Tapia Robledo Luis RicardoFundamentos de ingeniera electrnica IIN 5C12/ Febrero/ 2015

CONFIGURACIONES DEL BJT.CONFIGURACIN EN BASE COMN.La zona que ms nos interesa es la zona activa, por lo tanto a continuacin analizaremos esta zona. La zona p de base suele ser muy estrecha en la realidad, ms tarde veremos porque. En el siguiente dibujo no dibujamos WE y WC para no emborronar el dibujo.Figura 105. Funcionamiento de la zona activa, configuracin BC.El negativo de la pila VEErepele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE. Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse. Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE. Despus ese electrn baja la barrera de potencial de la UC para salir por el colector.

Figura 106. Barrera de potencial.Esto es el efecto transistor de n a p, tiene que subir la barrera de potencial pero luego es ms fcil porque tiene que bajar la barrera. De los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor. La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el "Efecto transistor". La base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (por ejemplo el 1%). El emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un dispositivo de control.El convenio que tenamos con el diodo era:

Figura 107. El DiodoEneltransistortambintomamoscriterios,todaslacorrientesentrantes,es como un nudo.

Figura 108. El Transistor.EJEMPLO:IE= 100mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %. Por lo tanto: IB= 1mA y IC= 99mA. Los signos como siempre, si va a favor del electrn es negativo y si va en contra positivo.

En los problemas por comodidad se suele cambiar de direccin a IEpara que sea positivo.Figura 109. Convencin para las corrientes en el transistor.Aqu debemos definir una cantidad llamada alfa y se describe con la letra griega, . En condiciones de DC, los niveles de ICe IE, estn relacionados de acuerdo a lo ya explicado. Y esta relacin est dada por la cantidad, .DC= Ic/ Ie1.5Los valores de alfa estn entre 0,90 y 0,998. Alfa solamente define los portadores mayoritarios, entonces, la ecuacin 1.5 quedar as:Ic = Ie+ ICBO1.6Si IE= 0mA. ICser por lo tanto igual ICBO. Pero ICBOes una magnitud muy pequea. Por lo tanto, ICser igual a IE.

CONFIGURACIN EN EMISOR COMN.Estaconfiguracineslamsutilizada.ComoenlaconfiguracinenBase Comn solo analizaremos la zona activa.Figura 110. Transistor en configuracin de Emisor Comn.Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La direccin de IEla cambiamos como en la configuracin anterior.

Figura 111. TransistorGanancia de corriente cc:

A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequea, en comparacin con la IC.

CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN.

Figura 112. Polarizacin de Emisor comn para un transistor PNP.En la figura 112 vemos la ltima de las tres posibles configuraciones de un transistor con las direcciones de corriente y su notacin de voltaje correcto. El uso ms comn que a esta configuracin se le da, es de un circuito de acople de impedancias. En su entrada posee una impedancia muy alta y en su salida una impedancia muy baja.Si conectamos una resistencia R entre el emisor y tierra, con el colector tambinconectadoatierra,fcilmentepodramoscomprenderqueesun circuito similar a la configuracin de emisor comn. Por lo tanto, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para seleccionar los parmetros del circuito al momento de realizar un diseo. La curvas se grafican como IEen funcin de VCEpara un rango de valores de IB.