semiconductores

MATERIAL TIPO N (EXCESO DE ELECTRONES) 

MATERIAL TIPO P (EXCESO DE HUECOS) 

UNIÓN N‐P SIN POLARIZACIÓN 

                                      P                                     N 

RECOMBINACIÓN DE HUECO‐ELECTRÓN SÓLO EN LA UNIÓN (ZONA DE DEPLEXIÓN) 

I = ‐(Is + If)

HUECOS ELECTRONES

NP

UNIÓN N‐P CON POLARIZACIÓN INVERSA 

LOS HUECOS SON ATRAIDOS POR LA CARGA NEGATIVA DE LA BATERIA.   

LAS  ELECTRONES  SON  ATRAIDOS  POR  LA  CARGA  POSITIVA  DE  LA BATERIA. 

EN  ESTAS  CONDICIONES,  EXISTE  UN  EFECTO  TÉRMICO  PRODUCIENDO UNA CORRIENTE DE SATURACIÓN INVERSA (Is) 

DEBIDO A QUE EN LA SUPERFICIE DEL CRISTAL NO HAY OTROS ATOMOS QUE COMPARTAN ELECTRONES, SE PRODUCE UNA CORRIENTE DE FUGA (If) 

UNIÓN N‐P CON POLARIZACIÓN DIRECTA 

LOS HUECOS  SON  IMPULSADOS  (REPELIDOS)  POR  LA  CARGA  POSITIVA DE LA BATERIA 

LOS  ELECTRONES  SON  IMPULSADOS  (REPELIDOS)  POR  LA  CARGA NEGATIVA DE LA BATERIA 

ESTAS DOS SITUACIONES OBLIGAN A QUE EXISTA UNA RECOMBINACIÓN HUECO‐ELECTRÓN A  LARGO DE  LOS DOS CRISTALES,  LO QUE PRODUCE UNA CIRCULACION DE CORRIENTE ELÉCTRICA