cinco tipos de transistores comunes
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TRANSISTORESLuis Palacios Aguirre
Universidad Telesup
Física
Electrónica
Introducción
Dispositivo semiconductor activo que tiene tres
o más electrodos. Los tres electrodos principa-
les son emisor, colector y base. La conducción
entre estos electrodos se realiza por medio de
electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los
materiales más frecuentemente utilizados para la
fabricación de los elementos semiconductores. Los transistores
pueden efectuar prácticamente todas las funciones de los antiguos
tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación, con
muchísimas ventajas.
En el presente trabajo expondré
cinco tipos de transistores.
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BJT
BJT
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar
Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que
la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
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JFET
BJT
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español
transistor de efecto de campo de juntura o unión) es
un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que,
según unos valores eléctricos de entrada, reacciona
dando unos valores de salida. En el caso de los JFET,
al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos
valores de entrada son las tensiones eléctricas, en
concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G
(puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor
presentará una curva característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones
definidas: corte, óhmica y saturación.
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MESFET
MESFET
MESFET significa de metal-semiconductor de efecto de campo
transistor. Es muy similar a un JFET en la construcción y terminología.
La diferencia es que en lugar de utilizar una unión pn para una puerta,
una Schottky ( de metal - semiconductor ) se utiliza de unión. MESFETs
generalmente se construyen en las tecnologías de semiconductores
compuestos que carecen de pasivación de alta calidad de la superficie,
tales como GaAs , InP , o SiC , y son más rápidos pero más caros que
los basados en silicio JFET o MOSFET . MESFETs de producción son
operados hasta aproximadamente 45 GHz, [1] y se utilizan comúnmente
para microondas de frecuencia de comunicaciones y de radar . Los
primeros MESFETs se desarrollaron en 1966, y un año después su
extremadamente alta frecuencia RF desempeño microondas se
demostró. [2] A partir de un digital de circuito de diseño de punto de
vista, cada vez es más difícil de usar MESFETs como base para
digitales circuitos integrados como la escala de integración aumenta,
en comparación con CMOS de fabricación basado en silicio.
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MOSFET
MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o
MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect
transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar
señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque
el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro
tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor
(S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el
sustrato generalmente está conectado internamente al terminal del
surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
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HBT
HBT
El transistor bipolar de heterounión (HBT) es un tipo de
transistor de unión bipolar (BJT), que utiliza materiales
semiconductores diferentes para las regiones de emisor y
la base, la creación de una heterounión . El HBT mejora en
el BJT en que puede manejar señales de frecuencias muy
altas, de hasta varios cientos de GHz . Se utiliza
comúnmente en circuitos ultrarrápidos modernas, la
mayoría de radiofrecuencia (RF) de sistemas, y en
aplicaciones que requieren una alta eficiencia de potencia,
tales como los amplificadores de potencia de RF en los
teléfonos celulares. La idea de emplear una heterounión es
tan antigua como el BJT convencional, que se remonta a
una patente a partir de 1951