aula transistores

8/3/2019 Aula transistores

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Transistores de potencia

• Potencia maxima de um transistordepende da temperatura ambiente

• Para compensação utiliza-se dissipadoresde calor, com auxilio de pastas termicas eisoladores dde mica para conexão acarcaça do equipamento.



• A velocidade de chaveamento dos transistores modernos é muitomaior do que a dostiristores, sendo largamente utilizados em conversores CC/CC eCC/CA, apresentando, internamente, um diodo conectado em

anti-paralelo ( manter um caminho para a corrente ).Entretanto, as especificações de tensão e corrente ainda sãomenores que a dos tiristores, sendoentão aplicados em baixa e média potência. Os transistores depotência podem ser divididos em :

• a) - transistor de junção bipolar - BJT;• b) - metal-oxide-semiconductor field-effect transistor - MOSFET;• c) - static induction transistor - SIT;• d) - insulated-gate bipolar transistor - IGBT



• Transistor de Junção

Bipolar - BJT

• O transistor bipolar é formado pelaadição de uma segunda região p ou

n em uma junção pn. Pode-se obterassim, um transistor NPN ou PNP. Otransistor apresenta três terminais :

coletor ( C ), base ( B ) e emissor ( E );e duas junções : coletor-base ( CB )

e base-emissor ( BE ).




• Transistor unijunção:• Formado por Dreno Fonte e Gate .

• Possue uma carga de corrente de eletronsou de lacunas• A resistencia entre dreno e fonte diminue

com o aumento da tensão , ate aestabilização chamada VPO ( tensãoPinch Off)




• Polarização com Vgs constante :Determinamos a tensão que queremospara o Transistor atraves de uma tensãoconstante em VG e da formula :

RD = VDD-VSQ/IDQ




• Aplicações par o unijunção :• Chave analogica

• Multiplexdores• Amplificadores• Defasadores de sinal




• Exercicios :1- O que é tensão de estrangulamento?

2-Qual relação entre tensão de estrangulamento e tensão de corte?

3- Pesquise um manual JFET e levante os principais dados do BF256c

4- Polarize o BF256c com VG constante para VDD = 25 v , IDQ = 5 ma

e VSQ = 10V5- Elabore este circuito no Proteus e verifique o funcionamento



• O MOSFET de Depleção pode serde canal n ou p. O canal n éformado por um

• substrato de silício tipo p, com duasregiões altamente dopadas de silício

tipo n+ com baixa• resistência de conexão. O gate é

isolado do canal n por uma finacamada de Óxido de Silício. Os

• três terminais são : gate ( G ); dreno( D ) e fonte ( S ) . O substrato énormalmente ligado à fonte

• (S). A tensão entre gate e fonte (VGS ) pode ser, também, positivaou negativa.



• Transistor MOSFET :

O transistor de potência MOSFET é um dispositivo de tensãocontrolada e, necessita

• apenas de uma pequena corrente de entrada. A velocidade de

chaveamento é muito alta ( nanosegundos• ). MOSFET’s de potência são utilizados em conversores de

baixa potência e alta• frequência. Estes transistores apresentam problemas de

descargas eletrostáticas, necessitando de• cuidados especiais.• Os MOSFET’s podem ser divididos em dois tipos : • a) - MOSFET de Depleção;• b) - MOSFET de acumulação




• MosFet de acumulaçãoExiste um camada de dioxido de aluminio,

que isola a ponta de entrada da portaaumentando a impedancia de entrada .

Ao aplicar uma corrente na porta , cria umcampo magnetico que estreita a região dedepleção entre o material P e N ( D e S)



• IGBT ( Insullated GateBipolar Transistor ) :

• Este componente associa asvantagens do transistor bipolar( baixa perda durante a

condução ), com as doMOSFET ( alta impedância deentrada ). Devido a suaestrutura, a resistência entredreno e fonte ( RDS ) do IGBTé controlada de forma que o

mesmo se comporte como umtransistor bipolar. O símbolodo IGBT é mostrado na figura



• Encontre na internet , os codigos paracada tipo de transistor que foi mencionadoate agora , e descubra sua simbologia

• Em seguida abra o proteus e verifiquequais os componentes que estãoconfigurados para estes codigos . Quais

as principais diferenças voce observa?



• O arranjo desta configuração é conectar doistransistores do mesmo tipo de maneira que se oganho de corrente de um transistor for b1 e o do

outro for b2 então o ganho de corrente doarranjo será igual a bD = b1.b2 . A conecçãoDarlington atua como um novo dispositivo, cujoganho de corrente é o produto dos ganhos

individuais. A figura abaixo mostra estaconfiguração



• O Darlington não é mais do que a ligação de vários transistores com a finalidade de aumentar o ganho.

O ganho (HFE) total do Darlington é a multiplicação dos ganhos individuais de cada um dos transistores.

Vantagens: • Maior ganho de corrente.• Tanto o disparo como bloqueio são

sequenciais.• A queda de tensão em saturação é constante.

•

Desvantagens: • Utilização apenas com médias frequências e

médias potências



B

C

E

Q1

Q2

21 B E I I

1C

I

1 B I

2C

I

21 C C C I I I

2 E I

221 1



• No proteus

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