informe de práctica de elctrónica uea

INFORME DE PRÁCTICA

1. DATOS INFORMATIVOSInstitución: Unidad Educativa “Atahualpa”

Curso: Tercero BGU paralelo: “B”

FIP: Electrónica de consumo

Asignatura: Modulo de Electrónica General II

Alumno(s): María Salazar, Lucia Pilacuan, Ana Tonato, Jenifer Romero , Carla Solis

Fecha: 24 09 15

2. TEMA Medición de Semiconductores

3. OBJETIVOSObjetivo generalAl finalizar la siguiente práctica nosotros estaremos en capacidad de medir elementos semiconductoresObjetivos específicosMedir correctamente diodos, transistores y leds

4. ACTIVIDADES

CÁTODO ÁNODO

5. HERRAMIENTAS Y MATERIALES

2 LEDS 4 transistores 1 Multímetro digital 4 diodos Cortadora Cautín Pasta Estaño Televisión B/N Destornillador Osciloscopio

6. CONTENIDO CIENTÍFICO

1.1) Características funcionales del transistor bipolar.El transistor bipolar (conocidouniversalmente con la simpledenominación de transistor) esun elemento de circuito de tresterminales que puede cumplirfunciones de amplificador (operaciónlineal) o llave (operaciónen la zona de corte y saturación)Fig. 1. - Símbolos del transistorbipolar. a) transistor NPN b)transistor PNPLa Fig. 1 muestra el símbolo de los dos tipos de transistores actualmente en uso:Esta clasificación es válida tanto para lostransistores de Germanio como para lostransistores de silicio.El comportamiento del transistor puedeanalizarse tomando en consideración suscaracterísticas de entrada (terminales base emisor)y sus características de salida (controlejercido sobre los terminales colecto remisorpor el circuito de entrada)Fig. 2 - Características de entrada.

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES