correción exámen parcial elect. i

7
ESCUELA SUPERIOR POLITÉCNICA DE CHIMBORAZO FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA EN TELECOMUNICACIONES Y REDES EXÁMEN PARCIAL DATOS INFORMATIVOS ASIGNATURA Electrónica I ESTUDIANTE Ítalo Fernando Parreño Sañicela CÓDIGO 560 SEMESTRE Quinto “A” ESCUELA Ingeniería Electrónica en Telecomunicaciones y Redes PROFESOR Ing. Irene Tustón Torres Conteste las siguientes interrogantes: 1. Defina un material intrínseco y un material extrínseco. Material intrínseco: un semiconductor intrínseco se produce cuando pasa por un proceso de purificación es decir dejar las impurezas en una cantidad muy baja. Material extrínseco: es un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado. 2. Mediante un gráfico explique los Niveles de Energía de un aislante, conductor y semiconductor. 3. Escriba 5 diferencias entre un material tipo n y un material tipo p. Material tipo n - Impurezas que contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes) - Impurezas son llamadas átomos donadores.

Upload: italo-parreno

Post on 12-Sep-2015

214 views

Category:

Documents


1 download

DESCRIPTION

electronica

TRANSCRIPT

EXMEN PARCIALDATOS INFORMATIVOS

ASIGNATURAElectrnica I

ESTUDIANTEtalo Fernando Parreo Saicela

CDIGO560

SEMESTREQuinto A

ESCUELA Ingeniera Electrnica en Telecomunicaciones y Redes

PROFESORIng. Irene Tustn Torres

Conteste las siguientes interrogantes:1. Defina un material intrnseco y un material extrnseco.Material intrnseco: un semiconductor intrnseco se produce cuando pasa por un proceso de purificacin es decir dejar las impurezas en una cantidad muy baja.Material extrnseco: es un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado.2. Mediante un grfico explique los Niveles de Energa de un aislante, conductor y semiconductor.

3. Escriba 5 diferencias entre un material tipo n y un material tipo p.

ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZOFACULTAD DE INFORMTICA Y ELECTRNICA ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA EN TELECOMUNICACIONES Y REDES

Material tipo n Impurezas que contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes) Impurezas son llamadas tomos donadores. Portadores mayoritarios electrones. Portadores minoritarios huecos.Material tipo p Impurezas que contienen tres electrones de valencia (trivalentes) Impurezas son llamadas tomos receptores. Portadores mayoritarios huecos. Portadores minoritarios electrones.

4. Defina qu es un diodo semiconductor.

Un diodo semiconductor se crea uniendo un material tipo n y un material tipo p.

5. Con ayuda de un grfico explique los Estados de Polarizacin de un diodo semiconductor de silicio.

6. Determine la corriente en un diodo de silicio, a 20 C, con y un voltaje de 0,6 v.

7. Explique cul es la diferencia entre las caractersticas de un interruptor simple con las de un diodo ideal.

La diferencia ms importante entre las caractersticas de un diodo y un interruptor simple, es que el interruptor, siendo mecnico, es capaz de conducir la corriente en cualquier direccin, mientras que el diodo permite que la carga fluya a travs del elemento en una direccin, es decir la direccin definida por la flecha del flujo de corriente.

8. Calcule las resistencias cd y ca del diodo de la figura, con una corriente en directa de 10 mA y compare sus magnitudes.

Forma 1

Forma 2

Resistencia esttica cd

Por lo tanto

9. Calcule y grafique la resistencia de ca promedio en la regin [0,6v 0,9v] y [1,2mA 13,5mA].

10. Complete la siguiente tabla con los modelos de Circuitos Equivalentes de un diodo.

TipoCondicionesModeloCaractersticas

Modelo Lineal por Segmentos

Modelo Simplificado

Dispositivo Ideal

11. Recurriendo a la figura determine:

a) La capacitancia de transicin con potenciales de polarizacin en inversa de -25 v y 10 v.

: :

b) La capacitancia de difusin con 0 v y 0.25 v.

: :

12. Determine cmo surge el Tiempo de recuperacin en inversa.

El tiempo de recuperacin en inversa es la suma de estos dos intervalos:

13. Trace la curva caracterstica de un Diodo Zener, con las siguientes caractersticas: