4 semiconductores

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PRESENTADO POR: DANIEL MANGO FÍSICA ELECTRÓNICA DOCENTE : RAUL REATEGUI semiconductores intrínsecos y los semiconductores dopados

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Page 1: 4 semiconductores

PRESENTADO POR:

DANIEL MANGO

FÍSICA ELECTRÓNICA

DOCENTE : RAUL REATEGUI

semiconductores intrínsecos y los

semiconductores dopados

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¿ QUE ES UN SEMICONDUCTOR?

Es un elemento que se comporta como un

conductor o como aislante dependiendo de

diversos factores , como por Ejem: el campo

eléctrico o magnético , la presión ,la radicación

que le incide ,o la temperatura del ambiente en el

que se encuentre .los elementos químicos

semiconductores de la tabla periódica se indican

en la tabla adjunta.

El elemento mas usado es el silicio ,el segundo el

germanio .posteriormente se ha comenzado a

emplear también el azufre .la características

común a todos ellos es que son tetralentes

,teniendo el silicio una configuración electrónica

s2 p2.

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¿Qué es un semiconductor intrínseco?

Cuando se encuentra en estado ,puro ósea , que no

contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro

de su estructura . En ese caso , la calidad de huecos que

dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar

la banda prohibida sea igual a la cantidad de electrones

libres que se encuentran presentes en la banda de

conclusión

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Semiconductores intrínsecos :

Como se puede observar en la induración , en el

caso de los semiconductores el espacio

correspondiente a la banda prohibida es mucho

mas estrecho en comparación con los materiales

aislantes . La energía de salto de banda

(Eg)requerida por los electrones para saltar de la

banda de valencia a la de conducción es de

1eV aproximadamente .en los semiconductores

de silicio (SI),la energía de salto de banda

requerida por los electrones es de 1,21 eV,

mientras que en los de germanio(Ge)es de

0,785eV.

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Semiconductor intrínsecos:

Estructura cristalina de u

semiconductor intrínseco compuesta

solamente por átomos de silicio (si)

que forman una celosía ,como se

puede observar en la ilustración ,los

átomos de silicio (que solo poseen

cuatro electrones en la ultima orbita o

banda de valencia ), se unen

formando enlaces covalentes para

completar 8 electrones y crear así un

cuerpo solido semiconductor .en esos

condiciones el cristal de silicio se

comportara igual que si fuera un

cuerpo aislante

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Semiconductores dopados:

El numero de átomos dopantes necesitados para crear una

diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es

muy pequeña cuando se agregan un pequeño numero de átomos

)entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero .cuando se

agregan mucho mas átomos (en el orden de 1 cada

10,000atomos)entonces se dice que el dopaje es alto o pesado

.este dopado pesado se representa con la nomenclatura N+ para

material de tipo N, o P + para material de tipo P.

Tipo N:

se llama material tipo N que posee átomos de impureza que

permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los

mismos .los átomos de este tipo se llaman donantes ya que

«donan» o entregan electrones .suelen ser de valencia 5 , como el

arsénico y el fosforo de esta forma , no se han desbalanceado la

neutralidad eléctrica ya que el átomo introducido al semiconductor

original ). Finalmente , existieran mas electrones que huecos ,por lo

que los primeros serán los portadores mayoritarias y los últimos los

minoritarios . La calidad de portadores mayoritarios será funciones

directa de la calidad de átomos de impureza introducidos.

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Semiconductores dopados : Tipo P:

Se llama así al material que tiene átomos de

impureza que permiten formación de huecos sin que

aparescan electrones asociados a los mismos , como

ocurre al romperse una ligadura . Los átomos de este

tipo se llaman aceptores , ya que «aceptan «o toman

un electrón . Suelen ser de valencia tres ,como el

aluminio ,el indio o el galio .nuevamente .el átomo

introduciendo es neutro ,por lo que no modificara la

neutralidad eléctrica del cristal pero debido a que

solo tiene 3 electrones en su ultima capa de valencia

, a parecerá una ligadura rota. que tendera a tomar

electrones s de los átomos próximos ,generando

finalmente mas huecos que electrones , por lo que los

primeros serán los portadores mayoritarios y los

segundos los minoritarios

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FUENTE DE INFORMACION:

.wikipedi.org/wiki/semiconductor#semiconductores¡ntr.C3.Adnsecos

http://www.osifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke

http/www.uv/candid/docencia/ed_tema .02.pdf

http/ww.itent.org/lecciones /semiconductor /dop ado .asp.

http://es _semiconducto

Htp:// es wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

http://es.wikipedia.org/wiki/dopaje %28semicoductores %29

http://www.sabelotodo.org/materia/enlaces.html