Ingeniería de Sistemas

Julio Ayala Vega

2014

*Transistores

Presentación en www.slideshare.net

http://www.slideshare.net/ayala_julio_62/3-3 Transistores

* Transistores de punta de contacto

*El transistor original fue de esta clase y consistía en electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeño bloque de germanio llamado base.El material de la base podía ser de tipo N y del tipo P y era un cuadrado de 0.05 pulgada de lado aproximadamente. A causa de la dificultad de controlar las características de este frágil dispositivo, ahora se le considera obsoleto.

*Transistor de unión por crecimiento

* Los cristales de esta clase se obtienen por un proceso de "crecimiento" partiendo de germanio y de silicio fundidos de manera que presenten uniones muy poco separadas embebidas en la pastilla.El material de impureza se cambia durante el crecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN, que luego son cortados para obtener pastillas individuales. Los transistores de unión se pueden subdividir en tipos de unión de crecimiento, unión de alineación y de campo interno. El transistor del último tipo es un dispositivo de unión de alineación en que la concentración de impurezas que está contenida dentro de una cierta región de la base a fin de mejorar el comportamiento en alta frecuencia del transistor.

*Transistor de unión difusa

*Esta clase de semiconductor se puede utilizar en un margen más amplio de frecuencias y el proceso de fabricación ha facilitado el uso de silicio en vez de germanio, lo cual favorece la capacidad de potencia de la unidad. Los transistores de unión difusa se pueden subdividir en tipos de difusión única (hometaxial), doble difusión, doble difusión planar y triple difusión planar.

*Transistores epitaxiales

* Estos transistores de unión se obtienen por el proceso de crecimiento en una pastilla de semiconductor y procesos fotolitográficos que se utilizan para definir las regiones de emisor y de base durante el crecimiento. Las unidades se pueden subdividir en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y sobrecapa (overlay).

*Transistores de efecto de campo

*El transistor de efecto de campo de unión (JFET), o transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta 1958 no se construyó el primer transistor práctico de efecto de campo. Se puede considerar a este dispositivo como si fuese una barra, o canal, de material semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P. En cada extremo de la barra se establece un contacto óhmico, que representa un transistor de efecto de campo tipo N en su forma más sencilla. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N (desde los extremos opuestos del canal N) y se conectan externamente entre sí, se produce una puerta o graduador. Un contacto se llama surtidor y el otro drenador. Si se aplica una tensión positiva entre el drenador y el surtidor y se conecta la puerta al surtidor, se establece una corriente. Esta corriente es la más importante en un dispositivo de efecto de campo y se le denomina corriente de drenador con polarización cero (IDSS).Finalmente, con un potencial negativo de puerta denominado tensión de estrangulamiento (pinch-off) cesa la conducción en el canal.

*Fuentes

*http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_campo.htm