sistema Institucional de Becas por Exclusividad, COFAA-IPN

Becario Permanente “Nivel IV”

Becario del Programa de Estímulos al Desempeño de los Investigadores (EDI), IPN

“Investigador Residente” Nivel IX. (Ingreso: 01 de abril del 2000)

Medalla Gabino Barreda por haber obtenido el promedio más alto en los estudios de la

Maestría, UNAM

(mayo, 1997).

Reconocimiento por el Desempeño Académico en la ESIME-UC, IPN

(mayo, 1996).

Becario del CONACYT para estudios de Maestría

(enero 92-mayo 93).

Becario del CONACYT para estudios de Doctorado

(julio 93-septiembre 96).

Becario del Programa Fundación UNAM de Iniciación Temprana a la Investigación y a la

Docencia PITID,

(Períodos: semestres 95-II y 96-II).

PROYECTOS ACADÉMICOS

1. Responsable del Proyecto PADEP-UNAM 003301 (1995, 1996),

2. Responsable del Proyecto de Investigación: “Propiedades Ópticas del Silicio Poroso” CONACYT 32909-E (diciembre-1999 a diciembre-2000),

3. Responsable del Proyecto de Investigación: “Propiedades Ópticas del Silicio Poroso”,

CGEPI-IPN 990487 (1 de julio de 1999 a 30 de junio del 2000),

4. Responsable del Proyecto de Investigación: “Efectos de la Superficie en las Propiedades

Ópticas del Silicio Poroso” CGEPI-IPN 200695 (01 julio-2000 a 30 junio-2001),

5. Director del Programa de Investigación: "Propiedades Electrónicas, Ópticas y Magnéticas

de Nanoestructuras" CGEPI-IPN 4402 (julio-2001 a junio-2002).

6. Responsable del Proyecto de Investigación: “Modelo de Superceldas Aplicado al Estudio de las Propiedades Fonónicas, Electrónicas y Ópticas del Silicio Poroso”, CGPI-IPN 20021027 (julio-2002

a junio-2003),

7. Responsable del proyecto de investigación: “Modelo computacional de las propiedades

electrónicas y ópticas de nanocristales semiconductores”, CGPI-IPN 20031183, CGPI-IPN

2003

(01 de julio-2003 a 30 de junio de 2005),

8. Responsable del proyecto de investigación: “Emisión y absorción de ondas

electromagnéticas en nanoestructuras de silicio y germanio”, CGPI-IPN 20050303 (30 de junio de 2005 a junio de 2008).

9. Responsable del proyecto de investigación: “El enfriamiento termoeléctrico non-lineal en

estructuras semiconductoras: la teoría nueva y sus aplicaciones”, CONACyT: 25231-F

(Convocatoria Ciencia Básica 2005).

10. Responsable del proyecto de investigación: “Estudio de la estructura de bandas electrónicas

de nanoestructuras de carburo de silicio”, CONACyT-102093 (Convocatoria 2008: Apoyo a estudiantes de licenciatura).

11. Responsable del proyecto de investigación: “Estudio ab-initio de las propiedades

electrónicas y ópticas de nanocristales con estructura de diamante”, SIP-IPN: 20101142, 12. Coordinador del proyecto Multidisciplinario: “Modelado y simulación computacional de

nanoestructuras a partir de cálculos a primeros principios”, SIP-IPN 1439. Módulo I: Efectos de la pasivación química superficial en la estructura atómica de

nanoestructuras de carburo de silicio.

Director: M. en C. María Isabel Iturríos Santos (CECyT N.B.G.)

Módulo II: Estudio de nanoalambres para aplicaciones en criptografía cuántica.

Director: Dr. Rubén Vázquez Medina (ESIME-Culhuacan)

Módulo III: Estudios a primeros principios de los efectos del confinamiento cuántico en

nanocúmulos con estructura tipo perovskita.

Director: Dr. Eliel Carvajal Quiroz (ESIME-Culhuacan)

Módulo IV: Cálculo a primeros principios de las propiedades electrónicas, ópticas y vibracionales

de nanoestructuras.

Director: Dr. Miguel Cruz Irisson (ESIME-Culhuacan)

Monto $850,000.00 (ochocientos cincuenta mil pesos 00/100, M.N.)

Vigencia: enero de 2012 a diciembre de 2013

13. Responsable del Proyecto ICyTDF/199/2012 (PICSO12-085) “Materiales

nanoestructurados biodegradables con aplicaciones a baterías y celdas solares”,

CONVOCATORIA 2012: Ciencia y Tecnología para la Capital del Conocimiento en el

programa ciudad sostenible y la temática de materiales biodegradables.

Monto $1,000,000.00 (un millón de pesos, 00/100, M.N.).

Vigencia: 27 de mayo de2013 a 27 de mayo de 2014.

14. Responsable del Proyecto ICyTDF/325/2011, “Propiedades mecánicas, electrónicas,

ópticas y de transporte en nanoestructuras para aplicaciones a celdas solares y baterías de

litio” otorgado a través de la Red de Nanociencia y Micro-Nanotecnología (RNMN) del IPN,

Monto $1,700,000.00 (un millón setecientos mil pesos, 00/100, M.N.).

Vigencia: 01 de marzo de 2013 a 3 de marzo de 2014.

15. Coordinador del proyecto Multidisciplinario: “Diseño de nanoestructuras con

aplicaciones a baterías de litio a partir de cálculos a primeros principios”, SIP-IPN 1640. Módulo I: “Efectos químicos de la litiación superficial en nanoestructuras semiconductoras”.

Director: M. en C. Margarita Clarisaila Crisóstomo Reyes (CECyT 8, N.B.G.)

Módulo II: “Propiedades mecánicas y electrónicas de nanoalambres semiconductores pasivados

con litio”.

Director: Dr. Fernando Salazar Posadas (ESIME-Culhuacan)

Módulo III: “Propiedades ópticas de nanoestructuras semiconductoras saturadas con litio”.

Director: Dr. Miguel Cruz Irisson (ESIME-Culhuacan)

Monto: $1,050,000.00 (un millón cincuenta mil pesos, 00/100, M.N.)

Vigencia: enero de 2014 a diciembre de 2015

16. Responsable del Proyecto CONACyT 252749 “Modelado y simulación computacional de

las propiedades físicas y químicas de nanoestructuras con aplicaciones a espintrónica y a

energías alternativas.”

Convocatoria Apoyo al Fortalecimiento y Desarrollo de la Infraestructura Científica y Tecnológica

2015.

Monto $4,830,298.00 (cuatro millones ochocientos treinta mil doscientos noventa y ocho

pesos, 00/100, M.N.)

Vigencia: 10 de agosto de 2015 a 10 de agosto de 2016.

COMITES DE EVALUACIÓN

ICyTDF

o 2011Becas para asistencias a congresos nacionales e internacionales

o 2012 Estancias posdoctorales y becas de posgrado

o 2012, Premios Ciudad Capital “Heberto Castillo Martínez”, Jurado calificador en el

Premio para científicas y científicos latinoamericanos.

Institucionales: IPN

o Sistema de becas por exclusividad-COFAA

o Premio a las mejores tesis del posgrado en el IPN

o Estímulos al desempeño en investigación (EDI)

CONACYT

o Evaluación de Proyectos de Investigación (Convocatoria de Ciencia Básica).

o Demanda Libre y convenios para realizar estudios de posgrado en el extranjero.

o Cooperación Bilateral México-Hungría.

o Estancias Posdoctorales Vinculadas al Fortalecimiento de la Calidad del Posgrado

Nacional.

Academia Mexicana de Ciencias, A. C.

Reunión de Evaluación de los “Programa Semana y Verano de la Investigación

Científica” (2003- a la fecha).

Referee de las Revistas

o Journal of Solid State Chemistry

o Applied Surface Science

o IEE Transactions on Nanotechnology

o Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

o Surface Science

o Revista Mexicana de Física

o Physics Status Solidi (b)

o Materials Science and Engineering B

o Nanoscale

o Journal of Molecular Modeling

o Journal of Physical Chemistry Chemical Physics

o Journal of Nanomaterials

PARTICIPACIÓN EN COMISIONES ACADÉMICAS, ESIME-Culhuacan, IPN:

Participación en la reestructuración de los programas de estudio unificado: Matemáticas I

“Cálculo Diferencial e Integral”, Matemáticas II “Cálculo Vectorial y Álgebra Lineal”, Matemáticas III

“Ecuaciones Diferenciales” y Matemáticas IV “Probabilidad y Estadística” pertenecientes al Mapa Curricular

del Plan de Estudios Unificado de la ESIME-UC y ESIME -UA, (1990-1992).

Participación en la Elaboración del Plan de Estudios de la Carrera de Ingeniería en

Computación, (enero 1990 – agosto 1991).

Participación en la Elaboración de los Programas de Estudio Cálculo Diferencial e Integral,

Álgebra Superior, Matemáticas Finitas, Cálculo Vectorial, Álgebra Lineal y Probabilidad y

Estadística de la Carrera de Ingeniería en Computación, ESIME-Culhuacan, IPN (1990-

1992).

Miembro de la Comisión de Jurado en el proceso de Promoción Docente Periodos: (1993,

2000).

Profesor Consejero por el Departamento de Ingeniería en Computación, (septiembre 1992 –

agosto 1993, septiembre 1995 – agosto 1996, septiembre 2000 – agosto 2001, septiembre

2003 – agosto 2004).

Supervisor de las Asignaturas de Matemáticas en la Licenciatura de Ingeniería en

Computación, ( septiembre 1991 – enero de 1994).

Presidente de la Academia de Física en la Licenciatura de Ingeniería en Computación, (

octubre 1994 – mayo 2000).

Miembro del Jurado en el Examen de Oposición que presentaron:

Fis. Roberto Álvarez Santos como candidato a profesor de la Academia de

Matemáticas en el Depto. de Ing. Mecánica, (marzo 1993).

Ing. Edna Carla Vasco Méndez como candidato a Profesor de la Academia de Física

en el Depto. de Ing. en Computación, (febrero 1995).

el Fis. J. Israel Betancourt Reyes como candidato a Profesor de la Academia de

Matemáticas en el Depto. de Ingeniería en Computación, (febrero 1995).

M. en C. José Alfredo Heras Gómez como candidato a Profesor-Investigador de la

SEPI-ESIME-Culhuacan, (junio-2001).

Dra. Mariko Nakano Miyatake como candidato a Profesor-Investigador de la SEPI-

ESIME-Culhuacan, (junio-2001).

Ing. Gonzalo Isaac Duchen Sánchez como candidato a Profesor-Investigador de la

SEPI-ESIME-Culhuacan, (junio-2001).

Dr. Volodymyr Ponomaryov como candidato a Profesor-Investigador de la SEPI-


Dr. Juan Carlos Sánchez García como candidato a Profesor-Investigador de la SEPI-


Dr. Héctor Manuel Pérez Meana como candidato a Profesor-Investigador de la SEPI-


Ing. David Guzmán Rodríguez como candidato a Profesor de la Academia de

Matemáticas y Física del Depto. de Ingeniería en Computación, (febrero-2002).

Consejero del Sistema de Becas por Exclusividad COFAA-IPN,

Periodos: (1999, 2000).

Citas por terceros 2. Physical Review B 53, 3827 (1996).

1) Tesis de Maestría, IIM-UNAM (2000) pp. 46, 80, E. Vázquez-Curiel, “Efectos de la

relajación de la superficie en las propiedades electrónicas del silicio poroso”, http://www.dgbiblio.unam.mx/posgrado/posgrado.html

2) Chemical Physics 284, 129 (2002). doi: 10.1016/S0301-0104(02)00544-X

3) Journal of Applied Physics 91, 3085 (2002) doi: 10.1063/1.1446658


5) Mat Res soc Poceedings 832, F10.8 (2004) doi: 10.1557/PROC-832-F10.8

6) J. Appl. Phys. 95, 3569 (2004) doi: 10.1063/1.1650897

7) Tesis de doctorado, IIM-UNAM (2004) p. 35, M.R. Nava Lara, “Propiedades ópticas de

multicapas cuasiperiódicas de silicio poroso” http://www.dgbiblio.unam.mx/posgrado/posgrado.html,

8) Journal of Physics Condensed Matter 19, 395010 (2007) doi: 10.1088/0953-8984/19/39/395010

9) Appl. Phys. Lett. 92, 221910 (2008) doi: 10.1063/1.2937835

10) Chinese Phys B 17 (10), 3753 (2008) doi:10.1088/1674-1056/17/10/037

11) Chinese Phys B 18 (11), 5066 (2009) doi:10.1088/1674-1056/18/11/076

12) Acta Physica Sinica 58 (7) 4652 (2009) http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2009/V58/I7/4652

13) International Journal of Nanoscience 8 (3), 311 (2009) doi: 10.1142/S0219581X09006079

14) Journal of Optoelectronics and Advanced Materials 11, 1647 (2009) http://joam.inoe.ro/index.php?option=magazine&op=view&idu=2209&catid=44

15) Journal of Non-Oxide Glasses 1(3), 293 (2009) http://www.chalcogen.infim.ro/293_ramrzani.pdf

16) Tesis, A. Molina, Electronic structure and optical properties of III-N nanowires,

Universidad Politécnica de Valencia, 2011. http://www.tesisenred.net/handle/10803/58722

17) Philosophical Magazine 34, 4291 (2012) doi: 10.1080/14786435.2012.705040

18) Physical Chemistry Chemical Physics 14, 13890; (2012)

doi: 10.1039/c2cp42019h

19) Surface Science 609, 48 (2013)

doi: 10.1016/j.susc.2012.11.002

20) Yadernaya fizika i inzhiniring, tom 4, № 2, Mart-Aprel' 2013, S. 174-192

http://www.maikonline.com/maik/showArticle.do?auid=VAHCVNE3BL&lang=en

3. M. Cruz, et al., Thin Solid Films 297, 261 (1997).

21) Superlattices and Microstructures 37, 115 (2005) doi: 10.1016/j.spmi.2004.09.047

5. M. R. Beltrán, et al., Solar Energy Materials and Solar Cells 52, 261 (1998)

22) J Optoelectronics Laser 16 (12), 1421 (2005) http://file.lw23.com/a/ae/ae5/ae57b36e-d589-4e72-b890-91d1f4e9a3fd.pdf

23) Opto-electronics Review 8, 57 (2000) http://www.wat.edu.pl/review/optor/2000/1/8%281%2957.pdf

6. J. Tagüeña-Martínez, et al., Applied Surface Science 142, 564 (1999).

http://www.dgbiblio.unam.mx/posgrado/posgrado.html


http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.1446658


http://dx.doi.org/10.1557/PROC-832-F10.8



http://www.scopus.com/source/sourceInfo.url?sourceId=28567&origin=resultslist


http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/17/10/037

http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/18/11/076

http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2009/V58/I7/4652



http://joam.inoe.ro/index.php?option=magazine&op=view&idu=2209&catid=44

http://www.chalcogen.infim.ro/293_ramrzani.pdf

http://www.tesisenred.net/handle/10803/58722


http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2012/cp/c2cp42019h


http://www.maikonline.com/maik/showArticle.do?auid=VAHCVNE3BL&lang=en

http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2004.09.047

http://file.lw23.com/a/ae/ae5/ae57b36e-d589-4e72-b890-91d1f4e9a3fd.pdf


http://www.wat.edu.pl/review/optor/2000/1/8%281%2957.pdf

24) Phys. Rev. B 66, 205323 (2002) doi: 10.1103/PhysRevB.66.205323


26) IEEE Sensors Journal 6, 301 (2006) doi: 10.1109/JSEN.2006.870171

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http://ethesys.nuk.edu.tw/ETD-db/ETD-search/view_etd?URN=etd-0829112-015936

http://arxiv.org/abs/1206.2847v1

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